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邱胜桦

作品数:17 被引量:29H指数:3
供职机构:韩山师范学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划广东省新世纪高等教育教学改革工程项目广东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电气工程文化科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 5篇理学
  • 3篇文化科学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇晶化率
  • 3篇RF-PEC...
  • 2篇地下管道
  • 2篇声波
  • 2篇拾音
  • 2篇探头
  • 2篇物理学
  • 2篇理学
  • 2篇金属管
  • 2篇金属管道
  • 2篇检测法
  • 2篇PECVD法
  • 2篇RAMAN谱
  • 2篇
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 2篇地下管
  • 1篇大学物理
  • 1篇大学物理学
  • 1篇带隙

机构

  • 16篇韩山师范学院
  • 9篇汕头大学
  • 2篇华南师范大学

作者

  • 17篇邱胜桦
  • 11篇刘翠青
  • 10篇陈城钊
  • 9篇李平
  • 8篇吴燕丹
  • 8篇林璇英
  • 7篇余楚迎
  • 4篇方海
  • 3篇冯胜奇
  • 3篇李云
  • 2篇刘秋武
  • 2篇王小怀
  • 2篇李卓凡
  • 2篇黄翀
  • 1篇熊钰庆
  • 1篇曾繁华
  • 1篇王晶
  • 1篇陈洪财
  • 1篇黄飞燕

传媒

  • 3篇功能材料
  • 3篇材料研究与应...
  • 2篇物理学报
  • 2篇韩山师范学院...
  • 1篇佳木斯大学学...
  • 1篇物理通报
  • 1篇信阳师范学院...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 2篇2009
  • 7篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2000
  • 1篇1998
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用被引量:1
2008年
以SiH4/H2为气源,用PECVD沉积技术,在低温(200℃)、高压下(230Pa)下制备出优质纳米晶硅薄膜。研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用。实验表明,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非常关键的作用。随着氢稀释率由95%提高至99%,薄膜的晶化率由30%增大到70%,晶粒尺寸由3.0nm增大至6.0nm,而沉积速率却由0.8nm/s降低至0.3nm/s。
邱胜桦陈城钊刘翠青吴燕丹李平林璇英黄翀余楚迎
关键词:晶化率RF-PECVD
衬底温度对低温制备纳米晶硅薄膜的影响被引量:3
2008年
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在>100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜。研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系。当衬底温度>100℃,薄膜由非晶相向晶相转化,随着衬底温度的进一步升高,薄膜晶化率增大,当温度为300℃时,薄膜的晶化率达82%,暗电导率为10-4Ω-1.cm-1数量级,激活能为0.31eV。当薄膜晶化后,沉积速率随衬底温度升高而略有增加。
刘翠青陈城钊邱胜桦吴燕丹李平余楚迎
关键词:衬底温度电学性能
隧道效应与扫描隧道显微镜被引量:2
1998年
扫描隧道显微镜(Scanning TunnelingMicroscope,STM)是1981年瑞士苏黎世国际商用机器公司研究实验室的两位科学家宾尼格(G.Binnig)和罗赫尔(H.Rohrer)研制成功的。其横向分辨率可达0.1nm,纵向分辨率可优于0.01nm,它可以很精确地观察物质的表面结构,使人们可以清楚地'看到'物质表面的一个个原子,从而实现了人类长期以来希望看到原子真面目的愿望。因此。
邱胜桦熊钰庆
关键词:隧道效应扫描隧道显微镜STM
基于Authorware的《普通物理学》备课系统
该文尝试采用多媒体备课系统加以解决.该备课系统的构成主要由两大部分所组成:素材资料库和由多媒体编辑工具平台Authorware开发制作的备课环境——素材浏览、添加模块.根据普通课件存在的局限性,研究人员提倡教师根据备课系...
邱胜桦
关键词:普通物理学课件备课系统电子教案
文献传递
基于振幅衰减与相关检测相结合的地下管道漏点定位方法
本发明公开了基于振幅衰减与相关检测相结合的地下管道漏点定位方法,首先利用振幅衰减法快速缩小漏点所在范围,定出其大致位置;在待测金属管道上设置两个拾音探头,探头采集漏点的漏水声振幅,判断漏点大致位置,尽量缩小漏点搜索范围;...
王小怀李卓凡刘秋武李云邱胜桦冯胜奇方海
H_4^+分子离子的电声耦合与声子耦合及其杨-泰勒畸变的群论分析
2013年
利用群论和量子理论研究了具有D4h对称性构型的H4+分子离子的电声耦合与声子耦合及其杨-泰勒畸变等问题.研究发现,H4+分子存在5种不同的声子态,它们分别具有D4h群下的a1g、b1g、b2g、b2u与eu对称性,其中声子态eu具有红外活性,声子态a1g、b1g、b2g具有拉曼活性,而声子态b2u则是非活性的;在H4+的声子态中只有b1g、b2g是其活跃的声子态;声子态eu与eu之间的耦合将会产生耦合声子态a1g、b1g、b2g;由于电声耦合的缘故,H4+分子离子发生了杨-泰勒畸变,Egb1g与Egb2g系统的杨-泰勒畸变方向是D4h→D2h,而Eg(b1g+b2g)系统的畸变方向则是D4h→C2h,畸变的同时也将导致H4+分子的基态能级发生分裂.
冯胜奇方海邱胜桦刘翠青
关键词:电声耦合声子耦合
射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜被引量:4
2008年
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压(133~266Pa)下,以0.4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜。薄膜的晶化率约60%,平均晶粒尺寸约6.0nm,暗电导率为10^-3~10^-4/Ω·cm。红外吸收谱显示,薄膜中没有Si-O、Si-C、Si-N等杂质键,随晶化率的提高,Si-H键也逐渐消失。
陈城钊邱胜桦刘翠青吴燕丹李平余楚迎林璇英
关键词:RF-PECVD生长速率
氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响被引量:6
2009年
以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响.实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%.而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3nm/s增加至0.8nm/s.
邱胜桦陈城钊刘翠青吴燕丹李平林璇英黄翀余楚迎
关键词:晶化率硅烷
纳米晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析被引量:11
2009年
采用传统射频等离子体化学气相沉积技术在100—350℃的衬底温度下高速沉积氢化硅薄膜.傅里叶变换红外光谱和Raman谱的研究表明,纳米晶硅薄膜中的氢含量和硅氢键合模式与薄膜的晶化特性有密切关系,当薄膜从非晶相向晶相转变时,氢的含量减少了一半以上,硅氢键合模式以SiH2为主.随着衬底温度的升高和晶化率的增加,纳米晶硅薄膜中氢的含量以及其结构因子逐渐减少.
陈城钊邱胜桦刘翠青吴燕丹李平余楚迎林璇英
关键词:红外透射谱氢含量
基于振幅衰减与相关检测相结合的地下管道漏点定位方法
本发明公开了基于振幅衰减与相关检测相结合的地下管道漏点定位方法,首先利用振幅衰减法快速缩小漏点所在范围,定出其大致位置;在待测金属管道上设置两个拾音探头,探头采集漏点的漏水声振幅,判断漏点大致位置,尽量缩小漏点搜索范围;...
王小怀李卓凡刘秋武李云邱胜桦冯胜奇方海
文献传递
共2页<12>
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