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刘兴胜

作品数:33 被引量:66H指数:6
供职机构:中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
发文基金:中国科学院“百人计划”国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 19篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 15篇电子电信

主题

  • 31篇激光
  • 29篇激光器
  • 29篇半导体
  • 28篇半导体激光
  • 28篇半导体激光器
  • 21篇功率半导体
  • 17篇高功率
  • 14篇高功率半导体...
  • 9篇激光器阵列
  • 6篇功率
  • 5篇阵列
  • 5篇光纤
  • 5篇光纤耦合
  • 5篇封装
  • 5篇半导体激光器...
  • 5篇大功率半导体
  • 4篇热阻
  • 3篇电极
  • 3篇多巴
  • 3篇引出电极

机构

  • 33篇中国科学院
  • 8篇西安炬光科技...
  • 2篇西安交通大学
  • 2篇天津大学
  • 2篇中国科学院大...
  • 2篇西安炬光科技...
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 33篇刘兴胜
  • 27篇熊玲玲
  • 26篇张普
  • 14篇聂志强
  • 9篇王贞福
  • 7篇刘晖
  • 6篇王警卫
  • 5篇王晓飚
  • 5篇王敏
  • 4篇朱其文
  • 3篇黄志华
  • 3篇张彦鑫
  • 2篇李小宁
  • 2篇陈旭
  • 2篇郑艳芳
  • 2篇蔡磊
  • 2篇欧翔
  • 2篇袁振邦
  • 2篇丁晓尘
  • 1篇贾书海

传媒

  • 4篇中国激光
  • 3篇光子学报
  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇2010年中...

年份

  • 1篇2021
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 6篇2011
  • 4篇2010
  • 2篇2009
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多量子阱半导体激光器
本实用新型提供了一种多量子阱半导体激光器,具有较高的散热效率,实现大功率、高可靠的激光输出。该多量子阱半导体激光器,包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层,其特殊之处在于:每个量子阱层设置有一个或多个发光区,相...
张普刘兴胜熊玲玲王贞福刘晖聂志强
文献传递
多量子阱半导体激光器及其制备方法
本发明提供了一种多量子阱半导体激光器及其制备方法,以提高多量子阱半导体激光器的散热效率,实现大功率、高可靠的激光输出。该多量子阱半导体激光器,包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层,其特殊之处在于:每个量子阱层...
张普刘兴胜熊玲玲王贞福刘晖聂志强
文献传递
一种高功率半导体激光器系统
本实用新型提供了一种高功率半导体激光器系统,以提高半导体激光器的可靠性,从而延长其使用寿命。该高功率半导体激光器系统,包括半导体激光器芯片,半导体激光器芯片封装后连接正极和负极,所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/...
张普刘兴胜熊玲玲王贞福聂志强
文献传递
一种半导体激光器阵列连接界面表征装置
本实用新型研究并开发了半导体激光器阵列封装器件连接界面表征装置,包括半导体激光器阵列,还包括连续/准连续电源、脉冲电源以及用于调节连续/准连续电源和脉冲电源之间切换供电和供电电流大小的控制元件,连续/准连续电源和脉冲电源...
张普刘兴胜熊玲玲
文献传递
一种新型大功率单发射腔半导体激光器及其特性被引量:11
2010年
介绍了一种新型808 nm大功率单发射腔半导体激光器(F-mount)。该激光器采用不同于商业化单发射腔半导体激光器的C-mount封装结构设计,散热效果更好。在20℃连续波(CW)运转条件下最大输出功率可达到13.3 W,并且重复实验并未产生光学腔面损伤(COMD)。在准连续波(QCW)条件下最大功率可达到30.8 W。通过实验得出该器件的波长漂移系数为0.278 nm/℃,热阻为3.18 K/W,室温下阈值电流特征温度为135 K,室温下斜率效率特征温度为743 K。实验结果表明,该激光器在散热方面优于常用的C-mount封装型单发射腔半导体激光器,并且具有较小的热阻,能够实现更高的功率输出。
张彦鑫王警卫吴迪杨凯马幼龙刘兴胜
关键词:激光器半导体激光器高功率热阻
大功率半导体激光器阵列热串扰行为被引量:4
2013年
以硬焊料传导制冷,30%填充因子半导体激光器阵列为例,建立了三维有限元模型,对阵列内部各发光单元之间的热串扰行为进行了分析研究。结果表明,当其连续波工作时间大于1.2 ms后,阵列内发光单元之间出现热串扰现象;当次热沉由CuW合金改为铜金刚石复合材料时,阵列内发光单元自热阻和相邻发光单元的串扰热阻降低,有效地降低了各发光单元之间的热串扰行为。保持阵列宽度、发光单元数目及发光单元周期不变,发现随阵列填充因子的增加,器件热阻以指数衰减趋势逐渐降低,而发光单元间的热串扰特性对此变化并不敏感;保持阵列单个发光单元输出功率,发光单元尺寸及阵列宽度不变,增加发光单元个数后,阵列内各发光单元之间热串扰加剧,填充因子越高阵列升温速率越快;但在最初约70μs内,包含不同数目发光单元的阵列最高温度差异仅约0.5℃,有利于多发光单元高填充因子器件高功率输出。
张志勇张普聂志强李小宁熊玲玲刘晖王贞福刘兴胜
关键词:激光器有限单元法半导体激光器阵列热阻
折射型高功率半导体激光器阵列光束整形装置
本实用新型提供了一种折射型高功率半导体激光器阵列光学整形装置,在实现光束整形的同时,能把整形元件中每块台阶玻璃的厚度尺寸增大一倍,误差积累减少一半,大大地降低了加工难度,提高了精度和减少损耗,同时压缩激光光束在快轴方向的...
黄志华刘兴胜熊玲玲张普王贞福刘晖
文献传递
基于像散与理想光源成像原理的高亮度半导体激光器光纤耦合设计方法被引量:6
2011年
运用像散原理和理想光源成像原理,讨论了半导体激光器消像散设计.提出了一种基于消像散的高亮度半导体激光器光纤耦合系统的设计方法.以波长为808nm,输出功率为10W的半导体激光器的光纤耦合为例,给出了详细的计算方法和设计步骤.结果表明:采用该方法将半导体激光器光束耦合入数值孔径为0.22,芯径为50μm的光纤中,耦合后输出功率为9.712W,耦合效率为97.12%,功率密度为1.1224×106 W/cm2.该方法不仅原理简单,而且设计的耦合系统耦合效率高、体积小,具有较强的实用价值.
欧翔熊玲玲张普丁晓尘贾书海刘兴胜
关键词:半导体激光器成像光纤耦合
一种传导冷却高功率半导体激光器
本发明提供了一种传导冷却高功率半导体激光器,包括激光芯片组、正极连接块、负极连接块和T型绝缘导热块。激光芯片组由多个激光芯片形成叠阵模块,其堆叠方向的两个外端面分别为激光芯片组的正、负极端;正、负极连接块相对的内侧面分别...
朱其文张普吴的海刘兴胜熊玲玲聂志强
文献传递
折射型高功率半导体激光器阵列光束整形装置
本发明提供了一种折射型高功率半导体激光器阵列光学整形装置,在实现光束整形的同时,能把整形元件中每块台阶玻璃的厚度尺寸增大一倍,误差积累减少一半,大大地降低了加工难度,提高了精度和减少损耗,同时压缩激光光束在快轴方向的宽度...
黄志华刘兴胜熊玲玲张普王贞福刘晖
文献传递
共4页<1234>
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