陈勇跃
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：浙江师范大学更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- Ta_2O_5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究
- 2011年
- 用射频磁控溅射法制备了Ta2O5高介电薄膜,并对其进行了退火处理。用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究了Al/Ta2O5/p-Si结构的电学特性,观测到了C-V和(G/ω)-V的频散效应。认为串联电阻、Si/Ta2O5界面的界面态密度、边缘俘获是频散效应的主要原因,提取了界面态密度和边缘俘获电荷的大小。同时也研究了不同的退火温度对这些参数以及漏电流的影响,经600℃退火后,样品的电容最大,俘获电荷密度和漏电流最小,器件的电学性能最佳。
- 陈勇跃程佩红黄仕华
- 关键词：射频磁控溅射C-V特性退火高介电常数
- 磁控溅射Ta2O5k薄膜及其C-V与I-V特性研究
- 超大规模集成电路的迅速发展,导致器件的特征尺寸在不断缩短,当其特征尺寸缩小到65nm以下或更小时,传统的SiO2栅介质厚度需要低于1.4nm,如此薄的SiO2层使器件功耗大幅增加以及致使栅极电压控制沟道能力减小。保持等效...
- 陈勇跃
- 关键词：退火工艺MOS结构
- 文献传递
- 磁控溅射Ta2O5高k薄膜及其C-V与I-V特性研究
- 超大规模集成电路的迅速发展,导致器件的特征尺寸在不断缩短,当其特征尺寸缩小到65nm以下或更小时,传统的Si02栅介质厚度需要低于1.4nm,如此薄的Si02层使器件功耗大幅增加以及致使栅极电压控制沟道能力减小。保持等效...
- 陈勇跃
- 关键词：退火MOS结构
- 文献传递
