您的位置: 专家智库 > >

陈启秀

作品数:24 被引量:39H指数:4
供职机构:浙江大学信息与电子工程学系功率器件研究所更多>>
发文基金:国家大科学工程国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信天文地球电气工程更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 3篇天文地球
  • 2篇电气工程

主题

  • 9篇晶体管
  • 5篇双极晶体管
  • 5篇功率器件
  • 4篇卫星激光测距
  • 4篇激光
  • 4篇激光测距
  • 3篇半导体
  • 3篇IGBT
  • 2篇单晶
  • 2篇点扩展函数
  • 2篇电子镇流器
  • 2篇镇流器
  • 2篇卫星
  • 2篇扩散法
  • 2篇功率晶体管
  • 2篇硅单晶
  • 2篇硅片
  • 2篇半导体器件
  • 2篇薄片
  • 2篇电子镇流

机构

  • 22篇浙江大学
  • 3篇中国科学院国...
  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇杭州大学
  • 1篇浙江工业大学

作者

  • 24篇陈启秀
  • 7篇陈去非
  • 5篇陈福元
  • 5篇章婉珍
  • 4篇陈忠景
  • 4篇刘海涛
  • 3篇杨福民
  • 3篇李贡社
  • 2篇李如春
  • 2篇郑海东
  • 2篇杨福民
  • 2篇陈珂
  • 1篇林玉瓶
  • 1篇刘海涛
  • 1篇余滨
  • 1篇吴文
  • 1篇黄树新

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇光子学报
  • 2篇光电工程
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇微电子学
  • 1篇科技通报
  • 1篇半导体情报
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇能源工程
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇微处理机
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 3篇2001
  • 3篇2000
  • 4篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 4篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1990
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种具有自保护功能的MOS型电子镇流器
1992年
电子镇流器和工频电感镇流器相比,具有节电显著、发光效率高、无频闪、无噪声、重量轻、体积小等优点。而功率MOS 器件和功率双极晶体管相比,由于其具有微功耗驱动、开关速度快、工作频率高。
陈去非陈启秀
关键词:镇流器电子镇流器
用点扩展函数确定卫星反射后的脉冲强度被引量:1
2001年
卫星激光测距系统是一个非相干成象光学系统。卫星形状效应是由于卫星上不同位置的反射器对光子反射的时间不同而引起的脉冲强度重新分布的现象。非相干成象系统在等晕区内是空间不变性的光强线性系统。成象光学系统中象强度等于输入物强度与光瞳点扩展函数的卷积。用卫星的点扩展函数描述卫星形状效应 ,能非常简便地计算出被卫星反射后的脉冲强度分布。讨论了激光测距卫星的点扩展函数的求解方法和表达形式 ,并分别推导和计算了
范建兴杨福民陈启秀
关键词:点扩展函数
智能电机节电系统的原理和实现被引量:1
2000年
讨论了晶闸管移相调压实现电机减压节能的原理和方法 ,并介绍了用微控制器控制晶闸管移相的智能电机节电系统 ,测试结果表明该系统具有良好的节电性能。
陈启秀范建兴
关键词:电动机晶闸管微控制器移相调压
低电压安全电子节能照明装置
一种低电压安全电子节能灯,是由灯头、灯罩、灯座、荧光灯管和新颖的高频电子镇流器组成。高频电子镇流器具有二倍压整流器或三倍压整流器(6)、双磁环耦合的双晶体管高频振器(7)以及二极管输出电路(8)。在20~40V低电压、工...
黄树新陈启秀李贡社吴文陈福元陈去非陈忠景林书樾余滨章婉珍
文献传递
一种新型的双极功率器件—BST
1995年
针对常规双极功率晶体管(BPT)中存在的高频、高电流增益和高CE击穿电压间的固有矛盾,基于一新工艺提出了一种新型的双极功率器件──BST(BaseShieldingTransistor)结构。分析了BST夹断后的两维电场解析解,可知深P+多晶硅基区的引入对有源P基区产生明显的电场屏蔽效应,该基区屏蔽效应随P+基区深入N-区中的深度L的增加以及相邻P+基区间距2D的减小而增强。正是这种基区屏蔽效应,使得BST的特征频率fT、电流增益hfe和CE击穿电压BVce0都较常规BPT大为提高,较好地解决了常规BPT中存在的主要矛盾。实验验证了理论分析的结果。
陈去非陈珂陈启秀
关键词:双极晶体管功率晶体管泊松方程物理模型
硅单晶薄片制造晶体管的方法
本发明公开了一种硅单晶薄片制造晶体管的方法,它包括a.在原始单晶片上预先扩散入N<Sup>+</Sup>杂质,b.硅片单面机械研磨、抛光,c.在400℃~1200℃范围内生长或沉积介质膜层,d.硅片背面涂高纯玻璃粉在50...
陈福元陈启秀陈忠景章婉珍李贡社
文献传递
宽禁带半导体功率器件被引量:6
1999年
阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题,并对其未来的发展作出展望。
刘海涛陈启秀
关键词:宽禁带半导体功率器件功率器件碳化硅金刚石
激光测距卫星的质心改正模型被引量:8
2000年
卫星质心改正值 (简称 Co M,Center-of-Mass)是卫星激光测距系统中的一个重要参量 ,准确估算该参量有助于提高卫星激光测距精度 .本文以 Lageos卫星为例 ,应用概率理论以及卫星上的角反射器对光子的反射概率与反射器的光学截面成正比 ,建立了球形激光卫星的 Co M数学模型 ,并计算了几颗球形卫星的 Co M值 ,还对一般的情况进行了讨论 .
范建兴杨福民陈启秀
关键词:卫星激光测距
一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT被引量:1
1999年
提出了一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT。该结构在DMOS的一侧引入一个NPN 晶体管,使之在正向时具有DMOS与NPN 双极晶体管的混合特性,在关断时具有与DMOS相似的快速关断性。对耐压600V 的MOSGCT 进行二维数值分析,其结果表明MOS-GCT的电流密度比DMOS提高45% ,且关断时间小于100ns.
刘海涛陈启秀白玉明
关键词:MOSFET
硅单晶薄片制造晶体管的方法
本发明公开了一种硅单晶薄片制造晶体管的方法,它包括a.在原始单晶片上预先扩散入N<Sup>+</Sup>杂质,b.硅片单面机械研磨、抛光,c.在400℃~1200℃范围内生长或沉积介质膜层,d.硅片背面涂高纯玻璃粉在50...
陈福元陈启秀陈忠景章婉珍李贡社
文献传递
共3页<123>
聚类工具0