曹颖
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学化学与材料科学学院材料科学与工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜退火法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜
- 2000年
- 本文报道在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶甩膜并经 950℃真空 (10 - 3Pa)退火处理的方法 ,制备出了晶态SiC薄膜。我们用FTIR ,XRD ,TEM ,Raman ,XPS等方法研究SiC薄膜的晶体结构 ,微结构 ,组成以及各元素的化学态等性质。结果表明制得的是沿 (0 0 0 1)面高度择优取向的晶态 6H SiC薄膜 ,SiC(0 0 0 1) / /Si(111)外延生长。膜中SiC的Si/C比约为 1,表层有少许污染C(CH和CO)和少量Si2 O3,CO态氧和吸附氧。膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长 ,其最大尺寸约 150nm。膜厚约为 0 .3μm。从对比实验可知 ,在退火时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量。
- 王玉霞郭震何海平曹颖汤洪高
- 关键词：凝胶法晶体结构
- 脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光被引量：4
- 2001年
- 用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度退火样品中 6 H- Si C和 3C- Si C两种晶相共存 ) .以 370 nm波长光激发样品薄膜表面 ,显示较强的 44 7nm蓝光发射 。
- 王玉霞曹颖何海平汤洪高王连卫黄继颇林成鲁
- 关键词：晶化温度准分子激光光致发光
- 在Si(111)上用有机溶胶凝胶甩膜热解法制备(0001)定向的6H-SiC薄膜被引量：5
- 2001年
- 在Si(111)衬底上用聚苯乙烯溶胶 凝胶甩膜并经 95 0℃真空 (10 -3 Pa)热解处理法 ,制备出晶态SiC薄膜 .用FTIR ,XRD ,TEM ,RamanXPS等方法研究了SiC薄膜的晶体结构、微结构、组成以及各元素的化学态等性质 .结果表明制得的是沿 (0 0 0 1)高度择优取向的晶态 6H SiC薄膜 .膜中SiC晶粒沿c轴柱状生长 ,其最大尺寸约 15 0nm ,膜厚约为 0 3μm ,SiC中的Si/C比约为 1.表层有少许污染C(CH和CO)和少量O(Si2 O3,CO态氧和吸附氧 ) .从对比实验可知 ,在热解时将甩膜的Si片与另一空白Si片面面相贴可明显增加SiC的生成量 .
- 王玉霞郭震何海平曹颖汤洪高
- 关键词：碳化硅热解法
