王警卫
- 作品数：15 被引量：50H指数：4
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程金属学及工艺更多>>
- InAs/GaSb外延层的LP-MOCVD生长及表征
- 采用自制低压金属有机源化学气相沉积(LP-MOCVD)设备制备了InAs/GaSb异质结。反应的源物质为三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)、三甲基锑(TMSb)和AsH<,3>。在衬底为n型GaSb(偏角100±...
- 吴雷学汪韬王警卫景争尹飞梅书刚
- 关键词：半导体材料表面形貌LP-MOCVD
- 文献传递
- 一种新型大功率单发射腔半导体激光器及其特性被引量：11
- 2010年
- 介绍了一种新型808 nm大功率单发射腔半导体激光器(F-mount)。该激光器采用不同于商业化单发射腔半导体激光器的C-mount封装结构设计,散热效果更好。在20℃连续波(CW)运转条件下最大输出功率可达到13.3 W,并且重复实验并未产生光学腔面损伤(COMD)。在准连续波(QCW)条件下最大功率可达到30.8 W。通过实验得出该器件的波长漂移系数为0.278 nm/℃,热阻为3.18 K/W,室温下阈值电流特征温度为135 K,室温下斜率效率特征温度为743 K。实验结果表明,该激光器在散热方面优于常用的C-mount封装型单发射腔半导体激光器,并且具有较小的热阻,能够实现更高的功率输出。
- 张彦鑫王警卫吴迪杨凯马幼龙刘兴胜
- 关键词：激光器半导体激光器高功率热阻
- InAsSb材料的LP-MOCVD生长
- 2015年
- 采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料。分析了InAs/GaSb超晶格红外材料在不同生长条件下的生长质量,对器件材料结构进行了表征,并进行了理论分析和优化生长。采用X射线双晶衍射原子力显微镜对其外延薄膜的单晶质量进行分析,得到外延层与衬底材料的晶格失配仅为-0.43%。通过调节过渡层材料来减小界面处的应变,提高材料的生长质量,利用光致发光谱对材料做了检测分析。给出了InAsSb材料的LP-MOCVD生长的参数分析和测量分析,为以后生长和分析InAsSb材料提供了很好的基础。
- 徐庆安邵逸恺汪韬尹飞闫欣辛丽伟王警卫
- 关键词：INASSBLP-MOCVD超晶格红外探测器
- 利用红外光纤传像束测量桥丝感应电流被引量：1
- 2011年
- 针对传统的桥丝式电点火头中感应电流测量方法在电磁环境测量时会引入电场或者磁场的干扰,本文基于红外光纤传像束耦合CCD红外探测器,提出一种非接触式远程测量的新方法。通过CCD红外探测器得到桥丝式电点火头辐射的热场灰度图像,根据灰度值与温度、温度与电流的关系标定对应的桥丝微弱的感应电流值。实验结果表明,这种方法可以精确测量桥丝电流,为桥丝式电火工品的电磁环境效应评估提供了一条新的途径。
- 胡雅楠汪韬尹飞杨瑾王警卫张立臣殷景致
- 关键词：感应电流灰度值
- GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究被引量：4
- 2005年
- 采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.
- 李晓婷王一丁汪韬殷景致王警卫赛小锋高鸿楷张志勇
- 关键词：LP-MOCVDGASBINASSB生长温度
- 高功率半导体激光器技术的几个关键问题探讨
- 随着其输出功率、转化效率、可靠性和制造工艺的提高以及成本的降低,高功率半导体激光器越来越广泛地应用于许多新的领域。如何进一步实现高功率、高亮度和高可靠性已经成为当前拓展和优化高功率半导体激光器技术的关键。本文探讨了以开放...
- 刘兴胜房艳王警卫熊玲玲张普
- 关键词：高功率半导体激光器高亮度高可靠性
- 大功率半导体激光器阵列光谱展宽机理研究被引量：13
- 2010年
- 大功率半导体激光器阵列在抽运固体激光器系统方面的用途不断增加。光谱宽度是激光器阵列产品的一个关键指标。通过减小抽运半导体激光器的光谱宽度来提高光谱的精确性能够提高激光器系统的紧凑性、效率、功率和光束质量,同时也可降低系统的热管理成本。通过数值模拟和空间光谱成像、扫描声学显微镜(SAM)等试验手段研究了大功率半导体激光器阵列光谱展宽的机制。光谱展宽常常会在光谱的一边或两边出现肩膀或尾巴,有时也会出现双峰或多峰。研究结果表明在光谱长波方向(中心波长右端)出现的肩膀或尾巴通常是由于热效应造成的,而在光谱短波方向(中心波长左端)的肩膀或尾巴一般是激光器阵列内热应力效应造成的结果。根据大功率半导体激光器阵列光谱展宽的机制,提出了控制光谱展宽的方案和方法。
- 王警卫袁振邦张彦鑫吴迪陈旭刘兴胜
- 关键词：半导体激光器光谱展宽封装技术
- 用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长
- 2011年
- 用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明,生长的超晶格材料可以响应10μm的长波,且具有良好的表面形貌和外延层质量.
- 汪韬杨瑾尹飞王警卫胡雅楠张立臣殷景致
- 关键词：INAS/GASB超晶格禁带宽度
- 大功率半导体激光器阵列的稳态和瞬态热行为被引量：10
- 2009年
- 大功率半导体激光器的应用日益广泛。随着激光器光功率的不断增加,其结温也在急速上升。激光器结温的升高不仅会导致寿命、斜率效率和功率下降,阈值电流增大,而且会引起波长漂移,光谱展宽等,因此开展半导体激光器热设计和热优化的研究显得越米越重要。用数值模拟和实验相结合的方法对单巴(bar)条CS封装的60 W,808 nm半导体激光器连续工作时的稳态和瞬态热行为进行分析研究,定量确定了半导体激光器的温升及其构成,以及器件的时间常数。此外,还对半导体激光器件做了热优化,并在分析结果的指导下做出了各项性能指标均优良的半导体激光器阵列器件。
- 袁振邦王警卫吴迪陈旭刘兴胜
- 关键词：激光器热行为有限单元法
- 基于巴条的高功率半导体激光器封装关键技术及工业化应用
- 刘兴胜赵卫王警卫吴迪蔡万绍侯栋熊玲玲宗恒军聂志强周文兵张普刘晖戴晔杨凯栾凯
- 高功率半导体激光器作为核心光电器件支撑了多个高科技产业的发展，是发达国家竞争的战略制高点，美、德、日等国将其列为国家重点研发计划投入巨大。该项目实施前，中国未突破高功率半导体激光器的核心封装技术，封装装备相对落后，研制的...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光器封装工艺光电器件
