您的位置: 专家智库 > >

张爱梅

作品数:4 被引量:5H指数:2
供职机构:南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学机械工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇界面粗糙度
  • 2篇X射线
  • 1篇多层膜
  • 1篇散射
  • 1篇射线
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇微结构
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格失配
  • 1篇NIO
  • 1篇SI基
  • 1篇TA
  • 1篇X射线散射
  • 1篇CA
  • 1篇CO
  • 1篇LA
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻
  • 1篇MNO

机构

  • 4篇南京大学
  • 2篇南京理工大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇南昌大学
  • 1篇香港大学

作者

  • 4篇张爱梅
  • 3篇吴小山
  • 2篇蒋树声
  • 2篇吴忠华
  • 2篇陈兴
  • 2篇谭伟石
  • 2篇蔡宏灵
  • 2篇孙民华
  • 2篇陈中军
  • 1篇徐金
  • 1篇杜军
  • 1篇孙亮
  • 1篇胡安
  • 1篇黄军平
  • 1篇高炬
  • 1篇罗广圣
  • 1篇焦春红

传媒

  • 2篇核技术
  • 1篇物理
  • 1篇常熟理工学院...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2004
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响
2004年
用磁控溅射方法制备了一系列含NiO反铁磁层的Co/Cu/Co自旋阀结构。电磁输运测量表明,对相同Co/Cu/Co结构的自旋阀,NiO在自旋阀的顶部(TSV)和在自旋阀的底部(BSV)表现了不同的磁电阻值和热稳定特性。X射线镜面反射和横向漫散射测量证明小的界面粗糙度是导致磁电阻增大的主要原因,而Co与NiO层间的耦合减弱将导致MR减小,两者共同的作用决定了含NiO的自旋阀的磁电阻。我们由此设计实验将:BSV自旋阀的磁电阻值提高近1倍,即达到-12%,而对称自旋阀的磁电阻则提高到15%。
张爱梅吴小山孙亮蔡宏灵杜军胡安蒋树声谭伟石黄军平罗广圣陈中军陈兴孙民华吴忠华
关键词:界面粗糙度
薄膜和多层膜的X射线散射方法与应用被引量:3
2007年
文章主要介绍了几种X射线散射技术,包括X射线小角反射技术、X射线漫散射技术、掠入射X射线衍射和多晶薄膜的小角衍射技术。通过具体的事例说明这些X射线散射方法在薄膜研究中的应用。
张爱梅吴小山
关键词:X射线散射微结构
Si基上Co、Ta、NiO生长次序对界面结构的影响
2006年
用磁控溅射方法在Si衬底上制备了一系列NiO、Ta、Co的薄膜与多层膜,利用掠入射X射线散射方法研究了不同生长顺序的薄膜的表面、界面结构与形态,结果表明各层的沉积次序会影响各层的形态,尤其是SiO2层的厚度、质量密度等,对各层之间的界面粗糙度也会产生很大影响。进而研究了自旋阀结构的多层膜的界面形态和粗糙度,这对于解释含NiO的Co/Cu/Co基自旋阀的磁电阻提升提供了结构依据。
焦春红张爱梅
关键词:X射线界面粗糙度
La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3薄膜结构与输运性质被引量:2
2004年
用磁控溅射方法在不同单晶衬底材料上制备了一系列含La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)薄膜。当薄膜厚度大于200?,在我们实验条件下可观测到金属-绝缘体转变,且转变温度随厚度和衬底材料而变化。渗流电阻模型被用来解释薄膜材料的电输运特性,结合薄膜外延特性(晶格失配)和薄膜与衬底的相互作用,及薄膜表面、界面粗糙度的测量可知薄膜的剩余电阻、极化子的激活能、金属-绝缘体转变温度等密切与薄膜质量相关。
吴小山徐金蔡宏灵张爱梅蒋树声谭伟石陈中军陈兴孙民华吴忠华高炬
关键词:界面粗糙度晶格失配
共1页<1>
聚类工具0