林梓鑫
- 作品数：44 被引量：111H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程金属学及工艺更多>>
- 低剂量SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究被引量：3
- 2001年
- 用Secco法、Cu-plating法分别表征了低剂量SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度。结果显示,低剂量SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低,但埋层质量稍差。通过注入工艺和退火过程的进一步优化,低剂量SIMOX将是一种有前途的SOI材料制备工艺。
- 郑望陈猛陈静林梓鑫王曦
- 关键词：SOISIMOX线缺陷针孔
- 氮离子注入金刚石薄膜的研究
- 1997年
- 采用Raman光谱、四探针法、X射线衍射(XRD)、Rutherford背散射谱(RBS)、Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等手段研究了不同能量不同剂量的N^+注入对CVD金刚石膜的结构和电学性质的影响.
- 辛火平林成鲁王建新邹世昌石晓红林梓鑫周祖尧刘祖刚
- 关键词：氮离子注入金刚石薄膜RAMAN光谱电学性质
- 高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究
- 2004年
- 采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系。
- 邢玉梅俞跃辉林梓鑫宋朝瑞杨文伟
- 关键词：碳化硅埋层离子束合成退火
- Polyimide辐照效应的紫外及可见光谱研究
- 1993年
- 聚酰亚胺(polyimide)是一种电绝缘特性极好的热稳定芳香族聚合物,也被用作光致抗蚀剂.现已发现经过适当剂量的离子注入之后,聚酰亚胺的电导率能提高约20个量级,达到半导体水平.作为抗电磁辐射封装材料和温敏材料,聚酰亚胺已受到广泛瞩目,被公认是一种值得重视的新型功能材料.近年来的研究已经表明:聚酰亚胺改性层电导率的提高与其内部类石墨相的形成存在密切的联系.本文通过紫外及可见光谱研究了注入过程中聚酰亚胺的结构变化,以期对其中类石墨相的形成有一个较深入的了解.
- 许东徐兴龙林梓鑫杜根娣邹世昌
- 关键词：聚酰亚胺离子注入可见光谱
- 基于低温键合技术制备SOI材料的研究
- 本文通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系,研究结果表明退火温度在100℃升到300℃的过程中,键合强度得到明显加强,高于300℃,键合强度随退火温度略有增加,但不明...
- 詹达马小波刘卫丽宋志棠林梓鑫沈勤我
- 关键词：SOI材料键合强度低温键合
- 文献传递
- 一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法
- 本发明涉及一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘层上硅的方法,其特征在于,(1)再在30－210keV能量下氧离子,注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择,使制备的SOI结构的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低;(2)注入完成...
- 陈猛王湘王曦陈静林梓鑫
- 文献传递
- C^+注入SiO_2薄膜的蓝光发射
- 1997年
- 自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工艺直接应用于光电器件中去,而且为介观系统新现象、新规律研究提供了一个理想的研究体系。
- 赵俊杨根庆林梓鑫江炳尧周祖尧柳襄怀
- 关键词：二氧化硅蓝光发射离子注入半导体
- 用离子束技术改善Ni_3Al(0.1B)在H_2SO_4溶液中的耐蚀性能被引量：2
- 1992年
- 用多次扫描循环极化法研究经离子束表面改性的Ni_3Al(0.1B)在H_2SO_4溶液中的腐蚀行为。电化学测试和表面形貌的观察结果表明,离子注入、离子束混合和离子束辅助沉积技术对减缓Ni_3Al(0.1B)在用氧气饱和的1N H_2SO_4溶液中的腐蚀和改善钝化性能很有效果。
- 柳襄怀郑志宏黄巍林梓鑫邹世昌
- 关键词：NI3AL硫酸溶液耐蚀性
- 叠加能量Si^+、N^+共注入SiO_2薄膜的光致发光
- 1998年
- 报道了用叠加能量Ｓｉ＋、Ｎ＋共注入ＳｉＯ２薄膜研究硅基发光材料。Ｓｉ＋、Ｎ＋先后注入ＳｉＯ２薄膜，并在衬底中重叠。样品退火后在紫外光激发下，可以观察到很强的紫外（～３４０ｎｍ）和紫色（～４２７ｎｍ）光致发光（ＰＬ）。还研究了光致发光激发（ＰＬＥ）谱并对发光机制进行了探讨。
- 赵俊杨根庆丁星肇林梓鑫江炳尧江炳尧柳襄怀
- 关键词：光致发光离子注入硅基发光材料
- 离子注入红霉素产生菌诱变高产菌株及其机理初步研究被引量：55
- 1997年
- 用４０～６０ｋｅＶ、剂量１×１０１１～５×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２的Ｎ＋离子注入红霉素产生菌后可产生可遗传的变异，在一定范围内红霉素产生菌的正向突变分布百分数与离子注入剂量正相关，离子注入后红霉素产生菌的菌落形态和孢子颜色发生变化，经筛选得到了高产突变菌株，摇瓶发酵表明高产突变菌株产量可提高２０％以上。与紫外线诱变相比，离子注入诱变具有突变范围广和突变程度高的特点。ＥＳＲ测试表明离子注入产生的自由基对生物效应基本上无影响，离子注入生物效应主要应由注入离子与生物分子的直接作用引起。对离子注入诱变的机理进行了探讨。
- 陈宇林梓鑫张峰毛应俊柳襄怀汤建中朱卫民黄勃
- 关键词：离子注入突变诱变
