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王庆学

作品数:21 被引量:52H指数:5
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:创新研究群体科学基金国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 5篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇HGCDTE
  • 6篇液相外延
  • 4篇探测器
  • 4篇HG
  • 3篇光谱
  • 3篇红外
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 2篇钝化
  • 2篇摇摆曲线
  • 2篇液相
  • 2篇应力
  • 2篇碲镉汞
  • 2篇离子注入
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格失配
  • 2篇计算机
  • 2篇计算机模拟
  • 2篇光伏探测器
  • 2篇光学

机构

  • 21篇中国科学院

作者

  • 21篇王庆学
  • 14篇何力
  • 13篇杨建荣
  • 12篇魏彦锋
  • 6篇方维政
  • 4篇李言谨
  • 4篇孙涛
  • 3篇陈兴国
  • 3篇胡晓宁
  • 3篇陈新强
  • 2篇陈文桥
  • 2篇龚海梅
  • 2篇梁晋穗
  • 2篇游达
  • 1篇朱建妹
  • 1篇汤英文
  • 1篇王晨飞
  • 1篇巫艳
  • 1篇王元樟

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇物理学报
  • 2篇光学学报
  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇2004年全...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇红外
  • 1篇光子学报
  • 1篇2003年全...
  • 1篇上海市有色金...
  • 1篇首届全国先进...

