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王海平

作品数:9 被引量:20H指数:3
供职机构:四川大学更多>>
发文基金:中国工程物理研究院科技基金国防基础科研计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程核科学技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 5篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 1篇氮氧化铝
  • 1篇等离子体
  • 1篇低压
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化铝
  • 1篇烧蚀材料
  • 1篇陶瓷
  • 1篇特性分析
  • 1篇透明陶瓷
  • 1篇氢等离子体
  • 1篇热腐蚀
  • 1篇热还原法
  • 1篇热力学
  • 1篇热力学分析
  • 1篇自支撑
  • 1篇温度
  • 1篇铝热还原
  • 1篇铝热还原法

机构

  • 6篇中国工程物理...
  • 5篇四川大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇西南科技大学

作者

  • 9篇王海平
  • 6篇吴卫东
  • 4篇王雪敏
  • 3篇文劲松
  • 3篇卢铁城
  • 3篇白黎
  • 3篇齐建起
  • 3篇温雅
  • 2篇唐永建
  • 2篇李盛印
  • 2篇曹林洪
  • 2篇喻寅
  • 2篇戴阳
  • 2篇阳志林
  • 2篇马婷婷
  • 2篇魏念
  • 2篇王跃忠
  • 2篇葛芳芳
  • 2篇肖磊
  • 2篇于健

传媒

  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇第十届中国核...
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇功能材料信息

