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刘先明

作品数:35 被引量:46H指数:3
供职机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金霍英东青年教师基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 21篇理学
  • 6篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇医药卫生
  • 1篇历史地理

主题

  • 9篇电子能
  • 9篇电子能谱
  • 9篇光电子能谱
  • 9篇半导体
  • 8篇纳米
  • 5篇光电子能谱研...
  • 4篇磷化铟
  • 4篇金属
  • 4篇碱金属
  • 3篇多孔
  • 3篇氧化锰
  • 3篇砷化镓
  • 3篇拉曼
  • 3篇
  • 3篇CS
  • 3篇INP
  • 3篇GAAS
  • 2篇多孔纳米
  • 2篇氧化锡
  • 2篇异质结

机构

  • 31篇中国科学技术...
  • 5篇中国科学院
  • 3篇中国科技大学
  • 2篇天津理工学院
  • 1篇浙江大学
  • 1篇合肥国家同步...

作者

  • 35篇刘先明
  • 12篇麻茂生
  • 11篇朱警生
  • 9篇徐彭寿
  • 8篇季明荣
  • 6篇徐世红
  • 6篇许振嘉
  • 4篇王文楼
  • 4篇许存义
  • 3篇吴敏昌
  • 3篇吴建新
  • 3篇吴建新
  • 3篇刘占强
  • 3篇谭舜
  • 3篇左健
  • 3篇钱逸泰
  • 2篇邢锦云
  • 2篇杨宏伟
  • 2篇陆尔东
  • 2篇朱弘

传媒

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  • 1篇无机化学学报
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  • 1篇物理化学学报
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇光散射学报
  • 1篇天津理工学院...

