陈阿青
- 作品数：5 被引量：9H指数：3
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种用于LCD驱动的低功耗输出缓冲放大器被引量：3
- 2010年
- 在AB类输出级的基础上,结合正反馈辅助的B类输出级,提出了一种用于LCD驱动电路的大输出摆率、低功耗的输出缓冲放大器。在0.15μm高压CMOS工艺模型下,该放大器能够驱动0～20nF范围的容性负载,静态电流为7μA,1%精度建立时间小于6μs,满足了LCD驱动电路行建立时间的要求;通过采用共源共栅频率补偿结合输出零点补偿技术,较好地满足了大动态范围容性负载的要求。
- 林志成邵庆益陈阿青
- 关键词：CMOSLCD驱动缓冲放大器低功耗
- 掺杂单壁碳纳米管的电子结构及量子输运与扭曲碳纳米管的储氢性能
- 碳纳米管自从被发现以来，由于它的独特的物理、化学性质和特殊的几何结构，在在未来高科技领域的许多潜在应用价值而倍受人们的关注，成为材料科学领域的研究热点之一。对碳纳米管进行掺杂能够进一步改善碳纳米管的物理与化学性质，能够拓...
- 陈阿青
- 关键词：碳纳米管掺杂改性储氢性能
- 文献传递
- 用于TFT-LCD驱动电路的输出缓冲放大器被引量：3
- 2009年
- 设计了一种用于TFT-LCD驱动的低功耗CMOS缓冲放大器。该放大器在AB类缓冲放大器的基础上,结合辅助的B类放大器,能够驱动大容性负载,以较低的功耗达到了LCD驱动的速度要求。在0.15μm CMOS工艺模型、20 nF电容负载和5.5 V电源电压下,该缓冲放大器的静态功耗为40μW,1%精度的建立时间为7μs。
- 林志成邵庆益陈阿青
- 关键词：CMOSLCD驱动缓冲放大器低功耗
- 磷掺杂对单壁碳纳米管电子结构的影响
- 2009年
- 用基于密度泛函理论的第一性原理对掺P的单壁碳纳米管(SWCNT)进行以下方面的计算:几何形状结构和电子能带结构,杂质的形成能、总能量、态密度和能带结构.得出在不同管径的P掺杂SWCNT中,杂质的形成能随着管径的增大而增大,相同管径的SWCNT的总能量随着掺杂浓度的增大而减小,不同位置杂质P和它附近的C所形成的键角不同,进一步得到不同位置杂质产生的杂质能级的位置也不同,这可能由C—P—C键角的大小决定.从结果中还得到P原子以替位式掺杂形式掺入到碳纳米管中是可行的,而且掺P的SWCNT导电呈现出N型.
- 陈阿青邵庆益林志成
- 关键词：单壁碳纳米管第一性原理计算形成能态密度
- 硼/磷掺杂单壁碳纳米管电子结构的第一性原理计算被引量：3
- 2011年
- 利用第一性原理电子结构计算方法,基于密度函数理论(DFT),研究了硼(B)/磷(P)掺杂单壁碳纳米管.有无外电场时的总能量,Mayer键级,能带结构和态密度被计算.结果表明有电场时B/P掺杂单壁碳纳米管比无电场时更稳定.B/P掺杂单壁碳纳米管有特殊的能带结构,非常不同于B/N掺杂碳纳米管;由于硼/磷掺杂打破了单壁碳纳米管的对称结构,使得金属型碳纳米管被转换为半导体型.B/P掺杂单壁碳纳米管中的成键方式被详细研究.
- 张娟陈阿青邵庆益
- 关键词：单壁碳纳米管掺杂电子结构第一性原理
