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张科营

作品数：37 被引量：70H指数：5
供职机构：西北核技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇期刊文章
  • 11篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 21篇电子电信
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  • 2篇核科学技术
  • 2篇理学
  • 1篇文化科学

主题

  • 19篇单粒子
  • 8篇单粒子效应
  • 6篇单粒子翻转
  • 6篇电路
  • 6篇总剂量
  • 5篇总剂量效应
  • 5篇测试系统
  • 4篇辐照效应
  • 4篇存储器
  • 3篇瞬态
  • 3篇瞬态效应
  • 3篇随机存储器
  • 3篇静态随机存储...
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  • 2篇电路模型
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机构

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  • 1篇中国科学院新...
  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 37篇张科营
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  • 31篇罗尹虹
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  • 7篇王伟
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  • 3篇王艳萍
  • 3篇陈伟
  • 1篇范雪

传媒

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  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇现代应用物理

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2018
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 10篇2013
  • 7篇2011
  • 7篇2010
  • 5篇2009
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaN HEMT器件中子辐照效应实验研究被引量：4
2011年
建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移损伤效应敏感参数和效应规律。结果表明,阈值电压、栅极泄漏电流以及漏极电流是中子辐照损伤的敏感参数,讨论了器件性能退化的各种辐射损伤机制。
王燕萍罗尹虹张科营王园明
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管中子辐照
累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究被引量：2
2014年
本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究表明,随着累积剂量的增加,SRAM器件漏电流增大,影响存储单元低电平保持电压、高电平下降时间等参数,导致"反印记效应".研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术支持.
肖尧郭红霞张凤祁赵雯王燕萍丁李利范雪罗尹虹张科营
关键词：单粒子效应静态随机存储器
反射中子对金属快中子脉冲堆特性参数的影响研究
2024年
快中子脉冲堆对墙壁反射中子比较敏感,反射中子会改变快中子脉冲堆波形,当反射中子较多时可能会对脉冲堆的运行安全造成不利影响。本文建立了考虑墙壁反射中子效应的点堆动力学方法、蒙特卡罗中子学计算方法和ANSYS热力学计算方法三者耦合的“核-热-力”耦合方法,并对含有墙壁反射中子效应的快中子脉冲堆Godiva-Ⅰ瞬态过程进行分析。结果表明:反射中子使脉冲后沿提高,使冲坪时的反应性变低,使堆芯位移、应力有所提高。
郭树伟陈珍平江新标李达张科营张信一王立鹏谢金森于涛
关键词：快中子脉冲堆
一种适于辐射效应测试的信号延迟自动补偿方法及系统
本发明涉及一种适于辐射效应测试的信号延迟自动补偿方法及系统，本发明系统包括时钟相位调整模块、校验向量生成模块和延迟补偿判断模块；本发明方法中采用了一种可调节相位的时钟采集经过长线传输的信号，该采样时钟相位调整到可以使信号...
张科营张凤祁罗尹虹郭红霞姚志斌王园明郭晓强王忠明闫逸华丁李丽赵雯王燕萍
文献传递
一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法
本发明涉及一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法，设定器件的实际材料结构、几何结构、掺杂参数，实现完整的器件模型；进行半导体特性数值计算，求解扩散漂移方程、泊松方程以及载流子连续方程，获取器件的电学特征曲线；开展单粒子效应...
郭红霞张科营罗尹虹赵雯闫逸华王园明张凤祁郭晓强丁李丽王忠明王燕萍
静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟被引量：7
2009年
针对特征尺寸为1.5μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子翻转截面曲线.单粒子翻转的数值模拟结果与重离子微束、重离子宽束实验结果比较一致,表明所建立的三维器件模型可以用来研究SRAM器件的单粒子翻转效应.
张科营郭红霞罗尹虹何宝平姚志斌张凤祁王园明
关键词：三维数值模拟单粒子翻转微束
静态单粒子翻转截面的获取及分类被引量：4
2011年
为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对翻转数据进行了分类。结果表明:SRAM型FPGA的内部存储单元对单粒子翻转效应十分敏感;配置存储器翻转主要由查找表(LUT)及互连线资控制位造成,这两者的翻转占总翻转数的97.46%;配置存储器中各类资源的单粒子翻转(SEU)敏感性并不一致,输入输出端口(IOB)控制位和LUT的单粒子翻转的敏感性远高于其它几类资源,但LUT在配置存储器中占有很大比例,在加固时应予以重点考虑。
姚志斌范如玉郭红霞王忠明何宝平张凤祁张科营
关键词：FPGA辐照效应单粒子效应单粒子翻转
纳米DDR SRAM器件重离子单粒子效应试验研究被引量：8
2013年
针对90nm和65nm DDR(双倍数率)SRAM器件,开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律,并对现有试验方法的可行性进行了分析。研究表明:特征尺寸减小导致翻转截面降低,测试图形和工作电压对器件单粒子翻转截面影响不大;随着入射角度增加,多位翻转的增加导致器件SEU截面有所增大;余弦倾角的试验方法对于纳米器件的适用性与离子种类和线性能量转移(LET)值相关,具有很大的局限性。
罗尹虹张凤祁郭红霞周辉王燕萍张科营
关键词：单粒子效应倾角
模数转换器辐照效应测试系统研制被引量：2
2009年
本工作研制基于柱形图分析法的模数转换器辐照效应测试系统。详细描述了系统的测试原理、系统组成、系统控制流程及系统实现的功能。利用该系统在60Co源上对商用12位AD574AJD芯片进行了总剂量效应试验。结果表明,系统所测的ADC器件的静态参数及功能参数能正确反映器件的效应损伤情况,是一良好的ADC器件辐照效应测试平台。
姚志斌何宝平张凤祁张科营王圆明
关键词：模数转换器辐照效应微分非线性增益误差参考电压
基于蒙特卡洛和器件仿真的单粒子翻转计算方法被引量：2
2014年
文章提出了一种基于蒙特卡洛和器件仿真的存储器单粒子翻转截面获取方法,可以准确计算存储器单粒子效应,并定位单粒子翻转的灵敏区域.基于该方法,计算了国产静态存储器和现场可编程门阵列(FPGA)存储区的单粒子效应的截面数据,仿真结果和重离子单粒子效应试验结果符合较好.仿真计算揭示了器件单粒子翻转敏感程度与器件n,p截止管区域面积相关的物理机理,并获得了不同线性能量转移(LET)值下单粒子翻转灵敏区域分布.采用蒙特卡洛方法计算了具有相同LET、不同能量的离子径迹分布,结果显示高能离子的电离径迹半径远大于低能离子,而低能离子径迹中心的能量密度却要高约两到三个数量级.随着器件特征尺寸的减小,这种差别的影响将会越来越明显,阈值LET和饱和截面将不能完全描述器件单粒子效应结果.
王晓晗郭红霞雷志锋郭刚张科营高丽娟张战刚
关键词：蒙特卡罗单粒子翻转
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