金亿鑫
- 作品数：93 被引量：119H指数：6
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术经济管理更多>>
- 共振腔增强GaInAsSb光电探测器设计及数值模拟被引量：1
- 2004年
- 设计了一种从衬底入射的共振腔增强型GaInAsSb/GaSb光电探测器结构。在这种结构中,上反射镜是由9.5～15.5个周期的InAs/GaSbQWS组成,下反射镜由3个周期的SiO2/SiQWS组成。器件上表面镀有一层高透射率的抗反射层。计算表明,在设计的工作波长2.4mm,器件可以获得大约(91～88)%的量子效率。在2～2.9mm波长范围器件的量子效率有两个峰,这使得器件可以作为双色探测器来工作。
- 李军宋航金亿鑫蒋红缪国庆赵海峰
- 关键词：GAINASSB光电探测器DBR反射率量子效率
- InGaAs材料的光致发光研究
- 本文讨论了利用LPMOCVD技术在旋转石墨基座上生长与InP匹配的In<,0.53>Ga<,0.47>As材料,并且研究生长条件(生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、缓冲层厚度、AsH<,3>与PH<,3>转换时间)对InGaAs的光致...
- 缪国庆金亿鑫蒋红宋航李军
- 关键词：金属有机化学气相淀积光致发光谱
- 文献传递
- 一种选域金刚石膜的制备方法
- 本发明涉及制备金刚石薄膜的方法,在选域衬底的导电图形上生成籽晶衬底实现金刚石膜精确定域沉积;对籽晶衬底继续生长制备不同特性的金刚石膜。金刚石膜与衬底附着牢固;例如:制备金刚石场发射冷阴极,将电子发射区域有效地控制在所选择...
- 赵海峰宋航李志明金亿鑫邴秀华
- 文献传递
- 半导体材料外延的废气中所含砷微粒的回收设备
- 本发明是能够回收半导体材料外延过程所产生废气中剧毒物质砷微粒的设备。由密封桶、放水口、隔板、进气管、桶底、旋转轴、导流板、离心桶、桶盖、排气管、进水管、喷头、吸泵、填充物、电机组成。采用水与废气反向流动，通过无规则排列的...
- 宋航周天明张宝林蒋红金亿鑫缪国庆
- 文献传递
- MOCVD-InAs/GaSb DBR结构材料的特性研究
- 2005年
- 本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料。由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率。将其引入共振腔增强型红外探测器结构,做为共振腔的腔体,将大大改善器件性能,实现红外光的高灵敏度室温探测。根据多膜增反原理,膜层反射率随膜层周期增加而增加,理论计算结果显示InAs/GaSb DBR结构工作波长为2.4μm,周期为22时,膜层反射率即可高于80.11%。我们用扫描电子显微镜,X-ray射线衍射,反射光谱测量等分析手段,对InAs/GaSb DBR结构材料的物理性能进行表征。结果表明,我们已经成功获得高质量的晶格匹配的InAs、GaSb单晶薄膜,以及InAs/GaSb交替生长组成的不同周期的DBR结构材料。反射光谱测量显示,InAs/GaSb DBR反射率随膜层周期数增加而增加,当InAs/GaSb DBR周期数为22时,其反射率约为44.27%。
- 蒋红金亿鑫宋航缪国庆
- 关键词：MOCVD反射率
- SrWO_4薄膜的电化学制备及室温光致发光特性被引量：5
- 2005年
- 在室温条件下,采用恒电流电化学方法直接在钨片基体上制备了白钨矿结构的SrWO4晶态薄膜。电化学反应的工艺参数为:电流密度为1mA/cm2、电解液的pH值为12.5、电化学处理时间为1.5h。采用XRD、SEM、XPS技术对制备的SrWO4薄膜进行了表征;首次测试了制备的SrWO4薄膜的室温光致发光光谱,结果表明SrWO4薄膜受到波长为325nm的激光激发后,在400nm附近有一较强的发射光谱,同时在450～580nm波段之间有一个宽的谱带。
- 高道江肖定全金亿鑫毕剑余萍赖欣
- 关键词：电化学制备白钨矿结构光致发光
- 非致冷In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外探测器研究被引量：3
- 2005年
- 采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.
- 缪国庆殷景志金亿鑫蒋红张铁民宋航
- 关键词：金属有机化学气相沉积铟镓砷探测器
- 氧和铒共注入硅的卢瑟福背散射和发光研究
- 1996年
- 将铒和氧共注人硅中,卢瑟福背散射分析表明,退火后铒的分布剖面因共注入氧的剂量而异。在高氧剂量下,退火后铒保持退火前的剖面不变,样品再结晶良好。在中等氧剂量下,退火后铒的分布剖面出现双峰。认为退火过程中形成了铒—氧复合物。复合物的形成减缓了铒的偏析和扩散,影响了铒的削面再分布。铒和氧离子注入剂量的系列实验证实了氧在Er^(3+)发光中有重要作用。
- 李仪宋航曹望和李菊生金亿鑫如菲孟鸣岐刘向东
- 关键词：铒硅发光
- Er注入Si的芦瑟夫背散射和发光研究被引量：4
- 1994年
- 用芦瑟夫背散射（ＲＢＳ）和光致发光（ＰＬ）研究了Ｅｒ注入Ｓｉ的退火性质。ＲＢＳ分析表明，退火时，损伤层再结晶的同时伴随着Ｅｒ向表面迁移。退火后，Ｅｒ浓度峰的深度与表面剩余损伤层的深度是一致的。Ｅｒ在Ｓｉ中主要占据非替位。大量间隙Ｅｒ的存在延缓了损伤层的再结晶。在７７Ｋ观察到了与Ｅｒ有关的位于１．５４６μｍ的ＰＬ。
- 李仪李菊生金亿鑫时伯荣蒋红翟宏营刘学彦刘向东
- 关键词：发光铒离子注入卢瑟福背散射
- 利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射
- 1995年
- 利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ｇｅ的可见光发射元光，宋航，金亿鑫，张宝林，周天明，宁永强，蒋红，李树伟（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）如何实现硅基材料的发光，一直是很受重视的一个研究方向．以往是通过硅基外延生长直接带隙材料或锗硅超晶...
- 元光宋航金亿鑫张宝林周天明宁永强蒋红李树伟
- 关键词：硅基材料锗纳米
