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刘王来
作品数:
4
被引量:9
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
北京市科技计划项目
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
文化科学
经济管理
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合作作者
王占国
中国科学院半导体研究所
叶小玲
中国科学院半导体研究所
黄鲁成
北京工业大学经济与管理学院
李剑
北京工业大学经济与管理学院
卢文光
北京工业大学经济与管理学院
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知识图谱
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文献计量分析
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半导体
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LED
机构
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北京工业大学
作者
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刘王来
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王占国
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李剑
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黄鲁成
传媒
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情报学报
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2012
1篇
2010
2篇
2009
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量子点半导体光放大器研究
In(Ga)As/GaAs自组织量子点(QD)材料体系因具有三维量子限制效应,以其作为增益介质的量子点器件表现出许多独特的性能。量子点激光器(QD-LD)具有更低的阈值电流密度和更高的特征温度;量子点超辐射发光管(QD-...
刘王来
基于文献计量分析的LED知识图谱及产业化对策
被引量:9
2009年
LED照明是当前最具发展前景的高技术领域之一。本文运用文献计量相关分析方法对LED的历史文献进行分析,通过绘制多维尺度分析图谱和核心关键词关联知识图谱,挖掘当前LED的技术成熟度、研究热点和关键技术点等信息,得出LED技术目前主要集中宽带隙材料、发光类型及特性、有机发光和超亮度LED研发上 氮化镓(GaN)、电致发光(electroluminescence)、光致发光(photoluminescence)、白光(White LED)等在整个LED研究中处于中心和控制大多数信息流向的地位。最后,本文通过国别分析判断我国LED产业的实力水平,最终为我国的LED技术产业化发展提供建议。
王吉武
黄鲁成
李剑
刘王来
卢文光
关键词:
LED
文献计量分析
共词分析
知识图谱
用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构
本发明公开了一种用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构,包括:一N型砷化镓衬底;一N型砷化镓缓冲层,生长在N型砷化镓衬底上,用于隔离衬底上的缺陷;一N型铝镓砷光学下限制层,生长在N型砷化镓缓冲层上,用于光学模式和载流...
刘王来
叶小玲
徐波
王占国
文献传递
用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构
本发明公开了一种用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构,包括:一N型砷化镓衬底;一N型砷化镓缓冲层,生长在N型砷化镓衬底上,用于隔离衬底上的缺陷;一N型铝镓砷光学下限制层,生长在N型砷化镓缓冲层上,用于光学模式和载流...
刘王来
叶小玲
徐波
王占国
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