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叶小玲

作品数：44 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 15篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 8篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 23篇量子点
  • 21篇量子
  • 15篇发光
  • 11篇激光
  • 11篇激光器
  • 9篇砷化镓
  • 8篇量子点激光器
  • 8篇INAS/G...
  • 7篇光谱
  • 6篇砷化铟
  • 6篇砷化镓衬底
  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 6篇INAS/G...
  • 6篇衬底
  • 6篇GAAS
  • 5篇晶体
  • 5篇光致
  • 5篇光致发光
  • 5篇光子

机构

  • 44篇中国科学院
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇浙江工业大学
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 44篇叶小玲
  • 35篇王占国
  • 19篇陈涌海
  • 7篇金鹏
  • 6篇钱家骏
  • 5篇刘峰奇
  • 5篇李凯
  • 5篇彭银生
  • 4篇胡良均
  • 4篇张世著
  • 4篇韩勤
  • 3篇吴巨
  • 3篇周文飞
  • 3篇张春玲
  • 3篇梁凌燕
  • 3篇姜立稳
  • 2篇王元立
  • 2篇梁基本
  • 2篇黄秀颀
  • 2篇刘王来

传媒

  • 5篇Journa...
  • 3篇物理学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇光子学报
  • 1篇北京师范大学...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第六届全国分...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇全国化合物半...
  • 1篇2000年中...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
  • 7篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 6篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 3篇2002
  • 4篇2001
  • 3篇2000
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
有效折射率微扰法研究单缺陷光子晶体平板微腔的性质
2012年
应用有效折射率微扰法结合二维/三维平面波方法研究了施主和受主缺陷型H1微腔的性质,使用修正后的有效折射率可以准确地计算微腔的腔模频率,与三维全矢量时域有限差分法的计算结果很相近.对于施主型H1微腔,以介质带边为匹配标准修正的有效折射率计算的微腔腔模频率误差最小,而对于受主型H1微腔,匹配标准则应设置为中间带.有效折射率微扰法既可以将计算的维度从三维降到二维,大大减少计算所需的计算机内存和时间,又可以保持计算结果的准确性,这对于光子晶体微腔的广泛应用具有非常重要的价值.
周文飞叶小玲徐波张世著王占国
关键词：有效折射率
同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法
本发明公开了一种在高温湿法氧化时同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>(1-x)</Sub>As氧化层热稳定性的方法。该方法是通过在GaAs层上采用等离子体化学气相淀积法生长一定厚度...
周文飞徐波叶小玲张世著王占国
文献传递
1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究
2000年
介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88％,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出。
钱家骏叶小玲徐波韩勤陈涌海丁鼎梁基本刘峰奇张金福张秀兰王占国
关键词：INAS/GAAS量子点激光器电致发光谱光学特性
光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
2007年
采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是:(1)大量子点的态密度小于小量子点;(2)捕获载流子速率,大量子点小于小量子点;(3)大量子点与盖层存在较大的应变势垒和可能出现的位错和缺陷,导致温度变化引起载流子从小尺寸量子点转移到大尺寸的量子点中概率很小。
贾国治姚江宏张春玲舒强刘如彬叶小玲王占国
关键词：光致发光谱量子点
单模带间级联激光器(特邀)
2023年
基于锑化物的带间级联激光器同时具有带间跃迁的高增益和级联结构的高量子效率,是中红外波段重要的相干光源,其功耗低于其它中红外半导体激光器,因而单模带间级联激光器在基于激光吸收光谱技术的高分辨气体检测和化学传感等领域具有很大的优势。目前利用Bragg光栅实现波长选择的单模分布反馈带间级联激光器已经实现商品化,但是,与同样有源区结构的Fabry-Pérot腔带间级联激光器最高600 mW的出光功率相比,单模功率最高55 mW,损耗较大。对几种不同结构的分布反馈带间级联激光器的性能进行对比分析,探讨这类单模中红外激光器损耗的主要来源以及改进思路。此外,介绍了垂直腔面发射和光子晶体带间级联激光器的进展,并与分布反馈带间级联激光器的性能进行比较,讨论其优缺点及适用的场景。
刘舒曼张锦川张锦川刘俊岐叶小玲卓宁刘俊岐李远王利军
关键词：中红外单模面发射激光器
砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法
一种砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：异质外延生长砷化铟应变自组装纳米点；步骤3：外延砷化镓薄层，使其部分覆盖上述砷化铟纳米点；步骤4：第一次退火；步...
李凯叶小玲王占国
文献传递
GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法
一种GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1：将激光器管芯的引线焊接在样品架上；步骤2：调整样品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；步骤3：将样品架的引线接入光电流测量系统的电路，并...
梁凌燕叶小玲徐波陈涌海王占国
文献传递
Ⅲ-Ⅴ族半导体低维结构材料的平面光学各向异性
该论文利用偏振差分反射光谱(RDS)和偏拓差分光电流谱(PCDS)技术,并结合包络函数计算模型首先对GaAs/Al(Ga)As量子阱的平面光学各向异性进行了系统的研究,在对量子阱的光学各向异性有深刻的认识的基上把研究对象...
叶小玲
关键词：光学各向异性
量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究被引量：1
2002年
在室温下用偏振差分反射谱技术观察到了 Ga As/Al Ga As、In Ga As/Ga As和 In Ga As/In P三种量子阱材料的平面光学各向异性。我们发现 Ga As/Al Ga As量子阱 1 h→ 1 e跃迁的偏振度与阱宽成反比 ,与 In Ga As/In P量子阱的报道结果类似。 Ga原子偏析引起的界面不对称可以很好地解释这种行为。与之相反 ,In Ga As/Ga As量子阱的光学各向异性倾向于与阱宽成正比。目前还不能很好地解释这种现象。
陈涌海叶小玲王占国
关键词：光学各向异性偏振
具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法
本发明一种具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层沉积在衬底，它可以有效地阻止衬底中的位错可能延伸到外延层中来；一绝缘层，该绝缘层沉积在缓冲层上；一量子点注入层，该量子点注入层...
胡良均陈涌海叶小玲王占国
文献传递
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