郁元卫
- 作品数：38 被引量：72H指数：6
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国防科技重点实验室基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 开关线型四位数字MEMS移相器被引量：3
- 2005年
- 介绍了一种基于射频微机械串联开关设计的开关线型四位数字微机电系统(Micro-electromechanical Systems以下简称MEMS)移相器.该移相器集成了16个RF MEMS开关,使用了13组四分之一波长传输线和MIM接地耦合电容,有效地使开关的驱动信号和微波信号隔离,串联容性开关设计有效地降低了开关的启动电压.使用低温表面微机械工艺在360 μm厚的高阻硅衬底上制作移相器,芯片尺寸4.8 mm×7.8 mm.移相器样品在片测试结果表明,频点10.1 GHz,22.5°相移位的相移误差为±0.4°,插损2.8 dB;45°位的相移误差为±1.1°,插损2.0 dB;在X波段,对16个相移态的测试结果表明,移相器的插入损耗小于4.0 dB,驻波比小于2.4,开关驱动电压为17～20 V.
- 朱健周百令林金庭郁元卫陆乐
- 关键词：射频微机电系统开关
- 双膜桥微波MEMS开关被引量：9
- 2003年
- 介绍了一种双膜桥微波MEMS开关 ,给出了开关的设计与优化方法 ,建立了开关的仿真模型 ,使用硅表面微机械工艺制造了双膜桥开关样品 ,其主要结构为硅衬底上制作CPW金属传输线电极和介质层 ,然后制作具有微电感结构的金属膜桥 ,提高了开关隔离度。利用HFSS软件仿真的结果表明 ,该开关在微波低频段 (3～ 6GHz)有着很好的隔离性能。研制的开关样品在片测试的电性能指标为 :插损小于 0 .3dB ,隔离度大于 4 0dB ,驱动电压小于 2 4V。
- 朱健郁元卫陆乐贾世星张龙
- 关键词：微机电系统射频开关高隔离度开关隔离度
- 基于基片集成波导的硅微机械滤波器
- 2010年
- 郁元卫贾世星朱健
- 关键词：基片集成波导波导结构微波电路毫米波电路功率特性
- MEMS微波谐振器被引量：1
- 2005年
- 朱健郁元卫张勇贾世星
- 关键词：微波谐振器MEMS单片集成硅衬底波导
- 宽带直接接触式RF MEMS开关被引量：4
- 2008年
- 本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关,包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区,兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关,使用低温表面微机械工艺,制作在400μm厚的高阻硅衬底上,芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明,在6GHz频点,开关本征损耗0.1dB,隔离度24.8dB,等效开关接触电阻0.6Ω,关态电容6.4fF,开关时间47μs,开关驱动电压为20-60V。
- 郁元卫贾世星朱健陈辰
- 关键词：直接接触式宽带
- 毫米波RF-MEMS单片集成0/π移相器被引量：3
- 2009年
- 介绍了一种毫米波RF-MEMS单片集成反射型0/π移相器的设计、制造和测试。实测性能与设计结果吻合较好,达到的电性能指标为:在35GHz-38GHz频率范围内,电压驻波比小于1.8,参考态插入损耗为3.5±1.0dB,相移态插入损耗为2.0±0.6dB,相移为180°±6°。芯片尺寸:2.6mm×2.1mm×0.2mm。满足了插损低并具有电路拓扑的要求。
- 戴永胜张宇峰李宝山朱健郁元卫
- 关键词：毫米波射频微电子机械系统单片集成移相器
- Ka波段Si基微机械宽带垂直过渡被引量：2
- 2008年
- 介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的带宽和平坦的幅度响应。运用三维电磁场仿真软件对该垂直过渡结构进行了建模,并作了优化设计与仿真计算,运用微机械金属化通孔工艺和多层键合工艺研制了样品。在片测试结果表明该样品性能良好,在26.5～34.0GHz该过渡插入损耗小于3.5dB,带内起伏小于2dB。
- 戴新峰郁元卫贾世星朱健於晓峰丁玉宁
- 关键词：KA波段三维集成电路热压键合
- 硅基异构三维集成技术研究进展被引量：9
- 2021年
- 为满足电子系统小型化高密度集成、多功能高性能集成、小体积低成本集成的需求,硅基异构集成和三维集成成为下一代集成电路的使能技术,成为当前和今后的研究热点。硅基三维集成微系统可集成化合物半导体、CMOS、MEMS等芯片,充分发挥材料、器件和结构的优势,使传统的高性能射频组件电路进入到射频前端芯片化,可集成不同节点的CPU、GPU、FPGA等芯片,实现信号处理产品性价比的最优化。梳理了业内射频和信号处理微系统硅基异构集成的主要研究历程和最新进展,分析了基于小芯片集成的接口标准技术,展望了硅基三维异构集成技术的发展趋势。
- 郁元卫
- 关键词：微系统异构集成射频
- 射频MEMS可重构单片电路研究
- 多模多频无线通信、智能于机、雷达、卫星通信等对频率捷变高性能射频集成芯片的需求,使基于射频MEMS技术的可重构网络技术得到广泛的重视。国际上基于射频MEMS技术的可重构滤波器、可重构匹配网络、电扫描天线技术己获实现,部分...
- 郁元卫
- 文献传递
- 多种添加剂及电流密度对高径深TSV电镀影响研究被引量：4
- 2021年
- 硅通孔(TSV)填充工艺是三维集成关键技术之一。通过分析对比TSV电镀填充药水光亮剂、整平剂的浓度以及电流密度等对于TSV电镀填充效果的影响,发现在光亮剂浓度10 ml/L、整平剂浓度30 ml/L条件下,填充效果呈底部生长且形貌较好;同时发现电流密度较低时,呈等壁生长,而电流密度较高时,底部产生孔洞。
- 李杰王雷姜理利黄旼郁元卫张洪泽陈聪
- 关键词：添加剂电流密度
