陈足红
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 铟磷共掺杂p型氧化锌薄膜形成机理和性质(英文)被引量：2
- 2009年
- 利用射频磁控溅射在石英衬底上生长出铟磷共掺氧化锌薄膜(ZnO:In,P),所用靶材为掺杂五氧化二磷(P2O5)和氧化铟(In2O3)的氧化锌(ZnO)陶瓷靶,掺杂质量分数分别为1.5%和0.3%,溅射气体为Ar和O2的混合气体。原生ZnO薄膜是绝缘的, 600℃退火5 min后导电类型为n型,而800℃退火5 min后为p型。p型ZnO薄膜的电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率分别为12.4Ω.cm, 1.6×1017cm-3和3.29 cm2.V-1.s-1。X射线衍射测量结果表明所有样品都只有(002)衍射峰,并与相同条件下生长的未掺杂ZnO相比向大角度方向偏移,意味着In和P都占据Zn位。XPS测试结果表明在共掺ZnO薄膜中P不是取代O而是取代Zn。因此,铟磷共掺ZnO薄膜中,In和P都取代Zn,并且PZn与2个锌空位(VZn)形成PZn-2VZn复合受主,薄膜表现为p型。
- 陈足红姚斌郑昌佶杨通赵婷婷单崇新张振中李炳辉张吉英申德振
- 关键词：氧化锌共掺射频磁控溅射XPS
- P掺杂和In-P共掺杂p型ZnO薄膜的制备、性质和机理
- 陈足红
- 关键词：磁控溅射
- P掺杂和In-P共掺p型ZnO薄膜的制备、性质和机理
- 六方纤锌矿结构ZnO是一种直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，室温禁带宽度为3.37 eV，激子结合能为60 meV，远高于其它宽禁带半导体材料的激子结合能，如GaN为25 meV,可以实现室温或更高温度下高效的激子自发和...
- 陈足红
