吴雪梅
- 作品数：170 被引量：182H指数：7
- 供职机构：苏州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目江苏省教委自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 高k材料Ta2O5结构与电学性质的研究被引量：1
- 2011年
- 利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。
- 陈息林余涛吴雪梅董尧君诸葛兰剑
- 关键词：高K栅介质TA2O5MOSFET器件微结构电学性质
- 铝共掺杂调制ZnO∶Mn纳米棒阵列的磁学和电学特性被引量：1
- 2017年
- 采用磁控溅射方法制备了锰掺杂氧化锌和铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒阵列并详细研究了它们的电学和磁学特性。微结构测试的结果表明,掺杂后的氧化锌纳米棒阵列保持了纤锌矿晶体结构,掺杂锰离子和铝离子占据了晶体中锌离子的位置实现了替位式掺杂。磁学性质测试结果表明铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒在室温下具有明显的铁磁性,饱和磁矩为0.33μB/Mn atom,是居里温度高于室温的一维稀磁半导体材料。电学性质测试结果表明铝的共掺杂可以使得锰掺杂氧化锌纳米棒的电阻率降低4个数量级,使得铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒有可能在未来自旋电子器件中作为高效自旋注入元器件得到广泛应用。
- 吴兆丰金成刚吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：氧化锌纳米棒磁学性质
- Nb和N_2在球磨过程中的固-气反应被引量：9
- 1999年
- 利用改装后可充一定压力气体的球磨罐，装入一定量的高纯金属，经抽真空后充入一定压力的氮气，在室温下进行球磨产生固－气反应制备出金属氢化物的超细微粒．以金属铌为例，用XRD和TEM分别对生成物的晶粒尺度和相结构进行了分析测量．从热力学讨论了金属氮化的形成机制，在固－气反应中氮气分子在金属清洁表面的化学吸附起着重要作用．球磨过程中产生的大量缺陷对金属－氮气的反应有重要影响．
- 吴雪梅陈静诸葛兰剑姚伟国
- 关键词：NBN2球磨化学吸附铌机械合金化
- 纳米Ge颗粒镶嵌硅基薄膜的结构与光吸收特性的研究被引量：3
- 2003年
- 采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒镶嵌于SiO2中的复合薄膜(Ge-SiO2),结合样品结构对光吸收特性进行深入的研究。研究发现该类样品存在较强的光吸收,并且光吸收边随Ge颗粒尺寸变小有显著的蓝移现象。采用量子限域模型和介电限域模型分别作了相应的理论计算,结果表明两种模型的理论计算结果与实验值均有一定的偏差;在小尺寸的Ge颗粒情况下,前者与实验值有明显的差异。对此结果我们给出了相应的分析讨论。
- 梁昌振欧阳义芳吴雪梅姚伟国
- 关键词：硅基薄膜光吸收量子限域效应
- 辅源气体含量的改变对双离子束溅射沉积制备的硼碳氮薄膜性质的影响
- <正>B-C-N相的特殊性质引起了人们浓厚的兴趣,以高纯B_4C(99.99%)靶所制备的BCN薄膜由于具有优异的力学性质和耐磨性,可望在某些领域替代类金刚石膜(DLC)。BCN薄膜的制备方法很多,如化学气相沉积及物理气...
