袁俊
- 作品数：44 被引量：60H指数：5
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术兵器科学与技术更多>>
- InSb红外探测器表面钝化工艺研究
- 2020年
- 本文工作主要研究了InSb红外探测器表面钝化工艺问题,逐一探讨了射频功率、R(SiH4:N2O)配比、沉积温度、工作压强等工艺参数对InSb芯片表面钝化工艺的影响。将不同条件下获得的材料分别制成MIS结构和红外探测器并进行C-V和I-V测试,结果表明在射频功率为80 W、R配比为20:10、沉积温度为200℃、工作压强为10 Pa时,钝化后的试样C-V特性曲线良好,I-V特性曲线反向平缓,性能较好,满足探测器芯片研制的要求,进一步证实了该条件下的钝化效果较佳。
- 信思树黎秉哲郭胜袁俊孙翔乐王甜姗
- 关键词：表面钝化INSBPECVD
- 不同抛光方式下InSb晶片表面质量的对比研究被引量：2
- 2022年
- 本文分别以加双氧水的化学机械抛光和未加双氧水的纯机械抛光方式对InSb晶片进行表面处理,通过分析氧化膜的生成,以及对InSb晶片的表面划痕、表面粗糙度和表面损伤的表征,开展了两种不同抛光方式下InSb晶片的表面质量对比研究。结果表明,在化学机械抛光过程中,InSb晶片表面有氧化层生成,该氧化层能保护材料表面免受损伤;并且发现加入双氧水作为抛光液的化学机械抛光方法能够获得较好表面质量的InSb晶片,其表面几乎无划痕,粗糙度降至0.606 nm,平整度约6.916 nm,且表面损伤明显降低。
- 李德香龚晓霞张丽霞袁俊杨文运
- 关键词：INSB抛光氧化层化学机械抛光机械抛光
- 一种非晶态碲镉汞线列探测器的信号处理电路
- 一种非晶态碲镉汞线列探测器的信号处理电路，其特征在于由非晶态探测器与集成信号处理电路电学接口、非晶态探测器阻抗适配放大电路、并行信号串行转换与时序输出电路组成，其中，处理电路电学接口是探测器与信号处理电路的物理接口，按照...
- 胡旭姬荣斌李煜李龙孔金丞孙琪艳余连杰袁俊
- 混合式热释电非制冷焦平面探测器热隔离技术研究
- 混合式热释电非制冷焦平面探测器的成像质量决定于噪声等效温差和空间分辨率,制约噪声等效温差的主要因素是热传导,制约空间分辨率的横向热扩散,为了实现其实用化,开展了对混合式热释电非制冷焦平面探测器热传导技术研究。
- 袁俊太云见何文瑾黄承彩杨春丽董明礼
- 关键词：热传导铟柱成像质量
- 文献传递
- 锑基高工作温度红外探测器研究进展被引量：7
- 2017年
- 锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度(HOT)的优势,符合未来红外探测系统小尺寸、轻重量、低功耗(SWa P)的要求。目前,工程化研制高工作温度红外探测器的锑基材料主要有3类:InSb、锑基II类超晶格和InAsSb,国外已报道了640×512、1024×1024和2040×1156规格的焦平面阵列,工作温度提高到150 K以上。本文从材料特性和器件结构、像元尺寸及工艺技术来阐述国内外锑基高工作温度红外探测器的研究状况。
- 邓功荣赵鹏袁俊信思树龚晓霞黎秉哲马启杨文运普朝光
- 关键词：SBSB
- 一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法
- 本发明涉及一种倒置3μm～4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料的结构从上向下依次为顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底；采用分子术外延法制...
- 赵鹏邓功荣杨文运陈冬琼李德香肖婷婷岳彪朱琴施静梅杨绍培袁俊黄晖
- 一种近红外可见光的OPV碘掺杂的光伏型的有机探测器
- 本发明涉及光电子技术领域，尤其是光导型有机半导体探测器。本发明公开了一种近红外可见光的OPV碘掺杂的光伏型的有机探测器，在衬底上设置各功能层构成，包括衬底（1），金属或透明导电极（3）、空穴传输层（4）以及有机光敏层（2...
- 唐利斌姬荣斌项金钟田品孔金丞袁俊太云见赵鹏
- 文献传递
- 热释电非制冷红外焦平面探测器热绝缘结构被引量：4
- 2011年
- 热释电非制冷红外探测器由于具有可靠性高、成本低、无需制冷等优点,使其得到了广泛应用。在热释电探测器中,热绝缘结构具有红外热转换、机械支撑和热隔离等作用。良好的热绝缘结构是减小探测器热导率和改善其性能的关键。采用半导体光刻技术和牺牲层技术,在硅基底上制备了由牺牲层和Si3N4薄膜组成的微桥结构,该方法使探测器的微桥结构的制备与半导体工艺相兼容,并通过优化工艺参数,提高了微桥结构的机械强度,减小了热导,解决了制备热绝缘结构的关键技术,制备了像元中心距为50μm、填充因子为40%～60%、耐受温度≥500℃的320×240微桥列阵,该结构为制备高性能非制冷焦平面探测器奠定了基础。
- 何雯瑾太云见李玉英袁俊史衍丽
- 关键词：非制冷探测器热释电
- nBn型InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器光电特性研究被引量：6
- 2014年
- 设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器,从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究,研究结果表明:理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外,研制了p-i-n结构器件并与nBn器件进行了比较,测试结果显示:在77 K温度下,nBn器件的暗电流要比p-i-n器件暗电流小2个量级。温度升高到150 K时,nBn器件暗电流变大2个量级,而p-i-n器件暗电流变大4个量级;nBn器件峰值探测率下降到1/5,p-i-n器件峰值探测率下降2个量级。可见nBn器件适合高温工作,适合高性能红外焦平面探测器的研制。
- 胡锐邓功荣张卫锋何雯谨冯江敏袁俊莫镜辉史衍丽
- 关键词：NBN超晶格INAS/GASB暗电流
- 一种近红外可见光的OPV碘掺杂的光伏型的有机探测器
- 本发明涉及光电子技术领域，尤其是光导型有机半导体探测器。本发明公开了一种近红外可见光的OPV碘掺杂的光伏型的有机探测器，在衬底上设置各功能层构成，包括衬底（1），金属或透明导电极（3）、空穴传输层（4）以及有机光敏层（2...
- 唐利斌姬荣斌项金钟田品孔金丞袁俊太云见赵鹏
- 文献传递
