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王井舟

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 3篇存储器
  • 2篇底电极
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇电流开关
  • 2篇有机介质
  • 2篇细丝
  • 2篇介质
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电极
  • 1篇电极制备
  • 1篇闪存
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇灵敏放大器
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇金属

机构

  • 4篇复旦大学

作者

  • 4篇王井舟
  • 3篇于浩
  • 3篇茹国平
  • 3篇李炳宗
  • 3篇屈新萍
  • 3篇蒋玉龙
  • 1篇张卫

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
具有尖峰状底电极的有机阻变存储器及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RR...
于浩王井舟蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
具有尖峰状底电极的有机阻变存储器的制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RR...
于浩王井舟蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗
文献传递
一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器及其制备方法。金属纳米晶底电极的制备采用超薄金属膜快速热退火处理法、拉LB膜法或者金属纳米颗粒的化学分散法制备获得。底电极制备完成后，依次再淀积阻变介质层...
王井舟于浩蒋玉龙茹国平屈新萍李炳宗张卫
文献传递
高速低功耗闪存关键模块研究
闪存是高端消费类电子产品必备的器件之一,广泛应用在个人电脑、手机、数码相机等产品中。随着闪存读写频率的不断提高,以及闪存单元特征尺寸的不断减小,闪存的稳定性,以及能否突破速度瓶颈从而提高性能面临着巨大的挑战。除了开发更先...
王井舟
关键词：闪存灵敏放大器电荷泵带隙基准源
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