王玉霞
- 作品数：20 被引量：80H指数：4
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 纳米AgI-多孔SiO_2复合材料的制备及其性能研究被引量：3
- 2003年
- 用KI溶液浸泡溶胶 -凝胶法制备的掺Ag+ 的SiO2 凝胶 ,经 5 0 0℃热处理后获得分散均匀的纳米AgI -SiO2 复合体系。用X射线衍射、扫描电镜、紫外 -可见反射光谱以及复阻抗谱等分析手段研究了其结构、形貌、光谱特性和离子电导性质。结果表明 ,复合体系中AgI为β,γ相混晶结构 ,其粒径在 2 0～ 40nm之间。AgI -SiO2 复合体系的光谱吸收边与纯AgI及纯SiO2 不同。复合体系的室温电导率比纯AgI提高约 1～ 2个数量级 ,同时AgI的α β相变点滞后约 13℃。用界面效应和变形极化效应解释了体系电导率的提高 。
- 王玉霞何海平陈宏伟
- 关键词：多孔二氧化硅相变滞后
- 脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光被引量：4
- 2001年
- 用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度退火样品中 6 H- Si C和 3C- Si C两种晶相共存 ) .以 370 nm波长光激发样品薄膜表面 ,显示较强的 44 7nm蓝光发射 。
- 王玉霞曹颖何海平汤洪高王连卫黄继颇林成鲁
- 关键词：晶化温度准分子激光光致发光
- 高频溅射碳化硅薄膜的退火效应被引量：6
- 1996年
- 本文采用高频溅射方法，在抛光Ｓｉ（１１１）衬底上制备出碳化硅薄膜，研究了薄膜的高温真空退火效应．实验表明，退火后的薄膜具有较为理想的结晶取向和发光性质．
- 陈伟王玉霞蔡维理汤洪高石磊卢江胡克良周贵恩赵亚盾钱逸泰
- 关键词：碳化硅薄膜退火效应
- 基于CSR活动的企业社会声誉演化与评估分析
- 在新的竞争形势下，企业对于被看作是具有可持续性竞争优势的无形资产一企业声誉愈加重视，对于可以正向影响企业声誉的企业社会责任(CSR)也愈加关注。为了更好地理解企业如何通过连续的CSR活动提升企业声誉，本文应用记忆和感知理...
- 王玉霞
- 关键词：利益相关者数值仿真
- 文献传递
- 有序介孔SBA-15紫外光致发光机理研究
- 2010年
- 用水热法制备出了有序介孔二氧化硅SBA-15,分别在室温下进行了光致发光(PL)和电子顺磁共振(EPR)分析.室温PL谱分析发现了位于3.8 eV的紫外光致发光峰,进一步研究发现,样品在空气中静置十天后,3.8 eV的发光峰强度会增强.通过样品在不同温度下的退火试验分析并结合EPR谱,对这一发光的机理给予了解析,认为可能是介孔二氧化硅SBA-15中的ODC(Ⅱ)(≡Si…Si≡)缺陷与介孔中吸附的水分子反应形成的硅醇基(≡Si—OH)产生的发光.
- 徐海涛王玉霞赵磊
- 关键词：SBA-15间隙水
- 有序介孔SBA-15复合稀土Tb络合物的制备和发光特性被引量：3
- 2012年
- 以三嵌段化合物P123为模板剂、正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,利用水热法制备出有序介孔二氧化硅SBA-15,随后利用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)、乙酰丙酮(ACAC)分步对该有序介孔材料进行改性,再将其置于乙醇溶液中,加入三价稀土Tb的盐溶液进行络合,制备出具有强发光性能的有序介孔纳米复合稀土材料。采用XRD、FTIR和荧光光谱等分析方法对复合材料的结构与性能进行了研究。发现有序介孔材料、第二配体(邻菲口罗啉Phen)对稀土络合物发光强度有重要影响,并对其机理进行了解释。另外,发现其热稳定性也有所提高。
- 孔维权王玉霞许邹明戴鹏
- 关键词：光致发光
- 在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜退火法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜
- 2000年
- 本文报道在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶甩膜并经 950℃真空 (10 - 3Pa)退火处理的方法 ,制备出了晶态SiC薄膜。我们用FTIR ,XRD ,TEM ,Raman ,XPS等方法研究SiC薄膜的晶体结构 ,微结构 ,组成以及各元素的化学态等性质。结果表明制得的是沿 (0 0 0 1)面高度择优取向的晶态 6H SiC薄膜 ,SiC(0 0 0 1) / /Si(111)外延生长。膜中SiC的Si/C比约为 1,表层有少许污染C(CH和CO)和少量Si2 O3,CO态氧和吸附氧。膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长 ,其最大尺寸约 150nm。膜厚约为 0 .3μm。从对比实验可知 ,在退火时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量。
- 王玉霞郭震何海平曹颖汤洪高
- 关键词：凝胶法晶体结构
- 高T_c超导氧化物的催化氧化活性
- 1990年
- 自从发现高T_c超导氧化物以来,有关它的电子结构和离子价态的研究就受到广泛的重视。通过理论计算和x射线光电子能谱(XPS)、高能电子能量损失谱(EELS)等实验研究,人们确信迄今发现的各种高T_c超导氧化物,无论是Y系、Bi系、La系或Tl系等。
- 侯碧辉俞寿明金大胜林培琰陈兆甲王克勤李如康许勤论王玉霞
- 关键词：高TC超导体催化活性氧化活性
- KAg_4I_5-AgI复合体系的电导率研究被引量：1
- 2011年
- 采用固相反应法将市购的AgI和KI按4.1:1的摩尔组分配比,在避光干燥的条件下混合加热,制备出了KAg4I5(10%AgI)复合体系.用X射线衍射谱、扫描电子显微镜、复阻抗谱、差示扫描量热等分析手段,对复合体系的结构、形貌、离子导电特性及相变温度进行了研究.结果发现,两相均为快离子导体的材料复合后,其复合体系的离子电导率比各自为纯相时都高,并且升降温-电导率曲线为迟滞回线,AgI的升降温相变温度分别滞后5和10℃.用界面间相互作用、空间电荷模型及Gouy-Chapman模型、界面应力相等对此复合体系电导率提高及相变温度改变机理给予了解析.
- 高韶华王玉霞王宏伟袁帅
- 关键词：离子电导率空间电荷区相变温度
- 在Si(111)上脉冲ArF准分子激光淀积晶态定向α-SiC薄膜被引量：20
- 2000年
- 报道用脉冲 Ar F激光烧蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si( 1 1 1 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,再经92 0℃真空 ( 1 0 - 3Pa)退火处理 ,制备出晶态α- Si C薄膜 .用 FTIR、XPS、SEM、XRD、TEM、PL谱等分析方法 ,研究了薄膜的表面形态、晶体结构、微结构、组成、化学态和光致发光等 .结果表明 ,在 92 0℃较低温度下 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,生成了晶态α- Si C( 0 0 0 1 )∥ Si( 1 1 1 )高度定向外延膜 ,薄膜内 C/ Si比约为 1 .0 1 .表面有污染 C及少量氧化态 Si和 C.室温下用 2 80 nm光激发薄膜 ,在 341 nm处有较强发光峰 ,半峰宽 45nm,显示出较好的短波发光性质 .
- 王玉霞温军郭震汤洪高黄继颇王连卫林成鲁
- 关键词：准分子激光淀积碳化硅
