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孙俊峰

作品数：4 被引量：4H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇MEMS
  • 2篇开关
  • 2篇MEMS开关
  • 1篇带通
  • 1篇带通滤波
  • 1篇带通滤波器
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电路
  • 1篇调谐
  • 1篇调谐电路
  • 1篇升压
  • 1篇数控衰减器
  • 1篇衰减器
  • 1篇铁氧体
  • 1篇线性度
  • 1篇滤波器
  • 1篇晶圆
  • 1篇晶圆级封装
  • 1篇隔离器
  • 1篇封装

机构

  • 4篇南京电子器件...
  • 2篇东南大学
  • 1篇江苏联合职业...

作者

  • 4篇孙俊峰
  • 3篇郁元卫
  • 3篇朱健
  • 2篇李智群
  • 1篇章丽
  • 1篇钱可强
  • 1篇李伟
  • 1篇姜理利

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种Ku波段硅基MEMS隔离器设计被引量：2
2019年
设计了一种Ku波段MEMS隔离器。该隔离器的微波铁氧体嵌入放置在MEMS工艺制作的硅腔体内,内导体和负载电阻以及接地孔采用MEMS工艺制作在高阻硅片上,最后利用集成封装技术实现铁氧体、磁钢、硅芯片等单元的有机结合,形成整体结构。该结构与传统微带隔离器比较,优点是图形化技术成熟可靠、铁氧体材料选择更加灵活、薄膜负载耐功率性能明显提高。测试结果显示,15~17 GHz范围内插损小于0.55 dB,驻波小于1.26,隔离度大于21 dB,耐功率可达50 W,整个隔离器尺寸为5.0 mm×5.0 mm×3.7 mm。
陶子文孙俊峰朱健郁元卫
关键词：铁氧体KU波段
一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器
2023年
设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触点,电阻网络采用T型结构,整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示,DC~15 GHz频段内实现了8个衰减态,衰减器插入损耗小于1.7 dB,回波损耗小于-15 dB,衰减平坦度小于±5%,功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。
孙俊峰姜理利刘水平郁元卫朱健黎明陈章余
关键词：数控衰减器晶圆级封装MEMS开关
一种Gm-C复数带通滤波器调谐电路的设计被引量：2
2011年
采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种Nauta跨导的Gm_C复数带通滤波器调谐电路,可实现滤波器的频率和Q值同时调谐.该调谐电路的频率调谐环路使用数字鉴频器和改进结构的数模转换器,Q值调谐电路采用能够在高输出电压下准确镜像电流的电流镜,整个调谐电路具备有利于改善滤波器线性度的高调谐电压输出能力.测试结果表明,1.8 V电源电压下,调谐电路输出的调谐电压最高可达到1.71 V.调谐后滤波器的中心频率和带宽偏差降到小于3%.
孙俊峰李智群章丽李伟
关键词：GM-C滤波器线性度
一种MEMS开关驱动电路的设计
2017年
静电驱动MEMS开关可靠工作需要较高的驱动电压,大多数射频前端系统很难直接提供,因此需要一种实现电压转换和控制的专用芯片,以满足MEMS开关的实用化需要。基于200 V SOI CMOS工艺设计的高升压倍数MEMS开关驱动电路,采用低击穿电压的Cockcroft-Walton电荷泵结构,结合特有的Trench工艺使电路的性能大大提高。仿真结果显示驱动电路在5 V电源电压、0.2 pF电容和1 GΩ电阻并联负载下,输出电压达到82.7 V,满足大多数MEMS开关对高驱动电压的需要。
孙俊峰朱健李智群郁元卫钱可强
关键词：电荷泵MEMS开关SOI
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