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吴卫东

作品数：424 被引量：785H指数：14
供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国工程物理研究院基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 242篇期刊文章
  • 109篇专利
  • 67篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 154篇理学
  • 70篇一般工业技术
  • 68篇电子电信
  • 37篇核科学技术
  • 25篇金属学及工艺
  • 20篇机械工程
  • 15篇化学工程
  • 9篇自动化与计算...
  • 5篇电气工程
  • 3篇冶金工程
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学

主题

  • 53篇激光
  • 44篇纳米
  • 33篇光谱
  • 30篇太赫兹
  • 30篇光学
  • 28篇激光器
  • 26篇传感
  • 25篇赫兹
  • 24篇量子级联
  • 24篇量子级联激光...
  • 21篇溅射
  • 21篇磁控
  • 20篇脉冲激光
  • 20篇脉冲激光沉积
  • 19篇熔石英
  • 19篇感器
  • 17篇等离子体
  • 15篇聚变
  • 15篇惯性约束
  • 14篇惯性约束聚变

机构

  • 416篇中国工程物理...
  • 74篇四川大学
  • 43篇西南科技大学
  • 13篇西华师范大学
  • 9篇中国科学院
  • 6篇中南大学
  • 4篇同济大学
  • 3篇南京大学
  • 3篇兰州大学
  • 3篇重庆大学
  • 3篇陕西科技大学
  • 2篇北京应用物理...
  • 2篇电子科技大学
  • 2篇北京交通大学
  • 2篇西南交通大学
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇内江师范学院
  • 1篇河南科技大学
  • 1篇南京理工大学

作者

  • 421篇吴卫东
  • 135篇唐永建
  • 109篇王雪敏
  • 78篇彭丽萍
  • 58篇阎大伟
  • 54篇蒋涛
  • 52篇罗江山
  • 49篇沈昌乐
  • 47篇黎维华
  • 45篇张继成
  • 41篇赵妍
  • 40篇蒋晓东
  • 37篇邓青华
  • 35篇王新明
  • 32篇黄进
  • 32篇李恺
  • 31篇罗炳池
  • 29篇叶鑫
  • 27篇曹林洪
  • 25篇罗跃川

传媒

  • 81篇强激光与粒子...
  • 24篇物理学报
  • 18篇原子能科学技...
  • 12篇真空科学与技...
  • 11篇材料导报
  • 9篇太赫兹科学与...
  • 8篇稀有金属材料...
  • 6篇四川大学学报...
  • 6篇人工晶体学报
  • 6篇信息与电子工...
  • 4篇激光与光电子...
  • 4篇功能材料
  • 3篇Transa...
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇核聚变与等离...
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 2篇计算物理
  • 2篇四川大学学报...
  • 2篇材料工程
  • 2篇广州化工

