郑望
- 作品数：4 被引量：11H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 低剂量SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究被引量：3
- 2001年
- 用Secco法、Cu-plating法分别表征了低剂量SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度。结果显示,低剂量SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低,但埋层质量稍差。通过注入工艺和退火过程的进一步优化,低剂量SIMOX将是一种有前途的SOI材料制备工艺。
- 郑望陈猛陈静林梓鑫王曦
- 关键词：SOISIMOX线缺陷针孔
- 低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度被引量：2
- 2001年
- 用增强化学腐蚀法研究了低剂量 SIMOX- SOI材料表层硅质量与实验参数的关系 .结果表明 ,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响 .通过对注入剂量和能量的优化 ,表层硅线缺陷密度可低于 10 4cm- 2 .在注入能量为16 0 ke V时 ,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为 5 .5× 10 1 7cm- 2 左右 ,当注入剂量为 4.5× 10 1 7cm- 2 ,获得低线缺陷密度对应的注入能量为 130 ke
- 郑望陈猛陈静林梓鑫王曦
- 关键词：SOI缺陷密度硅集成电路
- 低剂量SIMOX圆片研究被引量：3
- 2001年
- 用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量 SIMOX圆片的结构特征 .结果显示 ,选择恰当的剂量能量窗口 ,低剂量 SIMOX圆片表层 Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低且硅 /二氧化硅界面陡峭 .这些研究表明 ,低剂量 SIMOX圆片制备是很有前途的
- 陈猛陈静郑望李林牟海川林梓鑫俞跃辉王曦
- 关键词：低剂量SIMOXSOI集成电路
- 等离子体浸没式离子注入圆形薄片均匀性研究被引量：3
- 2002年
- 采用PIC(Particalincall)方法考察了等离子体浸没式离子注入工艺中,样品和靶台的几何尺寸、形状及防止溅射沾污的绝缘材料对于注入离子径向分布的影响。并对模拟结果进行了讨论分析。结果表明,影响剂量分布的主要因素是基片和靶台的横向尺寸,为改善等离子体浸没式离子注入均匀性的研究提供参考数据。
- 江炳尧郑望王曦
- 关键词：均匀性PIC