- 杨旭敏吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：BCN表面粗糙度弹性模量
- 文献传递
- 球磨技术制备铁的氮化物及性能研究被引量：2
- 2000年
- 本实验通过球磨α -Fe和脲的混合粉末 ,制得α′ -Fe(N)超细粉末 ,N原子含量为 8.8% (原子分数 ) ,饱和磁化强度σs 为 2 42 .7emu/ g。样品经 160℃真空退火 4h ,α -Fe′(N )相部分转变为α″ -Fe16N2 相 ,此时样品的饱和磁化强度σs 提高到2 5 2 .0emu/ g ,样品中α″ -Fe16N2 相含量约 2 1% (质量分数 ) ,其σs为 2 87.0emu/ g。热分析表明 ,在 15 0～ 2 0 0℃ ,α′ -Fe(N )相转变为α″ -Fe16N2 相。
- 诸葛兰剑吴雪梅董业民孙建平姚伟国
- 关键词：球磨超细粉末
- 全文增补中
- 生长温度对热蒸发法制备ZnO纳米线的结构与发光性能影响
- 2013年
- 采用无金属催化剂的简单热蒸发法,在Si(100)衬底上不同生长温度下成功地制备了高密度和大长径比的单晶ZnO纳米线。分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM-EDS)、透射电子显微镜(TEM)及荧光光谱仪表征样品的结构和发光性质。XRD和TEM研究表明,所制备的样品为沿c轴择优取向生长的单晶ZnO纳米线,具有六方纤锌矿结构。SEM和TEM研究表明,生长温度对ZnO纳米线的形貌及长径比的影响较大。当生长温度为700℃时,制备得到长径比为300(长度约为15μm,直径约为50nm)的ZnO纳米线;低于600℃时,形成花状ZnO纳米锥或纳米棒;高于700℃时,形成小长径比的ZnO纳米棒。此外,室温光致发光(PL)谱上出现一个强而尖锐的紫外发射峰以及一个弱而宽泛的蓝光发射峰。采用的热蒸发法制备ZnO纳米线基于气-固(VS)生长机理且该生长方法可用于大规模、低成本制备高纯度的单晶ZnO纳米材料。
- 杨燕余涛金成刚韩琴吴兆丰诸葛兰剑吴雪梅
- 关键词：ZNO纳米线热蒸发光致发光
- 热丝法制备锂硫电池正极材料
- 2010年
- 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)裂解噻吩的方式制备了新型锂电池正极材料,通过SEM、IR、Ram an和EDAX对正极材料的结构和性能进行表征.结果表明,产物为颗粒状薄膜材料,颗粒的平均大小约为400nm,且主要由碳、硫两种元素组成.通过充放电和循环性能测试对其电化学性能进行了初步考察.结果表明,在100 mA/g的电流密度下,电池的首次放电比容量为604 mAh/g,15次循环后电池比容量维持在336 mAh/g.讨论了放电电压平台低及循环容量衰减的原因.
- 张行王传新汪建华皮华滨吴雪梅
- 关键词：热丝化学气相沉积锂电池正极材料
- 螺旋波等离子体制备多种碳基薄膜原位诊断研究被引量：1
- 2021年
- 利用自行研制的强磁场螺旋波等离子体化学气相沉积装置(HWP-CVD),通过改变等离子放电参数,实现多种碳基薄膜制备.利用朗缪尔探针、发射光谱以及质谱对Ar/CH_4等离子体放电进行原位诊断;用扫描电子显微镜和拉曼光谱对碳基薄膜进行表征.结果表明:在给定参数下,等离子体放电模式均为螺旋波放电模式;在给定CH_4流量下,等离子体中电子能量分布均足以使甲烷分子离解,并形成含碳活性自由基.通过CH_4流量调整,实现了不同碳基薄膜的制备.研究表明:当等离子体中富含CH和H自由基时,适合类金刚石薄膜生长;当等离子体中富含C_2自由基和少H时,适合垂直石墨烯纳米片生长.根据等离子体诊断和薄膜表征结果,提出了Ar螺旋波等离子体作用下甲烷分子的裂解机理,建立了碳基薄膜的生长模型;验证了Ar/CH_4–HWP在碳基纳米薄膜制备中的可行性,为HWP-CVD技术制备碳基纳米薄膜提供借鉴.
- 季佩宇黄天源陈佳丽诸葛兰剑吴雪梅
- 关键词：发射光谱质谱螺旋波等离子体
- ECR-CVD方法生长a-SiN_x:H薄膜的研究被引量：3
- 2006年
- 使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法室温生长了非晶氢化的氮化硅薄膜,通过改变前驱气体(SiH4+80%Ar和NH3)的流量比,研究了薄膜的生长速率、等离子体的发射光谱和薄膜的红外特性。结果表明:随着NH3流量的增加,氮化硅薄膜的生长速率呈下降趋势,这主要是由于等离子体中的气相前驱成分之一硅基团浓度的不断下降所导致的;随着NH3流量的增加,薄膜中键合了较多的具有较高电负性的N原子是Si-N和Si-H伸缩振动发生蓝移的主要原因。红外光谱的定量计算表明所制备的氮化硅薄膜具有相对较低的H浓度,约15%左右。文中对氮化硅薄膜的生长机制也进行了讨论。
- 鲁涛辛煜吴雪梅
- 关键词：ECR-CVD发射光谱红外光谱
