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蒋红

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院长春物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇散射
  • 1篇锑合金
  • 1篇离子注入
  • 1篇卢瑟福
  • 1篇卢瑟福背散射
  • 1篇合金
  • 1篇红外
  • 1篇红外材料
  • 1篇发光
  • 1篇发光研究
  • 1篇背散射
  • 1篇铒
  • 1篇镓
  • 1篇ER
  • 1篇MOCVD法
  • 1篇MOCVD法...
  • 1篇SB

机构

  • 2篇中国科学院长...

作者

  • 2篇金亿鑫
  • 2篇蒋红
  • 1篇李仪
  • 1篇刘学彦
  • 1篇李菊生
  • 1篇周天明
  • 1篇刘向东
  • 1篇张宝林
  • 1篇时伯荣
  • 1篇宁永强
  • 1篇翟宏营

传媒

  • 1篇稀有金属
  • 1篇中国稀土学报

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Er注入Si的芦瑟夫背散射和发光研究被引量：4
1994年
用芦瑟夫背散射（ＲＢＳ）和光致发光（ＰＬ）研究了Ｅｒ注入Ｓｉ的退火性质。ＲＢＳ分析表明，退火时，损伤层再结晶的同时伴随着Ｅｒ向表面迁移。退火后，Ｅｒ浓度峰的深度与表面剩余损伤层的深度是一致的。Ｅｒ在Ｓｉ中主要占据非替位。大量间隙Ｅｒ的存在延缓了损伤层的再结晶。在７７Ｋ观察到了与Ｅｒ有关的位于１．５４６μｍ的ＰＬ。
李仪李菊生金亿鑫时伯荣蒋红翟宏营刘学彦刘向东
关键词：发光铒离子注入卢瑟福背散射
Ga_xIn_(1-x)Sb红外材料的MOCVD法生长特性研究
1993年
用水平常压 MOCVD 系统生长了 Ga_xIn_(1-x)Sb(0.5
张宝林周天明金亿鑫蒋红宁永强
关键词：MOCVD法
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共1页<1>
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