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刘军林

作品数:53 被引量:85H指数:5
供职机构:南昌大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 31篇专利
  • 19篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 22篇电子电信
  • 6篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 21篇衬底
  • 17篇发光
  • 12篇硅衬底
  • 10篇多量子阱
  • 10篇缓冲层
  • 10篇二极管
  • 10篇发光二极管
  • 9篇氮化镓
  • 9篇SI衬底
  • 8篇GAN
  • 7篇势垒
  • 7篇蓝光
  • 7篇半导体
  • 6篇量子效率
  • 6篇光电
  • 6篇光效
  • 5篇空穴
  • 4篇匹配度
  • 4篇芯片
  • 4篇漏电

机构

  • 53篇南昌大学
  • 25篇南昌黄绿照明...
  • 4篇晶能光电(江...
  • 2篇闽南师范大学
  • 2篇南昌硅基半导...

作者

  • 53篇刘军林
  • 26篇江风益
  • 11篇王光绪
  • 9篇全知觉
  • 8篇熊传兵
  • 7篇莫春兰
  • 6篇王立
  • 6篇吴小明
  • 6篇张建立
  • 5篇方文卿
  • 5篇郑畅达
  • 5篇徐龙权
  • 5篇王小兰
  • 4篇张萌
  • 4篇汤英文
  • 4篇潘拴
  • 3篇封飞飞
  • 3篇黄斌斌
  • 3篇张超宇
  • 3篇丁杰

传媒

  • 7篇物理学报
  • 5篇发光学报
  • 3篇光学学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇照明工程学报
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 7篇2018
  • 9篇2017
  • 5篇2016
  • 8篇2015
  • 8篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2008
53 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种氮化物发光二极管结构
本实用新型提供了一种氮化物发光二极管结构,包括衬底,在衬底上设有缓冲层,在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层,所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱...
刘军林莫春兰张建立王小兰郑畅达全知觉江风益
文献传递
转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响被引量:17
2008年
在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。
邝海刘军林程海英江风益
关键词:光学材料SI衬底硅基板
一种LED薄膜芯片的半导体基板
本实用新型公开了一种LED薄膜芯片的半导体基板,包括半导体基板本体,特征是:在半导体基板本体的上表面加工有经过表面粗糙化处理形成凹凸状的上粗糙层,上粗糙层与键合金属进行结合,在半导体基板本体的下表面加工有经过表面粗糙化处...
王光绪刘军林江风益
文献传递
一种LED芯片的自动筛选系统及筛选方法
本发明公开了一种LED芯片的自动筛选系统和筛选方法,特别适用于筛除在光电参数测试后的加工过程中所产生的正向漏电不良的LED芯片。该自动筛选系统包括自动载物台、荧光显微镜、光学检测机和芯片拾取装置,自动载物台可在计算机的控...
刘军林陶喜霞江风益
文献传递
一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法
本发明提供了一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法,该GaN基LED的结构包括衬底,在衬底上依次设有缓冲层、n型层、量子阱层和p型层,在n型层内设有一掺杂C元素的GaN黄带发光层,厚度为2─20μm,C元素掺...
刘军林张建立陶喜霞江风益
文献传递
低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法
本发明公开了一种低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法,其结构包括:基板层,生长衬底上的外延层被转移至所述基板层之上;基板层与外延层之间,由上至下依次有阻挡保护层、稀释保护层和黏结层;N电极位于外延层之上。它利用由多...
王光绪刘军林江风益
文献传递
p型层结构与掺杂对GaInN发光二极管正向电压温度特性的影响被引量:3
2015年
在温度变化时,如果GaInN发光二极管能够保持相对稳定的工作电压对其实际应用具有重要意义.本文通过金属有机化学气相沉积生长了一系列包含不同有源区结构、不同p型层结构以及不同掺杂浓度纵向分布的样品,并对其在不同温度区间内正向电压随温度变化的斜率(dV/dT)进行了研究.结果表明:1)有源区中包括插入层设计、量子阱结构以及发光波长等因素的变化对正向电压随温度变化特性影响很小;2)影响常温区间(300K±50K)正向电压随温度变化斜率的最主要因素为p-AlGaN电子阻挡层起始生长阶段的掺杂形貌,具有p-AlGaN陡掺界面的样品电压变化斜率为-1.3mV·K-1,与理论极限值-1.2mV·K-1十分接近;3)p-GaN主段层的掺Mg浓度对低温区间(<200K)的正向电压随温度变化斜率有直接影响,掺Mg浓度越低则dV/dT斜率越大.以上现象归因于在不同温度区间,p-AlGaN以及p-GaN发生Mg受主冻结效应的程度主要取决于各自的掺杂浓度.因此Mg掺杂浓度纵向分布不同的样品在不同的温度区间具有不同的串联电阻,最终表现为差异很大的正向电压温度特性.
毛清华刘军林全知觉吴小明张萌江风益
关键词:发光二极管
一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构
本发明公开了一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构,依次包括:III族氮化物半导体外延结构前端部分、Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>(1‑x)</Sub>N抗静电层和III族氮化物半导体外延结构后续部分...
刘军林江风益
铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法
本发明公开了一种铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法,该生长气路包括:第一管路,第二管路,第三管路及与这三路管路相连的A、B双腔室垂直气流型MOCVD反应管喷头装置;生长方法是通过将铟、镓、铝、镁分...
江风益方文卿刘军林张健立全知觉
文献传递
Si衬底GaN基蓝光LED钝化增透膜研究被引量:5
2010年
在Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了一层SiON钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。对有、无钝化膜的样品进行性能比较,结果表明SiON钝化膜能有效隔离环氧树脂与高温芯片,缓解环氧树脂的老化变黄;又能部分弛豫环氧树脂对芯片的张应力,降低非辐射复合中心产生的几率;有效减小器件的侧壁漏电通道,降低器件的光衰和漏电流,提高器件的可靠性。
刘军林邱冲江风益
关键词:光电子学SI衬底光衰增透膜SION
共6页<123456>
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