年份

  • 4篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2007
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
Li-B-H薄膜的制备和性能研究
硼氢化锂(LiBH
王海平吴卫东卢铁城王雪敏葛芳芳曹林洪白黎
文献传递
气氛和温度对AlON透明陶瓷热腐蚀的影响被引量:1
2010年
以氧化钇为烧结助剂,在流动氮气气氛下,经1880℃保温10小时获得AlON陶瓷.将所得到的陶瓷样品研磨抛光后分别在氮气(常压)气氛下1750℃,1680℃,1650℃和真空(<1.0×10^(-3)Pa)气氛下1680℃,1650℃进行热腐蚀.保温时间均为2小时.然后将上述经热腐蚀后的各样品用扫描电子显微镜对其腐蚀表面进行了观察,进而研究气氛和温度对AlON陶瓷热腐蚀的影响.通过对以上结果的分析比较得到AlON热腐蚀的最佳条件为真空(<1.0×10^(-3)Pa)条件下1650℃.最后对新生晶粒组成成份、产生的原因以及温度对陶瓷表面腐蚀程度的影响也进行了分析.
于健卢铁城齐建起温雅王海平文劲松阳志林王跃忠肖磊喻寅魏念
关键词:温度热腐蚀
脉冲激光沉积掺W类金刚石膜的性能被引量:7
2010年
采用氟化氪(KrF)脉冲准分子激光烧蚀沉积(PLD)技术,在硅基体表面制备不同掺W时间的类金刚石薄膜(W-DLC)。利用AFM、XRD、Raman、纳米压痕等手段分析和研究薄膜的表面形貌、结构以及部分性能。结果表明:W掺入后形成了α-W2C和WC相,并且没有明显改变薄膜中sp2和sp3键的含量,薄膜的表面粗糙度基本不受W掺入时间的影响,残余应力降低约1个数量级(二十几个GPa下降到几个GPa),硬度和弹性模量随W掺入时间的增加而逐渐降低。
王雪敏吴卫东李盛印陈松林唐永建白黎王海平
关键词:类金刚石薄膜
Langmuir探针诊断低压氢等离子体电子密度与温度被引量:6
2010年
为研究实验参数对螺旋波诱导的低压氢等离子体状态的影响,用Langmuir探针对等离子体伏安特性曲线进行了原位诊断,采用双曲正切函数的指数变换模型拟合曲线,根据Druyvesteyn方法得到状态参数电子密度、有效电子温度和电子能量几率函数,分析了它们随实验参数的变化规律。结果表明:射频输入功率、气压和约束磁场对等离子体状态有较大影响。随着射频射入功率增大,放电模式发生转变,电子密度跳跃增长;随着气压增大,电子密度先增大后减小,1.5 Pa为最佳电离气压,随约束磁场的增强呈线性增长;有效电子温度随功率和气压的增大而下降,随约束磁场的增强线性降低,电子能量几率函数曲线峰位和高能部分都向低能移动,与有效电子温度变化规律吻合。
戴阳吴卫东高映雪葛芳芳黄竞王海平马婷婷
关键词:螺旋波等离子体LANGMUIR探针
Gd纳米薄膜的初期生长行为研究
钆(Gd)、金(Au)等重金属多层膜作为激光惯性约束聚变(ICF)物理实验用靶的柱腔腔壁,能有效提高柱腔腔壁的辐射不透明度和x射线的能量转换率,因此,具有重要的工程应用价值。但是到目前为止,还未见对Gd薄膜初期生长过程的...
白黎吴卫东王雪敏葛芳芳曹林洪王海平
文献传递
ALON粉体合成及其透明陶瓷制备研究被引量:1
2007年
采用3种方法合成粉体,即以Al_2O_3和AlN为原料的直接固相反应法,以Al和Al_2O_3为原料的反应烧结合成法和以C和Al_2O_3为原料的碳热还原合成法,同时采用了纳米级的粉体原料,均合成出了纯相ALON粉体,且有效降低了粉体的合成温度;对Al_2O_3原料,采用了不同α/γ相比例,研究其对粉体合成物相和粉体性状的影响,通过采用合适的α/γ相比例,有效地改善了粉体的性状;对3种体系纯相粉体,在加入适当的烧结助剂成型后,在N_2气氛下进行了无压烧结,均得到了透明ALON陶瓷样品,同时研究了粉体合成工艺、成型工艺、烧结温度、保温时间和烧结助剂等对陶瓷透明度的影响。结果表明,采用纳米体系原料在低温下合成的ALON粉体,在1850~1880℃下保温10h可以得到厚度为2mm,红外透过率(3~5μm)达40%~50%的陶瓷样品;与美国报道的工艺相比,本研究中粉体合成温度和陶瓷烧结温度可以降低100℃左右,保温时间可以缩短一半以上,一定程度上降低了对设备的苛刻要求。
卢铁城齐建起周纪承庞微文劲松王海平温雅何俊峰
关键词:ALON透明陶瓷
脉冲激光气相沉积法制备的非晶CH薄膜特性分析
2010年
采用脉冲激光气相沉积(PLD)法,研究了氢气压强对非晶CH薄膜性能的影响。原子力显微镜图和白光干涉图显示,薄膜表面平整致密,随着氢气压强增大,粗糙度变大。拉曼光谱分析表明,氢气压强增加,G峰和D峰位置都在向高波数方向移动。傅里叶变换红外光谱分析显示,薄膜中存在sp3—CH2和sp2—CH等基团。最后,采用PLD漂浮法在最优参数氢气压强为0.3 Pa下,成功制备了不同厚度(100-300 nm)、满足一定力学强度、无明显宏观缺陷的自支撑CH薄膜。
马婷婷王雪敏王海平李建根戴阳吴卫东
关键词:脉冲激光沉积自支撑光谱分析
铝热还原法合成AlON粉体及其热力学分析被引量:6
2009年
以微米级的Al粉和纳米级Al2O3粉为原料,在N2气氛下,通过铝热还原法,进行了AlON粉体的合成。实验表明,在1873~1923K之间,AlON相开始形成,到2023K时得到纯相AlON粉体。通过拟抛物线规则计算得到AlON的摩尔生成吉布斯能,进而算得AlON相形成的转变温度为1887K。热力学分析表明,铝热还原法合成AlON过程中,各物相易受气氛、温度的影响而表现出不同的热力学行为,进而影响合成的纯相AlON的固溶组分。实验结果与理论计算分析相符合。
王跃忠卢铁城喻寅齐建起文劲松王海平肖磊阳志林于健温雅魏念
关键词:氮氧化铝铝热还原热力学
非晶碳烧蚀材料的掺杂注入效应
高sp含量的非晶碳具有各向同性、表面粗糙度低的优点,具备成为激光惯性约束聚变(ICF)用靶的基础和潜力。制备性能优异非晶碳烧蚀层的过程中,大多都涉及离子的注入过程,这一过程以及相关效应对非晶碳烧蚀层的性质起非常重要的作用...
王雪敏吴卫东白黎李盛印唐永建王海平曹林洪
文献传递
共1页<1>
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