李志华 作品数:153 被引量:15 H指数:3 供职机构: 中国科学院微电子研究所 更多>> 发文基金: 国家科技重大专项 国家自然科学基金 北京市自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 自动化与计算机技术 文化科学 化学工程 更多>>
一种电光调制器 本发明公开了一种电光调制器,涉及光子器件技术领域,以通过设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部将光信号局域至石墨烯层内,并增强光信号与石墨烯层之间的相互作用,提高电光调制器在工作时的电光调制响应度,提升电光调制器的工作性能。所述... 杨妍 唐波 孙富君 张鹏 刘若男 李彬 欧祥鹏 谢玲 李志华一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法 本发明涉及光电探测器技术领域,公开了一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法,该方法包括:在半导体衬底上湿法腐蚀出深槽斜面,形成高台阶图形衬底;在形成的高台阶图形衬底上进行探测器材料结构的外延生长;在完成外延生长的... 申华军 李志华 杨成樾 万里兮 李宝霞文献传递 一种硅波导及其制备方法 本发明涉及一种硅波导及其制备方法。一种硅波导的制备方法,包括:在半导体基底上形成矩形硅波导;通入氢气气流,对所述矩形硅波导进行退火处理,使表面光滑,退火温度为975℃~1025℃。本发明方法利用高温退火工艺将矩形光波导修... 唐波 张鹏 杨妍 李志华 刘若男 李彬 黄凯文献传递 硅基狭缝脊形波导的几何尺寸对光场分布的影响 2018年 文中采用时域有限差分模拟的方法,研究了狭缝脊形波导中狭缝的宽度、狭缝两侧波导的宽度以及狭缝的深度对狭缝脊形波导光场分布的影响。在狭缝脊型波导中,随着狭缝宽度的增加,其归一化光功率先增大后减小;同样,光功率随着狭缝两侧波导的增加也呈现出先增加后减小的现象;随着狭缝刻蚀深度的增加,归一化光功率是逐渐增大的。通过比较狭缝中归一化光功率的值,将其影响量化,进一步找到最合适狭缝脊形波导的几何尺寸。实验结果表明,当狭缝的宽度为40 nm,两侧波导的宽度为220 nm,狭缝刻蚀深度为220 nm时,归一化光功率达到最大值为13.54%。该仿真结果有助于优化狭缝脊形波导与调制器制造和集成。 刘若男 李志华 李彬 唐波 张鹏 余金中 余金中关键词:脊形波导 光场分布 狭缝 时域有限差分 CMOS工艺兼容的硅光子工艺与材料探讨(invited) 李志华 张鹏 李彬 唐波 赵超一种波导结构的参数优化方法 本公开提供一种波导结构的参数优化方法,方法包括:通过获取目标光刻工艺的特征尺寸;根据预设优化算法对波导结构的宽度渐变结构进行参数优化,得到优化结果,所述优化结果包括预设数量的优化点;根据所述特征尺寸调整所述预设数量,继续... 杨妍 孙富君 唐波 张鹏 谢玲 李志华光子集成用的新型波导材料Si_3N_4 被引量:3 2019年 光子集成是当今科技界的热门课题,提高集成度最为重要。SOI(Siliconon-insulator)等材料在光子集成中显现出重要的地位,然而其损耗偏大,对集成度产生影响。因此,寻求新的波导材料极为重要。在这种要求下,Si_3N_4应运而生,成为人们研究的热点。Si_3N_4结构稳定,禁带宽度宽,Eg~5.1 eV,对紫外到红外整个波段是透明的。在这一光波段中的损耗低达0.045±0.04 d B/m,比SOI波导低3—4个数量级。Si_3N_4在1550 nm处的折射率~2,能够同Si和SiO2一起构成高性能的介质波导结构,因此是很好的波导材料。Si_3N_4的热膨胀系数~2.35×10-6/℃,比Si小许多,在Si上生长Si_3N_4会产生较大的拉应力,因此容易产生龟裂,生长大面积薄膜或者较厚的Si_3N_4都十分困难。采用LPCVD或PECVD方法可以在低折射率的SiO2上淀积Si_3N_4薄膜,形成Si_3N_4—SiO2波导结构,减小了波导尺寸,提高了集成度。文章综述新型波导材料Si_3N_4的研究进展,并对其应用进行描述与展望。 刘耀东 李志华 余金中关键词:SI3N4 SOI 波导 损耗 光子集成 一种光波导及其制作方法 本发明涉及半导体工艺技术领域,尤其涉及一种光波导及其制作方法,该方法包括:提供一衬底;在衬底上表面形成第一下包层;在衬底下表面形成第二下包层;在第一下包层上表面形成波导结构;在第一下包层上表面和波导结构上形成第一上包层;... 唐波 张鹏 李志华 李彬 刘若男文献传递 一种光波导及其制造方法 本发明公开了一种光波导的制造方法,包括:(a)在半导体衬底上形成包覆层;(b)刻蚀所述包覆层,形成芯层槽;(c)依次沉积芯层和牺牲层;(d)进行表面平坦化;(e)去除牺牲层;(f)重复步骤(c)至(e),直至芯层槽被芯层... 许庆 周章渝 李志华文献传递 一种氮化硅光波导及其制造方法 本申请公开了一种氮化硅光波导及其制造方法。该方法在第二条形沟槽内填充氮化硅,从而形成氮化硅光波导。其中,在第二条形沟槽内填充氮化硅时,氮化硅会沿着沟槽底部以及沟槽侧壁向不同方向生长,该向不同方向生长形成的氮化硅之间的应力... 周章渝 张青竹 闫江 许庆 李志华 李彬 余金中 唐波 王文武 谢玲 张鹏