年份

  • 7篇2024
  • 9篇2023
  • 6篇2022
  • 14篇2021
  • 13篇2020
  • 17篇2019
  • 22篇2018
  • 28篇2017
  • 24篇2016
  • 28篇2015
  • 12篇2014
  • 28篇2013
  • 27篇2012
  • 21篇2011
  • 19篇2010
  • 34篇2009
  • 27篇2008
  • 16篇2007
  • 16篇2006
  • 19篇2005
共 424 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
电火花打孔装置
本发明提供了一种电火花打孔装置，涉及精密加工领域。该电火花打孔装置包括供电电路、电极针、三维位移负压吸附组件和压电陶瓷驱动组件。供电电路的一端与电极针相连，供电电路的另一端与工件相连。三维位移负压吸附组件用于固定工件，压...
罗炳池吴卫东李文琦蒋晓东李恺罗江山何玉丹陈龙张建波
GaAs肖特基二极管中不连续性电路仿真分析
2013年
在太赫兹技术应用系统中,太赫兹混频器是太赫兹接收前端的关键部件,而太赫兹肖特基二极管是太赫兹混频器的核心器件。本文采用信号完整性的方法对肖特基二极管在无源区的特性进行建模分析,并对不连续性、寄生电容等参数进行分析。根据肖特基二极管设计的物理参数,如尺寸、材料的介电常数等,在高频结构仿真器(HFSS)中对肖特基二极管进行建模。通过多次建模仿真,最终给出肖特基二极管的等效电路模型。通过对比HFSS中提取二极管欧姆焊盘的S参数和Ansoft-designer中对二极管欧姆焊盘的等效电路进行仿真得到的S参数,证明了等效电路的合理性。该模型可以应用在对太赫兹混频器的电路级仿真中。
赵妍马毅超王雪敏阎大伟吴卫东
关键词：太赫兹肖特基二极管信号完整性
ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷研究被引量：1
2016年
利用第一性原理,研究了ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷(AlZnZni)电子结构和光学性质。计算结果显示,AlZnZni复合缺陷的形成能为-3.180 e V,较低的形成能表明这种缺陷容易形成;复合缺陷使ZnO晶体的能带整体下移,带隙减小,价带区域展宽;电子能带结构的变化对ZnO的光学性质在低能产生了重要影响,主要表现在:介电函数虚部往低能方向移动且强度显著增强,使得ZnO表现出简并半导体的特性;复合缺陷导致ZnO晶体光学吸收边缘产生了红移,可见光区的吸收系数增大,透过率降低。
曾体贤胡永琴杨辉王茂州张敏樊龙吴卫东
关键词：ZNO第一性原理
脉冲激光气相沉积技术现状与进展被引量：12
2003年
介绍了脉冲激光沉积法(PLD)制备薄膜技术的原理、特点和这一研究领域的现状,着重介绍了脉冲激光沉积薄膜技术的研究动态和进展情况。大量研究表明,脉冲激光沉积法是一种最好的制备薄膜的方法之一。
张超吴卫东陈正豪周岳亮孙卫国唐永建程新路
关键词：PLD电学性能
蒸发冷凝法制备纳米Al粉及其热反应特性研究被引量：9
2002年
用蒸发冷凝法制备了金属纳米Al粉 ,采用悬浮蒸发技术得到了粒径分布较窄的纳米颗粒。利用热重 差示扫描量热 (TG DSC)联用仪 ,对纳米Al粉及块状Al在不同载气环境 (N2 或Ar)下进行热力分析 ,在高纯氮环境中 ,实验温度范围 (约 14 0 0℃ )内的块状Al和纳米Al粉表现出不同的反应活性。此外 ,实验考察了不同升温速率对纳米Al粉与N2
魏胜王朝阳黄勇吴卫东唐永建韦建军
关键词：反应活性惯性约束聚变
自悬浮定向流技术中铜纳米微粒的粒度控制研究被引量：14
2003年
　采用自悬浮定向流技术制备了金属铜纳米微粒,根据TEM的行貌像对样品平均粒度进行标定,并结合样品制备的条件对制备工艺进行了研究。结果表明,自悬浮定向流技术可以方便地制备出不同粒度的金属铜纳米微粒,微粒平均粒径随熔球温度的降低而减小,随冷却气体流速的增大而减小;在1200℃下微粒平均粒径随惰性气体压强的增大而减小,而在1300℃时惰性气体压强对微粒平均粒径的影响不再具有规律性。
韦建军唐永建吴卫东魏胜李朝阳杨向东
关键词：铜纳米微粒粒度控制自悬浮定向流法
用于等电子谱线法诊断电子温度的Mg/Si混合膜制备工艺研究被引量：4
2002年
进行了在单靶头磁控溅射装置上采用复合靶溅射制备Mg/Si混合膜的工艺研究 ,制备出了不同组分的Mg/Si混合膜 ,并利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM )、透射电镜 (TEM )等测试手段 ,对混合膜的结构进行了初步分析。分析结果表明 :Mg/Si混合膜中的镁以单取向多晶形式存在 。
许华吴卫东陈志梅唐晓虹黄勇唐永建
关键词：电子温度磁控溅射惯性约束聚变等离子体
太赫兹测试样品装置
本发明提供一种太赫兹测试样品装置，涉及测试样品装置技术领域。太赫兹测试样品装置包括：第一半椭球罩，第一半椭球罩具有第一开口和第二开口，第一开口用于与太赫兹发射装置连接。第二半椭球罩，第二半椭球罩在长轴方向具有第三开口，在...
湛治强王雪敏沈昌乐蒋涛彭丽萍肖婷婷樊龙阎大伟吴卫东
文献传递
高双折射低损耗光子晶体光纤
本发明公开了一种高双折射低损耗光子晶体光纤，包括：纤芯和环绕于纤芯的包层，所述包层中设置有多个第一空气孔，多个所述第一空气孔以所述纤芯为中心从内至外依次环绕纤芯，所述第一空气孔的结构相同，所述纤芯包括基底材料和设置于基底...
吴之清吴卫东周晓燕石兆华夏汉定黄进蒋晓东
文献传递
GaAs/AlGaAs多层膜刻蚀的陡直度被引量：6
2011年
GaAs/AlGaAs多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果,但在实际加工中较难控制,因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其陡直度的影响。结合具体工作情况,用AZ1500光刻胶作为掩模,GaAs/Al0.15Ga0.85As多层膜为刻蚀材料,分别使用湿法和干法对其进行刻蚀。湿法刻蚀的刻蚀剂为H3PO4+H2O2溶液,干法刻蚀采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀法,等离子体由Cl2+BCl3(蒸汽)混合气体电离形成。通过控制变量方法,发现湿法刻蚀中刻蚀剂配比和温度以及干法刻蚀中BCl3(蒸汽)流量对刻蚀陡直度的影响规律。由此得出,提高H3PO4所占比例和降低刻蚀温度虽然会降低刻蚀速率,但可以提高多层膜的陡直度;ICP刻蚀的陡直度优于湿法刻蚀,BCl3(蒸汽)的流量在一定范围内对刻蚀陡直度的影响较小。
罗跃川韩尚君王雪敏吴卫东唐永建
关键词：湿法刻蚀感应耦合等离子体刻蚀
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