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刘峰奇

作品数:263 被引量:135H指数:7
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 163篇专利
  • 50篇期刊文章
  • 42篇会议论文
  • 4篇科技成果
  • 3篇学位论文

领域

  • 117篇电子电信
  • 22篇理学
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇机械工程
  • 4篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇矿业工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 161篇激光
  • 156篇激光器
  • 136篇量子级联
  • 111篇量子级联激光...
  • 62篇量子
  • 58篇波导
  • 34篇红外
  • 33篇量子点
  • 31篇半导体
  • 24篇欧姆接触
  • 21篇电极
  • 21篇光栅
  • 21篇衬底
  • 20篇分子束
  • 20篇分子束外延
  • 19篇太赫兹
  • 19篇赫兹
  • 19篇波长
  • 16篇红外探测
  • 14篇探测器

机构

  • 249篇中国科学院
  • 8篇中国科学院大...
  • 6篇河南师范大学
  • 4篇中国科学技术...
  • 3篇北京大学
  • 3篇南京大学
  • 3篇北京量子信息...
  • 2篇清华大学
  • 2篇中国高等科学...
  • 1篇北方交通大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇河南大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇中国船舶重工...

作者

  • 262篇刘峰奇
  • 166篇王占国
  • 143篇刘俊岐
  • 117篇王利军
  • 112篇张锦川
  • 70篇翟慎强
  • 61篇卓宁
  • 56篇刘舒曼
  • 35篇李路
  • 32篇梁平
  • 27篇胡颖
  • 16篇王涛
  • 16篇闫方亮
  • 15篇张伟
  • 15篇陆全勇
  • 15篇贾志伟
  • 13篇郭瑜
  • 13篇金鹏
  • 12篇陈涌海
  • 12篇刘万峰

传媒

  • 11篇Journa...
  • 5篇第十二届全国...
  • 4篇物理学报
  • 4篇光子学报
  • 3篇河南师范大学...
  • 3篇发光学报
  • 3篇第10届全国...
  • 3篇第13届全国...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇中国激光
  • 2篇中国稀土学报
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇太赫兹科学与...
  • 2篇第六届全国分...
  • 2篇第十七届全国...
  • 2篇2000年中...
  • 2篇第二届全国太...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇低温与超导

年份

  • 8篇2024
  • 16篇2023
  • 19篇2022
  • 12篇2021
  • 8篇2020
  • 9篇2019
  • 9篇2018
  • 12篇2017
  • 14篇2016
  • 13篇2015
  • 14篇2014
  • 7篇2013
  • 16篇2012
  • 11篇2011
  • 13篇2010
  • 3篇2009
  • 10篇2008
  • 9篇2007
  • 7篇2006
  • 11篇2005
263 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法
一种多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法其中包括:氢溴酸和硝酸及水的混合溶液,该混合溶液的重量份为:氢溴酸:1-2;硝酸:1-2;水:10-20。使用上述腐蚀液的方法包括如下步骤:步骤1:取一多孔磷化铟材料;...
车晓玲刘峰奇黄秀颀雷文刘俊岐路秀真
文献传递
基于量子级联激光器的二氧化碳同位素光声光谱检测装置
本实用新型公开了一种基于量子级联激光器的二氧化碳同位素光声光谱检测装置,包括量子级联激光器(1)、激光器驱动模块(2)、锁相放大模块(3)、麦克风(4)、数据采集处理模块(5)和光声池(6)。本实用新型将量子级联激光器结...
翟慎强刘峰奇王占国
文献传递
带间级联激光器阵列芯片及其制备方法
本发明的实施例提供了一种带间级联激光器阵列芯片,可应用于半导体激光器技术领域。该激光器阵列芯片包括:衬底;位于衬底上的N个激光器阵列单元,其中,N为大于等于3的正整数,至少两个相邻的激光器阵列单元的至少一部分以预定的间距...
孙瑞轩刘舒曼张锦川卓宁王利军刘俊岐翟慎强程凤敏刘峰奇
用于制备二维光子晶体的双光束全息干涉多次曝光方法
本发明公开了一种用于制备二维光子晶体的双光束全息干涉多次曝光方法,该方法包括:半导体衬底的清洗;旋涂光刻胶;光刻胶的前烘焙;在双光束全息系统中多次交叉曝光;显影;光刻胶的后烘焙;半导体衬底的各向同性腐蚀;除去光刻胶。本发...
陆全勇张伟王利军刘峰奇
文献传递
量子级联激光器及应用
量子级联激光器(Quantum Cascade Laser,简称QCL)是基于半导体耦合量子阱子带间电子跃迁的激光器,波长覆盖中远红外到THz,在环境、医学、缉毒等方面有广泛的应用,目前的研究重点在于大功率、高光束质量、...
刘峰奇
脊形波导量子级联激光器的制作方法
一种脊形波导量子级联激光器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:(A)在半导体衬底上生长量子级联结构,作为激光器的有源区和波导层;(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅,作为质子轰击掩蔽层;(C)涂光刻胶,刻蚀出条形...
路秀真常秀兰胡颖刘峰奇王占国
文献传递
光栅分布反馈量子级联激光器
本发明提供了一种光栅分布反馈量子级联激光器。该光栅分布式量子级联激光器包括:衬底;以及在该衬底上依次生长的下波导层,下光限制层,有源区,上光限制层,等效相移光栅,上波导层;其中,在所述上光限制层的上表面具有等效相移光栅,...
张锦川刘峰奇卓宁王利军刘俊岐王占国
文献传递
半导体量子级联激光器材料及其器件应用
本报告共分四部分,首先分别对基于InGaAs/InAIAs/lnP、AlGaAs/GaAs等材料体系的半导体子带跃迁量子级联激光器(QCLs)和基于InAs/AISb/GalnSb的锑化物Ⅱ型超晶格能带结构的带间跃迁激光...
王占国刘峰奇
关键词:功能分析材料选择光电器件
文献传递
GaSb(100)同质外延表面形貌优化
在GaSb衬底的6.1(A)Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体红外光电子材料外延生长过程中,GaSb缓冲层的表面平整度是影响后续生长量子阱和超晶格质量的重要因素.研究了GaSb(100)衬底上使用分子束外延生长获得最佳GaSb缓冲层表...
于天刘舒曼徐波刘峰奇王占国
关键词:表面形貌
1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究
2000年
介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88%,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出。
钱家骏叶小玲徐波韩勤陈涌海丁鼎梁基本刘峰奇张金福张秀兰王占国
关键词:INAS/GAAS量子点激光器电致发光谱光学特性
共27页<12345678910>
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