诸葛兰剑
- 作品数：137 被引量：278H指数：8
- 供职机构：苏州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目江苏省教委自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 高k材料Ta2O5结构与电学性质的研究被引量：1
- 2011年
- 利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。
- 陈息林余涛吴雪梅董尧君诸葛兰剑
- 关键词：高K栅介质TA2O5MOSFET器件微结构电学性质
- 铝共掺杂调制ZnO∶Mn纳米棒阵列的磁学和电学特性被引量：1
- 2017年
- 采用磁控溅射方法制备了锰掺杂氧化锌和铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒阵列并详细研究了它们的电学和磁学特性。微结构测试的结果表明,掺杂后的氧化锌纳米棒阵列保持了纤锌矿晶体结构,掺杂锰离子和铝离子占据了晶体中锌离子的位置实现了替位式掺杂。磁学性质测试结果表明铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒在室温下具有明显的铁磁性,饱和磁矩为0.33μB/Mn atom,是居里温度高于室温的一维稀磁半导体材料。电学性质测试结果表明铝的共掺杂可以使得锰掺杂氧化锌纳米棒的电阻率降低4个数量级,使得铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒有可能在未来自旋电子器件中作为高效自旋注入元器件得到广泛应用。
- 吴兆丰金成刚吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：氧化锌纳米棒磁学性质
- Nb和N_2在球磨过程中的固-气反应被引量：9
- 1999年
- 利用改装后可充一定压力气体的球磨罐，装入一定量的高纯金属，经抽真空后充入一定压力的氮气，在室温下进行球磨产生固－气反应制备出金属氢化物的超细微粒．以金属铌为例，用XRD和TEM分别对生成物的晶粒尺度和相结构进行了分析测量．从热力学讨论了金属氮化的形成机制，在固－气反应中氮气分子在金属清洁表面的化学吸附起着重要作用．球磨过程中产生的大量缺陷对金属－氮气的反应有重要影响．
- 吴雪梅陈静诸葛兰剑姚伟国
- 关键词：NBN2球磨化学吸附铌机械合金化
- 辅源气体含量的改变对双离子束溅射沉积制备的硼碳氮薄膜性质的影响
- <正>B-C-N相的特殊性质引起了人们浓厚的兴趣,以高纯B_4C(99.99%)靶所制备的BCN薄膜由于具有优异的力学性质和耐磨性,可望在某些领域替代类金刚石膜(DLC)。BCN薄膜的制备方法很多,如化学气相沉积及物理气...
- 杨旭敏吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：BCN表面粗糙度弹性模量
- 文献传递
- 一种小型两用平面大气压等离子体放电装置
- 本实用新型涉及等离子体应用领域中的一种小型两用平面大气压等离子体放电装置，包括相对间隔设置在光学平台上的上电极组件和下电极组件，上电极组件和下电极组件之间预留有放电间隙；下电极组件包括下电极座，设置在下电极座上的电极一，...
- 吴雪梅张潇漫黄天源诸葛兰剑
- 一种螺旋波天线系统
- 本发明涉及一种螺旋波天线系统，包括绝缘管、绕设在绝缘管上的右旋天线、套设在右旋天线外的绝缘层以及套设在绝缘层外的屏蔽套筒，屏蔽套筒的一端呈封闭状且连接有进气管，绝缘管的一端与屏蔽套筒的一端抵接，进气管与所述绝缘管连通，屏...
- 黄天源金成刚於俊吴雪梅诸葛兰剑
- 文献传递
- 球磨法制备α′-Fe(N)超细粉末被引量：1
- 1999年
- 通过球磨α－ Ｆｅ 和脲的混合粉末，制得α′－ Ｆｅ（Ｎ） 超细粉末．使用Ｘ 射线衍射仪（ＸＲＤ） 、透射电镜（ＴＥＭ） 和热失重（ＴＧＡ） 分析了在真空条件下经１３０ ｈ 和２００ ｈ 球磨后的粉末样品的结构和性能．结果表明，经１３０ ｈ 球磨后开始得到α′－ Ｆｅ（Ｎ） 相；热分析表明，α′－ Ｆｅ（Ｎ） 相在４３０℃以下是稳定的；经球磨２００ ｈ 后，得到α′－ Ｆｅ（Ｎ） 超细粉末（０ ．０３～０ ．０６ μｍ） ，它是ｒ（Ｎ） 为１３ ．４９％ 的过饱和固溶体．
- 诸葛兰剑吴雪梅董业民孙建平姚伟国
- 关键词：球磨过饱和固溶体超细粉末
- 采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法
- 本发明涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：（1）将Ar气和H<Sub>2</Sub>气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H<Sub>2</Su...
- 吴雪梅於俊金成刚黄天源季佩宇杨佳奇诸葛兰剑
- 文献传递
- 锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制被引量：1
- 2001年
- 采用射频磁控溅射技术 ,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件。器件的结构为半透明Au膜 /Ge纳米镶嵌薄膜 /p Si基片。当正向偏压大于 6V时 ,用肉眼可以观察到可见的电致发光 ,但在反向偏压下探测不到光发射。所测电致发光谱中只有一个发光峰 ,峰位在 5 10nm ( 2 .4eV ,绿光 ) ,并且随着正向偏压的升高 ,峰位不发生移动 ;对于不同温度退火的样品 ,峰位也保持不变。
- 董业民叶春暖汤乃云陈静吴雪梅诸葛兰剑王曦姚伟国
- 关键词：电致发光发光机制
- 螺旋波等离子体放电研究进展
- 等离子体技术可以产生具有化学活性的基团，已被广泛用于材料特性的改变;可以制造出具有特殊结构和表面特性的材料，这种效果是用其他商业技术手段无法实现的。对世界主要的制造工业来说，等离子体处理技术起着极其重要的作用。低温等离子...
- 吴雪梅金成刚黄天源诸葛兰剑
- 关键词：螺旋波等离子体磁场等离子体密度
