龚晓霞
- 作品数：29 被引量：36H指数：4
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金云南省教育厅科学研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 噪声作为红外探测器可靠性评价的探讨被引量：5
- 2009年
- 红外探测器的可靠性是一个重要的指标,当前利用噪声来表征器件的可靠性受到了广泛的关注。文分析了红外探测器的电噪声,它包括热噪声、散粒噪声、g-r噪声和1/f噪声,再结合g-r噪声和1/f噪声的产生,对噪声用作InSb光伏探测器可靠性的评价进行了详细分析。
- 苏玉辉龚晓霞雷胜琼杨文运
- 关键词：可靠性
- 一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备
- 本发明涉及一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备，属于红外探测器技术领域。所述芯片包括锑化铟晶片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜以及金属电极；钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的锑化铟晶片的一个表面...
- 宋欣波肖婷婷朱琴李德香钟科封晓杰龚晓霞
- 耐高过载高灵敏度平面电极结构热释电探测器
- 耐高过载高灵敏度平面电极结构热释电探测器，其特征在于在热释电晶片的下表面上制备一层全反射电极，在全反射电极的下表面上制备一层绝热层，绝热层的下表面与衬底用粘接胶粘接；在热释电晶片的上表面的中心位置制备红外吸收层，从红外吸...
- 太云见袁俊信思树龚晓霞何雯瑾
- 文献传递
- 一种PBn型InAsSb红外探测器材料
- 本发明涉及一种PBn型InAsSb红外探测器材料，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料的结构从上向下依次为100nm～300nm厚的顶电极接触层、100nm～200nm厚的势垒层、2000nm～3000nm厚的吸收层、...
- 邓功荣杨文运龚晓霞肖婷婷杨绍培宋欣波范明国袁俊赵鹏黄晖
- 文献传递
- 退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响
- 2022年
- 采用原子层沉积技术制备Al_(2)O_(3)薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al_(2)O_(3)介电层引入了表面固定正电荷,200℃和300℃退火处理可有效减小慢界面态密度,利用Terman法得到了禁带界面态密度分布,表明200℃退火可使禁带中央和导带附近的界面态密度显著减小。同时文章对C-V曲线滞回的原因进行了分析,认为Al_(2)O_(3)介电层中离界面较近的负体陷阱电荷是主要影响因素。实验证明了200℃~300℃的退火处理可有效改善InSb/Al_(2)O_(3)界面质量。
- 周伟佳龚晓霞陈冬琼肖婷婷尚发兰杨文运
- 关键词：锑化铟C-V特性原子层沉积
- 一种倒置3μm~5μm nBn型InAsSb红外探测器材料结构
- 本实用新型涉及一种倒置3μm～5μm nBn型InAsSb红外探测器材料结构，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料结构为从上向下依次设置的顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底。通过对结构进...
- 陈冬琼邓功荣杨文运宋欣波何燕赵宇鹏尚发兰戴欣冉黎秉哲范明国龚晓霞太云见黄晖
- 一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片
- 本实用新型涉及一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片，属于红外探测器技术领域。所述探测器芯片包括锑化铟晶片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜以及金属电极；钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的锑化铟晶片的一个表...
- 宋欣波肖婷婷朱琴李德香钟科封晓杰龚晓霞
- 文献传递
- 锑基高工作温度红外探测器研究进展被引量：7
- 2017年
- 锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度(HOT)的优势,符合未来红外探测系统小尺寸、轻重量、低功耗(SWa P)的要求。目前,工程化研制高工作温度红外探测器的锑基材料主要有3类:InSb、锑基II类超晶格和InAsSb,国外已报道了640×512、1024×1024和2040×1156规格的焦平面阵列,工作温度提高到150 K以上。本文从材料特性和器件结构、像元尺寸及工艺技术来阐述国内外锑基高工作温度红外探测器的研究状况。
- 邓功荣赵鹏袁俊信思树龚晓霞黎秉哲马启杨文运普朝光
- 关键词：SBSB
- 一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料及其制备方法
- 本发明涉及一种InAsSb/Al(In)AsSb异质结红外探测器材料及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、缓冲层、n型电极接触层、n型空穴阻挡层、吸收层、p型电子阻挡层和p型电极接触层。所...
- 陈冬琼杨文运龚晓霞邓功荣袁俊岳彪白兰艳施静梅杨玲太云见黄晖
- 铟砷锑红外探测器的研究进展被引量：1
- 2022年
- InAs_(1-x)Sb_(x)属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,随Sb组分含量的不同,室温下可覆盖3~12μm波长,并且InAsSb材料具有载流子寿命长、吸收系数大、载流子迁移率高等优点,是一种具有广阔应用前景的红外光电材料。探测器可以在150 K甚至近室温下工作,具有较高的灵敏度和探测率,是低功耗、小型化、高灵敏度和快响应中长波红外探测系统的良好选择,InAsSb中长波红外探测器受到广泛的关注和研究。本文首先简要概述了InAsSb材料的基本性质。其次,对国内外InAsSb红外探测器发展状况进行了介绍。最后,对InAsSb红外探测技术的发展进行了总结与展望。
- 陈冬琼杨文运邓功荣龚晓霞范明国肖婷婷尚发兰余瑞云
- 关键词：红外探测器INASSB
