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闫方亮
作品数:
16
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张锦川
中国科学院半导体研究所
王利军
中国科学院半导体研究所
王占国
中国科学院半导体研究所
刘峰奇
中国科学院半导体研究所
刘俊岐
中国科学院半导体研究所
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16篇
中国科学院
作者
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刘峰奇
16篇
王占国
16篇
王利军
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闫方亮
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张锦川
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刘俊岐
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胡颖
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贾志伟
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谭松
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2014
1篇
2013
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一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构
本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构,其包括:衬底,其上制作有双沟道脊型波导结构,脊型区中设有激光器有源区;光栅层,制作在衬底上表面;电隔离层,制作在光栅层上表面,在光栅层与脊型区对应的上表面处断...
姚丹阳
张锦川
周予虹
贾志伟
闫方亮
王利军
刘俊岐
刘峰奇
王占国
文献传递
一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构
本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构,其包括:衬底,其上制作有双沟道脊型波导结构,脊型区中设有激光器有源区;光栅层,制作在衬底上表面;电隔离层,制作在光栅层上表面,在光栅层与脊型区对应的上表面处断...
姚丹阳
张锦川
周予虹
贾志伟
闫方亮
王利军
刘俊岐
刘峰奇
王占国
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一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件
本发明公开了一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件,包括:衬底;衬底上表面依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、盖层以及高掺层;阵列器件,其包含多个DFB激光器单元,每个DFB激光器单元具有脊型波导...
闫方亮
张锦川
姚丹阳
卓宁
王利军
刘峰奇
王占国
文献传递
一种低发散角的面发射量子级联激光器结构
本发明公开了一种低发散角的面发射量子级联激光器结构,其包括:衬底;下波导层,该下波导层生长在该衬底正面;下光限制层,该下光限制层生长在下波导层上;有源区,该有源区生长在下光限制层上;上光限制层,该上光限制层生长在该有源区...
张锦川
姚丹阳
闫方亮
刘峰奇
王利军
刘俊岐
王占国
文献传递
可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法
本发明公开了一种可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法。所述阵列器件包括:在衬底上依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、梯度掺杂盖层和高掺层;阵列器件,其包含多个DFB激光器,每个DFB激光...
闫方亮
张锦川
姚丹阳
谭松
王利军
刘峰奇
王占国
文献传递
一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法
本发明公开了一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及其制作方法。该结构包括:衬底、下波导层、下光限制层,该下光限制层生长在下波导层上、有源区、上光限制层、光栅层、上波导层,该上波导层生长在该光栅层上、多孔区、二氧化硅层、...
张锦川
刘峰奇
闫方亮
姚丹阳
王利军
刘俊岐
王占国
双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法
一种采用双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法,包括如下步骤:步骤1:在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层,获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片;步骤2:对外延芯片进行清...
姚丹阳
张锦川
闫方亮
刘俊岐
王利军
刘峰奇
王占国
一种双面散热量子级联激光器器件结构
本发明公开了一种双面散热量子级联激光器器件结构,包括:衬底;有源区,其均匀生长在衬底的上表面;上波导,其均匀生长在有源区的上表面;正面金属电极层,其均匀生长在上波导上表面;热沉,其与器件的上波导层通过所述正面金属电极层键...
闫方亮
张锦川
刘峰奇
卓宁
刘俊岐
王利军
王占国
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一种低发散角的面发射量子级联激光器结构
本发明公开了一种低发散角的面发射量子级联激光器结构,其包括:衬底;下波导层,该下波导层生长在该衬底正面;下光限制层,该下光限制层生长在下波导层上;有源区,该有源区生长在下光限制层上;上光限制层,该上光限制层生长在该有源区...
张锦川
姚丹阳
闫方亮
刘峰奇
王利军
刘俊岐
王占国
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一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件
本发明公开了一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件,包括:衬底;衬底上表面依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、盖层以及高掺层;阵列器件,其包含多个DFB激光器单元,每个DFB激光器单元具有脊型波导...
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