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曹磊

作品数：45 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 43篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 24篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 31篇半导体
  • 22篇半导体器件
  • 16篇堆栈
  • 15篇叠层
  • 15篇纳米
  • 12篇纳米片
  • 11篇晶体管
  • 8篇电流
  • 7篇刻蚀
  • 7篇寄生电容
  • 7篇侧墙
  • 7篇场效应
  • 7篇场效应晶体管
  • 6篇堆叠
  • 6篇栅极
  • 6篇工作电流
  • 6篇沟道
  • 5篇漏电
  • 5篇金属栅
  • 5篇半导体材料

机构

  • 45篇中国科学院微...
  • 2篇嘉兴联星微电...
  • 1篇杭州中科微电...
  • 1篇江苏物联网研...
  • 1篇嘉兴禾润电子...

作者

  • 45篇曹磊
  • 40篇殷华湘
  • 40篇张青竹
  • 6篇李永亮
  • 6篇李俊杰
  • 5篇王文武
  • 5篇罗军
  • 4篇叶甜春
  • 4篇张永奎
  • 2篇许高博
  • 1篇李俊峰
  • 1篇马成炎
  • 1篇熊文娟
  • 1篇张静
  • 1篇卢一泓
  • 1篇李晓江

传媒

  • 1篇电子测试
  • 1篇信息技术

年份

  • 19篇2024
  • 12篇2023
  • 5篇2022
  • 7篇2021
  • 2篇2013
共 45 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件及其制备方法、电子设备
本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，该半导体器件包括衬底、沟道层堆栈部、环绕式栅极、源漏功能部和第一侧墙，沟道层堆栈部形成于衬底一侧，包括多个沟道层，沟道层的长度方向垂直于衬底的厚度方向，沟道层包括沿长度方...
张青竹蒋任婕桑冠荞李庆坤曹磊王鹏殷华湘
一种半导体器件的制备方法及半导体器件
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是由第一半导体形成的，纳米片是由第二半导体形成的，支撑结构的宽度小于纳米片的宽度；环绕式栅极，其...
张青竹殷华湘曹磊张兆浩顾杰田佳佳李俊杰姚佳欣李永亮张永奎吴振华赵鸿滨罗军王文武屠海令叶甜春
一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法
本发明涉及一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法。一种晶体管中鳍的制作方法，其包括：在衬底上外延半导体层；利用侧墙转移技术将所述半导体层刻蚀成鳍状部；用臭氧氧化所述鳍状部的侧壁，在侧壁形成氧化膜；利用原子层刻蚀法刻蚀...
李俊峰王鹏桑冠荞曹磊蒋任婕李庆坤张青竹殷华湘罗军卢一泓熊文娟
一种空气内侧墙纳米片环栅晶体管及其制造方法
本发明涉及一种具有空气内侧墙的GAAFET器件及其制备方法，本发明在环栅晶体管的制造中采用非晶硅(或多晶硅)临时侧墙与非晶硅(或多晶硅)临时侧墙去除工艺，并利用纳米片沟道释放和原子层淀积(ALD)/CVD/PVD工艺形成...
曹磊殷华湘张青竹姚佳欣
一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件
本发明涉及一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件，具体为提供基底，在基底上形成基础鳍片结构，在所示基础鳍片上形成第一堆栈部和第二堆栈部，第二堆栈部竖直地堆栈在所述第一堆栈部上；所述第一堆栈部具有至少一个I型沟...
罗彦娜殷华湘吴振华张青竹曹磊
堆叠纳米片围栅场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管
本申请公开了一种堆叠纳米片围栅场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管。该制备方法包括：在衬底上沉积形成叠层，叠层包括交替层叠设置的多个硅材料纳米片层与多个硅合金层；刻蚀硅合金层形成第一回缩腔，第一回缩腔位于相邻两个硅材料纳...
张青竹 张渼菏 李恋恋 李庆坤 王兴华曹磊 桑冠荞 蒋任婕 王鹏殷华湘
一种半导体器件及其制备方法
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：衬底；纳米片堆栈部，其设置在所述衬底上；其中，所述纳米片堆栈部包括：多个纳米片形成的叠层，所述纳米片由半导体材料形成；所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟...
殷华湘张青竹姚佳欣曹磊
一种半导体器件及其制备方法
本申请提供一种半导体器件及其制备方法，在衬底表面的一侧外延生长超晶格叠层；刻蚀超晶格叠层，形成多个鳍片；在鳍片上沉积假栅；在刻蚀后鳍片的两端形成内侧墙；选择性刻蚀掺杂介质层，通过鳍片两侧剩余的掺杂介质层，对第二半导体层进...
姚佳欣曹磊李庆坤张青竹殷华湘
半导体器件及其制备方法、电子设备
本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，该半导体器件包括衬底、沟道层堆栈部、环绕式栅极、源漏功能部和侧墙结构，沟道层堆栈部形成于衬底一侧，包括沿衬底的厚度方向排列的多个沟道层，沟道层的长度方向垂直于衬底的厚度方...
张青竹蒋任婕桑冠荞曹磊李恋恋张渼菏
一种半导体器件及其制备方法
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，衬底；纳米片堆栈部，其设置在所述衬底上；其中，所述纳米片堆栈部包括：多个纳米片形成的叠层，所述纳米片由半导体材料形成；所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道；环绕式栅极，其环绕于所述纳...
殷华湘曹磊张青竹姚佳欣
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