杨克勤
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：厦门市科技计划项目福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- Cu/、Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究
- 在4H-SiC样品上采用磁控溅射的方法分别沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触并进行了不同温度下的退火,通过I-V测试研究不同温度退火对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.样品经过不同温度的退火后,发现...
- 杨克勤陈厦平杨伟锋吴正云
- 关键词：4H-SIC退火磁控溅射
- 文献传递
- InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究被引量：1
- 2002年
- 分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子 声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果。
- 孔令民蔡加法林雪娇杨克勤吴正云沈文忠
- 关键词：光谱研究时间分辨谱光致发光谱半导体材料砷化镓
- 不同退火温度下金属/4H—SiC Schottky势垒高度的研究被引量：4
- 2005年
- 采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky 接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响。通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子。在反向偏压100V下,样品的反向漏电流小于10-10A,说明样品的反向特性良好。样品经过不同温度的退火后,发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,超过某一温度,其整流特性变差; Ag、Cr的SBH在退火后降低。SBH与金属功函数呈线性关系(Cr金属除外),斜率为0.11。
- 杨克勤陈厦平杨伟锋孔令民蔡加法林雪娇吴正云
- 关键词：光电子学4H-SIC退火
- Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究被引量：1
- 2005年
- 采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎.
- 杨伟锋杨克勤陈厦平张峰王良均吴正云
- 关键词：4H-SIC退火
