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陈坚

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇硅化物
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土金属
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束混合
  • 1篇金属
  • 1篇金属硅化物
  • 1篇化物
  • 1篇基本参数法
  • 1篇合金
  • 1篇改性
  • 1篇改性研究
  • 1篇CE
  • 1篇SE

机构

  • 3篇北京大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院电...

作者

  • 3篇陈坚
  • 1篇高志强
  • 1篇杨锋
  • 1篇刘家瑞
  • 1篇林世昌
  • 1篇张燕生

传媒

  • 1篇分析化学
  • 1篇Journa...
  • 1篇第七届全国电...

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1989
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
同位素源激发X-射线荧光分析合金样品的吸收-增强效应的数学校正—基本参数法被引量:3
1992年
本文叙述了利用基本参数法校正源激发合金元素荧光分析的基体效应的基本原理、基体效应的修正方法。讨论了当激发源的能量比元素的吸收限大很多时,吸收系数的散射修正,利用^(241)Am源激发,测量了铅锡合金和高合金钢样品中各元素的荧光强度,并用自编数据处理程序计算了元素含量,结果与标准含量进行比较。计算含量误差一般小于10%。
高志强陈坚
关键词:合金
离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成
1989年
本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温度从LNT到300℃,剂量从5×X10^(14)到8.1×10^(16)Ar/cm^2.界面反应形成的硅化物为CeSi_2,其结构为体心正交结构.硅化物是分层生长的,厚度与注入剂量的平方根成线性关系,这说明界面反应是扩散控制的.与近贵金属/硅体系和难熔金属/硅体系相比较可以看出,稀土金属Ce/Si体系的相变过程与难熔金属/硅体系的相似;而混合的动力学行为与近贵金属/硅体系的相似.本文还讨论了化学驱动力和辐射增强扩散对混合的贡献.
杨熙宏毛思宁陈坚刘家瑞杨锋许天冰
关键词:离子束混合稀土金属硅化物SE
电子束诱导金属硅化物的研究——扫描电子束对材料改性研究之一
本文讨论了Nb—Si,Ta—Si以及ey Co—Si体系的扫描电子束瞬态诱导技术。在广泛试验的基础上对样品进行了表面电阻测量、X射线衍射分析和卢瑟福背散射分析。表明扫描电子束对诱导形成硅化物具有显著的优点,形成机制是“扩...
林世昌张燕生张国炳王阳元陈坚赵勇
文献传递
共1页<1>
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