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 6篇1995
  • 9篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1990
  • 1篇1989
35 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光电子能谱研究O_2和Rb在InSb(111)表面上共吸附被引量:1
1995年
本文利用光电子能谱(XPS和UPS)技术研究了室温TO2和Rb在InSb(111)表面上共吸附,分析了碱金属Rb在InSb(111)表面上吸附的健合状态以及对衬底的催化氢化作用。结果表明,Rb与InSb表面上的Sb发生化学反应,Rb在InSb表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率,衬底表面上的In和Sb被氧化,分别生成锑和铟的氧化物。在O2吸附的过程中,还观察到两种Rb的氧化物,即过氧化铷(Rb2O2)和超氧化铷(RbO2)。通过芯能级和价电子的变化,揭示了各种氧离子态(O2-,O,O)的形成。
吴建新麻茂生刘先明朱警生季明荣
关键词:光电子能谱半导体表面
氯对Ni(110)面上CO共吸附的影响
1995年
用UPS、XPS、AES和功函数测定等方法考察了氯对Ni(110)上CO共吸附的影响。预吸附的氯强烈降低了CO的吸附速度和饱和吸附量,减少了CO—Ni的平均偶极矩。UPS和XPS结果表明,氯的共吸附使CO的1π和O(1s)移向较高的结合能,而5σ则轻微移向较低的结合能。氯能取代表面吸附的CO并伴随总功函数的下降。氯的强电负性和空间位阻减小了Ni—CO的健合作用,从而降低了CO的吸附键能,并使C—O分子键稳定化。对氯的表面电负性修饰效应进行了讨论。
庄叔贤吴建新刘先明屠兢季明荣汪兰清
关键词:一氧化碳XPSAESUPS
多孔氧化锰纳米薄片材料
2004年
王文楼吴敏昌刘先明刘占强
关键词:氧化锰纳米材料多孔材料
Ga_xIn_(1-x)P混晶的拉曼散射研究
1992年
本文报道了Ga_xIn_(1-x)P混晶的室温拉曼散射和X射线衍射的测试结果。所用的样品用MOCVD方法生长在<100>晶向的GaAs衬底上。混晶组分x值在0.54~0.95之间。实验结果表明,Ga_xIn_(1-x)P混晶的长波长光学声子谱呈现修正的双模行为,具有类GaP和类InP两个光学支。
左健邢锦云刘先明许存义
关键词:混晶双模喇曼效应散射谱
非水体系水热法制备纳米磷化铟被引量:19
1996年
纳米半导体随其粒径减小,量子尺寸效应逐渐增强,呈现出与块材显著不同的特性,因而具有广泛的应用前景。其中,Ⅲ~Ⅴ族纳米半导体如InP的制备和应用尤其引起人们的兴趣。但传统的固相反应法由于制备温度高,很难制得纳米晶体材料。近年来,已有一些新的方法制备纳米级InP。如Douglas和Theopold从[Cp*(Cl)InP(SiMe_3)_2I_2的醇解反应中得到纳米InP,Nzik等利用InCl_3的草酸盐配合物与P(SiMe_3)_3反应制得平均粒径为2.3nm的InP。但这些方法中使用的反应物都剧毒,对空气极其敏感,而且很难合成。
谢毅王文中钱逸泰刘先明
关键词:半导体磷化铟纳米级水热法非水体系
光电子能谱研究Ce表面的氧化被引量:2
1997年
利用光电子能谱技术研究了室温下Ce膜表面的氧化,分析了在不同氧气暴露量下,稀土金属Ce氧化状态和样品功函数的变化。结果表明,在O2吸附的过程中,生成两种Ce的氧化物。在低的暴露量时,氧在Ce表面的吸附十分迅速,生成Ce2O3。同时,Ce2O03中的Ce3d和Ols谱峰随着氧气暴露量的增加向低结合能方向漂移。在高的暴露量下,氧在表面的吸附趋于缓慢,表面的Ce2O3被氧化成CeO2。通过对样品加热,能使得四价的Ce重新转变回三价。功函数随着O2的暴露量增加先下降后上升。
杨宏伟麻茂生刘先明季明荣朱警生吴建新
关键词:光电子能谱
SiO_2/SiO界面能级位移光电发射的研究
1994年
芯层光电子能谱(XPS)和价带光电子能谱(UPS)是研究不同半导体之间界面价带落差的有效手段,由SiO2/SiO界面处的芯层和价带光电子能谱,我们确定SiO2/SiO界面能级落差为2.0eV,覆盖引起能带位移为0.9eV,同时发现SiO和SiO2中的化学组分是较复杂的。
陈立春刘先明邓振波徐叙
关键词:光电子能谱半导体
多晶Fe_(60)Ni_(40)合金阳极钝化膜的XPS研究被引量:1
1995年
Anodic passive filins formed on Fe60Ni40 in H3BO3-Na2B4O7 buffer solution (pH=9.20) and in H3PO4-Na2HPO4 buffer solution (pH=7.41) have been investigated by XPS. By analysis of the chemical states of elements, components and structure of films,we have probed into the mechanism of the formation of the anodic passive films. In the H3BO3-Na2B4O7 buffer solution (pH=9.20), the formation of passive film was controlled by adsorption of OH-, and the growth of the passive film was a function of passivation potential and time in passive range. The duplex structure, the Fe 、Ni/FeOx、NiO/FeOOH、 Ni(OH)2 was confirmed by detailed peak analysis and profiling. In H3PO4-Na2HPO4 buffer solution (pH= 7.41), the formation of passive film was controlled by competitive react, that is, cations of anodic dissolution reacted with anions such as PO and OH- et al in solution to form compacted deposit films of the phosphate phase.
陆尔东徐彭寿季明荣麻茂生刘先明
关键词:光电子能谱
Nb表面的清洁处理被引量:1
1990年
本文介绍了用电子束加热(1500℃)及同时用氩离子溅射的方法进行金属Nb的表面清洁处理,处理结果良好.
胡兹甫吴建新刘先明季明荣
关键词:
纳米氧化钛环保功能涂料研制技术
王大志刘金华俞汉清刘先明张道元张万群
该项目研究开发成功一种应用于环境污染治理和自然生态环境保护的新型自洁、抗菌、抗霉、净化空气的功能性内外墙涂料的制备技术。该涂料用于室内:能够杀死吸附在其表面的细菌、病菌等,防止阴雨天气墙面和涂装面发霉,长期保持自身清洁,...
关键词:
关键词:纳米氧化钛环保功能涂料
共4页<1234>
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