年份

  • 1篇2006
  • 10篇2005
  • 8篇2004
  • 2篇2003
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Hg_(1-x)Cd_xTe分子束外延薄膜晶格参数与组分关系的研究被引量:5
2005年
高分辨率x射线衍射技术被应用于Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数的测量及其晶格应变状态的研究,研究发现Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜内既存在正应变也存在剪切应变.通过应用晶体弹性理论,对Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜的应变状态进行了定量的分析与计算,获得了Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜在完全弛豫状态下的晶格参数,从而得到了Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数与组分的关系,该关系符合Vegard’s定律,而不是早期研究所给出的Higgins公式.研究还发现,根据对称衍射测量所得到的(224)晶面间距,可直接计算出Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数,并用Vegard’s定律确定组分的方法,可作为估算Hg1-xCdxTe分子束外延材料组分的常规技术,其组分的测量误差在0·01左右.
王庆学杨建荣孙涛魏彦锋方维政何力
关键词:HG1-XCDXTEX射线衍射技术分子束外延弛豫
X射线双轴衍射摇摆曲线的计算机模拟
本文运用X射线衍射的动力学理论模拟了完整Si单晶,近完整的InP晶体以及碲镉汞外延材料的X射线双轴衍射摇摆曲线.模拟结果表明Si和InP单晶的双轴摇摆曲线均能很好的理论拟合,而对于非完整单晶碲镉汞外延材料,运用所建立的模...
王庆学魏彦锋杨建荣何力
关键词:计算机模拟SI单晶
文献传递
X射线三轴衍射摇摆曲线的计算机模拟
本文运用X射线衍射的动力学理论模拟了近完整的InP晶体以及碲镉汞外延材料的X射线三轴衍射摇摆曲线.模拟结果表明InP单晶的三轴摇摆曲线能很好的理论拟合,而对于非完整单晶碲镉汞外延材料,运用所建立的模型也能够很好的理论模拟...
王庆学魏彦锋杨建荣何力
关键词:计算机模拟
文献传递
HgCdTe外延薄膜临界厚度的理论分析被引量:5
2005年
基于在任意坐标系内应力与应变的关系、晶体弹性理论和位错滑移理论,研究了生长方向分别为[111]和[211]晶向,HgCdTe外延薄膜临界厚度与CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的关系.结果表明,HgCdTe外延薄膜临界厚度依赖于CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的变化.对于厚度为10μm,生长方向为[111]晶向的液相外延HgCdTe薄膜,要确保HgCdTe/CdZnTe无界面失配位错的前提条件,是CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的波动必须分别在±0.225‰和±5‰范围内;而对于相同厚度,生长方向为[211]晶向的分子束外延HgCdTe薄膜,CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的波动范围分别为±0.2‰和±4‰.
王庆学杨建荣魏彦锋
关键词:失配位错
HgCdTe/CdZnTe液相外延材料的倒易空间图研究被引量:2
2005年
采用高分辨X射线衍射的倒易空间图研究了HgCdTe/CdZnTe(-0.044%晶格失配)液相外延材料界面处晶格结构,结果显示,通常使用的10μm厚的碲镉汞液相外延材料的晶格相对碲锌镉衬底已处于完全弛豫状态,并且外延层和衬底的晶向发生了0.01°的偏离,但是,由于外延层中存在着组分梯度以及衬底和外延层热膨胀系数存在着差异,界面处外延层中仍存在着应力和应变。对称衍射和非对称衍射的实验结果均显示外延材料的倒易空间图沿垂直于散射矢量方向有所扩展,这一结果表明晶格失配的弛豫使得界面处外延层的晶体结构呈镶嵌结构。实验也发现,外延层的非对称衍射倒易空间图的扩展偏离散射矢量方向,根据弛豫线模型,这也是由于界面处外延层存在组分梯度和应变梯度所造成的。
王庆学魏彦锋方维政杨建荣何力
高Al含量AlGaN多层外延材料的应变与位错密度研究
文中利用X射线三轴衍射测试手段对高Al(x≥0.45)含量p-i-n结构的AlxGa1-xN外延材料进行测试,并结合倒易空间图(RSM)和PV函数法对AlxGa1-xN外延材料进行评价.首先通过对RSM的定性分析,给出多...
游达王庆学汤英文龚海梅
关键词:ALGAN
文献传递
HgCdTe液相外延薄膜红外透射谱分析
Hg<,1-x>Cd<,x>Te薄膜是研制红外探测器的重要材料.液相外延方法生长的Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料通常存在纵向的组分不均匀性.本文用红外透射谱和均匀腐蚀的方法,测量了同一液相外延薄膜在不同层厚时的红外...
魏彦锋王庆学杨建荣何力
关键词:碲镉汞液相外延红外光谱
文献传递
HgCdTe组分不均性对X射线反射率的影响
2005年
本征反射率是X射线衍射摇摆曲线计算机模拟的基础。用X射线动力学理论研究了组分不均匀对HgCdTe材料X射线反射率的影响。研究结果表明,横向组分不均匀性直接影响摇摆曲线的峰形,峰值反射率和半峰全宽随组分不均匀的增大而分别减小和增大,且与组分不均匀性的均方差近似成指数关系,但其积分反射率却基本保持不变;采用多层模型对具有线性组分梯度的HgCdTe半导体材料反射率的计算结果则表明,纵向组分梯度除导致反射率峰值强度下降外,还会引起摇摆曲线产生单边干涉效应,摇摆曲线的半峰全宽和干涉峰间距随组分梯度的增加而增大,而干涉峰间距与干涉周期之间的关系则随组分梯度的增加其偏离线性的程度增大。
王庆学杨建荣魏彦锋方维政陈新强何力
关键词:光学材料HGCDTE
异质结构的应变和应力分布模型研究被引量:13
2005年
基于组合杆的平衡条件,分别建立了晶格失配、热失配以及由两者共同导致的异质结构应变和应力分布模型,并获得了异质结构的晶格失配应变、热失配应变、弯曲应变以及曲率半径的分析解.同时,运用所建的模型,计算了HgCdTe/CdZnTe异质结构的应变和应力分布.结果表明:应力最大值均在界面处,而中性面仅是材料厚度和弹性参数的函数,与晶格失配、晶格弛豫、热失配等参数无关,且该异质结构的曲率半径是衬底厚度的函数,随衬底厚度的减小而减小,而要保证HgCdTe/CdZnTe器件在液氮温度下不发生断裂,衬底的厚度必须大于临界值.
王庆学
关键词:晶格失配曲率半径应力分布厚度中性面函数
Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的钝化研究被引量:1
2004年
用倒易二维点阵对HgCdTe光伏探测器钝化及其热处理行为进行了研究,发现测射沉积的钝化膜会引起HgCdTe的晶面弯曲,严重的会出现晶面扭曲和mosaic结构,而钝化后的热处理能改善MCT晶体的完整性.在不同的钝化介质层钝化MCT的研究中发现,ZnS钝化层在高温下并不稳定,而CdTe钝化层却能保持较高的耐温性能.
孙涛李言谨王庆学陈兴国胡晓宁何力
关键词:光伏探测器MCT晶面点阵E光
共3页<123>
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