陈忠景
- 作品数：9 被引量：6H指数：2
- 供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 硅单晶薄片制造晶体管的方法
- 本发明公开了一种硅单晶薄片制造晶体管的方法，它包括a.在原始单晶片上预先扩散入N<Sup>+</Sup>杂质，b.硅片单面机械研磨、抛光，c.在400℃～1200℃范围内生长或沉积介质膜层，d.硅片背面涂高纯玻璃粉在50...
- 陈福元陈启秀陈忠景章婉珍李贡社
- 文献传递
- 半绝缘多晶硅钝化技术研究及其应用被引量：4
- 1991年
- 1 前言 半导体器件的稳定性除了与器件的制造材料、器件本身的结构有关外,在相当大的程度上还取决于对其表面的保护措施——即表面钝化。钝化是改善器件性能和提高可靠性所不可缺少的手段和重点工艺。早在五十年代。
- 陈福元陈启秀陈忠景章婉珍林玉瓶
- 关键词：半绝缘多晶硅钝化半导体器件
- 表面处理对n-GaN上无合金化Ti/Al欧姆接触的作用
- 2004年
- 本文研究了表面处理对n GaN上无合金化的Ti/Al电极起的作用 ,比较了 (NH4) 2 Sx和CH3 CSNH2 两种不同的表面处理方法。在用CH3 CSHN2 /NH4OH溶液处理过的样品上制作的无合金化的Ti/Al电极 ,可得到较低的 (4 85～ 5 6 5 )× 1 0 -4Ω·cm2 的接触电阻率 。
- 刘磊陈忠景何乐年
- 关键词：N-GAN欧姆接触表面处理
- 低电压安全电子节能照明装置
- 一种低电压安全电子节能灯，是由灯头、灯罩、灯座、荧光灯管和新颖的高频电子镇流器组成。高频电子镇流器具有二倍压整流器或三倍压整流器(6)、双磁环耦合的双晶体管高频振器(7)以及二极管输出电路(8)。在20～40V低电压、工...
- 黄树新陈启秀李贡社吴文陈福元陈去非陈忠景林书樾余滨章婉珍
- 文献传递
- n-GaN表面Ti/Al/Ti/Au电极的电学特性
- 2005年
- 实验研究了淀积在GaN上的Ti/Al/Ti/Au电极的电学和热学特性,绘制了不同退火温度下的I-V曲线,得到了最低的欧姆接触电阻率(ρs=1.2×10-4Ω·cm2),并通过X射线衍射谱分析了GaN与Ti/Al/Ti/Au电极接触表面在退火过程中的固相反应。实验结果表明,在Ti/Al表面增加Ti/Au保护层能够保证Al层在高温时不发生球化和氧化,电极更稳定可靠能够进一步提高欧姆接触特性。
- 王光峰陈忠景何乐年
- 关键词：氮化镓欧姆接触退火
- 硅单晶薄片制造晶体管的方法
- 本发明公开了一种硅单晶薄片制造晶体管的方法，它包括a.在原始单晶片上预先扩散入N<Sup>+</Sup>杂质，b.硅片单面机械研磨、抛光，c.在400℃～1200℃范围内生长或沉积介质膜层，d.硅片背面涂高纯玻璃粉在50...
- 陈福元陈启秀陈忠景章婉珍李贡社
- 文献传递
- 带故障保护的电子镇流器
- 本实用新型公开了一种带故障保护的电子镇流器，它是在现有的电子镇流器电路中接入PTC热敏电阻而成，由于热敏电阻具有低温时电阻值小，高温时电阻值大的特性，这样在发生日光灯管灯丝未断而不起辉故障时，能有效地限制数倍于额定值的过...
- 林书樾吴文李贡社黄树新陈忠景沈相国
- 文献传递
- Si基n型GaN的欧姆接触研究
- 2003年
- GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本文对Si基n型GaN上的Al单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I U特性曲线 ,X射线衍射以及二次离子质谱分析 ,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响 。
- 李嘉炜何乐年陈忠景叶志镇
- 关键词：欧姆接触半导体界面固相反应氮化镓
- n-GaN上Ti/Al电极的表面处理与退火被引量：2
- 2004年
- 实验研究了不同表面处理方法和不同退火条件对GaN上的Ti/Al电极的影响,用CH_3CSNH_2/NH_4OH处理后的GaN材料的荧光光谱强度最高,在该材料上制作的Ti/Al电极的欧姆接触电阻率最小。通过欧姆接触电阻率,I-V曲线,X射线衍射等手段,分析了GaN与Ti/Al电极接触表面在退火过程中的固相反应,提出了二次退火的方法。
- 刘磊陈忠景何乐年
- 关键词：GAN欧姆接触表面处理退火
