孔令民
- 作品数：25 被引量：41H指数：4
- 供职机构：浙江海洋学院更多>>
- 发文基金：舟山市科技计划项目浙江省教育厅科研计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学电子电信机械工程更多>>
- 微波作用下有直接隧穿量子点系统中的泵流特性
- 2011年
- 利用演化算符的方法,研究了量子点体系中的电流以及自旋流,该体系中量子点和左右磁性电极耦合并且受到微波作用,且两电极之间有直接隧穿,得到了体系电流的解析表达式.发现对于无直接隧穿和零偏压情况,无论对称结构还是非对称结构,电流和自旋流总为零.对于直接隧穿和零偏压情况,对于两边为非对称结构,微波场辐射在量子点上可以导致自旋流而非零的总电流,给出了平行和反平行磁构型下的结果并进行了讨论;对于两边为对称结构结构,平行磁构型下,量子点上加微波场时自旋流和总电流均为零;在反平行磁构型下,量子点上加微波场可以导致自旋流而总电流为零,这可以作为设计自旋电池的一个方案,并且在目前技术条件下实验上也是可行的.
- 周运清孔令民王瑞张存喜
- 关键词：微波场直接隧穿量子点
- 利用大学物理教学平台全面培养大学生科学素质的探索
- 姚建明孔令民王瑞
- InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究被引量：1
- 2002年
- 分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子 声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果。
- 孔令民蔡加法林雪娇杨克勤吴正云沈文忠
- 关键词：光谱研究时间分辨谱光致发光谱半导体材料砷化镓
- 自组织量子点的瞬态光谱性质研究
- 研究了多层自组织生长InAs/GaAs量子点的PL谱的发光强度、发光寿命及峰值能量的温度特性,发现同一层不同尺寸量子点之间、不同量子点层之间存在着强烈耦合,对两种耦合机制的温度特性进行了较详细的研究.
- 蔡加法孔令民陈主荣吴正云
- 关键词：INAS量子点光致发光自组织生长
- 文献传递
- 舟山海区声速结构及其扩展经验正交函数分析
- 2016年
- 利用2014年6月26日在浙江舟山桃花岛海区一个航次的CTD测量仪测量得到的数据,分析了当日该海域的温度、盐度变化特点以及它们与声速变化的关系;分析发现,舟山桃花岛海区的声速受盐度的影响较大。由于桃花岛海区属于浅海海区,海底地形起伏较大,导致各采样点的测量深度不同,因此使用传统经验正交函数(EOF)重构声速剖面只能计算到声速样本中最浅剖面的深度,无法重构浅海全海深的声速剖面。使用扩展经验正交函数(EEOF)的方法可解决这一问题。首先对各采样点测量得到的温度和盐度数据进行等值扩展,根据声速经验公式计算全海深的样本声速,再使用提取出的经验正交函数重构声速剖面。通过本文的数据分析,使用前三阶重构的声速剖面均方根误差为0.048m/s。因此,等值扩展方法能够有效地重构桃花岛海域的声速剖面。
- 杨凡郑红郑衡王洁孔令民许康
- InGaAs／InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响被引量：1
- 2008年
- 采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光的半高宽减小，且向长波长移动。InGaAs／InAlAs联合盖帽层可以进一步改善InAs量子点发光性能，使得室温发光波长超过1.3μm；在10-300K温度范围内，发光峰值能量及半高宽随温度的变化都较小。随温度升高，InAs量子点的发光寿命首先增大，当温度升高到临界温度Tc后，发光寿命逐渐减小。但覆盖不同盖帽层的InAs量子点样品，其发光寿命具有不同的温度关系，联合盖帽层样品具有较大的Tc及发光寿命。根据应力及栽流子迁移模型对以上实验结果进行了分析。
- 孔令民姚建明吴正云
- 关键词：INAS量子点时间分辨谱
- “双导制”教学培养大众化高等教育体制下的新型大学生——设想及心理问卷调查被引量：3
- 2010年
- 大众化的高等教育已经得到了广泛的实施,高等学校学生的素质有了一定程度的下降。如何搞好新体制下的高等教育工作,怎样培养好新一代的接班人,是高教工作者目前思考最多的问题。"双导制"教学的提出就是探讨如何解决这类问题,希望能起到"抛砖引玉"的效果。
- 姚建明孔令民
- 关键词：双导制大众化问卷调查
- 不同退火温度下金属/4H—SiC Schottky势垒高度的研究被引量：4
- 2005年
- 采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky 接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响。通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子。在反向偏压100V下,样品的反向漏电流小于10-10A,说明样品的反向特性良好。样品经过不同温度的退火后,发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,超过某一温度,其整流特性变差; Ag、Cr的SBH在退火后降低。SBH与金属功函数呈线性关系(Cr金属除外),斜率为0.11。
- 杨克勤陈厦平杨伟锋孔令民蔡加法林雪娇吴正云
- 关键词：光电子学4H-SIC退火
- InGaAs/GaAs量子阱中自组装InAs量子点的光学性质被引量：1
- 2007年
- 在InGaAs/GaAs量子阱中生长了两组InAs量子点样品,用扫描电子显微镜(SEM)测量发现,量子点呈棱状结构,而不是通常的金字塔结构,这是由多层结构的应力传递及InGaAs应变层的各向异性引起的。采用变温光致发光谱(TDPL)和时间分辨谱(TRPL)研究了其光致发光稳态和瞬态特性。研究发现,InGaAs量子阱层可以有效地缓冲InAs量子点中的应变,提高量子点的生长质量,可以在室温下探测到较强的发光峰。在量子阱中生长量子点可以获得室温下1 318 nm的发光,并且使其PL谱的半高宽减小到25 meV。
- 孔令民姚建明吴正云
- 关键词：时间分辨谱
- 自组织生长InAs量子点的发光性质研究
- 2003年
- 通过对加InGaAs覆盖层的InAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究,发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变;中间温度区载流子寿命随温度升高而变大;更高温度时,发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降.
- 蔡加法孔令民吴正云陈主荣牛智川
- 关键词：发光性质光致发光
