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石归雄

作品数：21 被引量：8H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 9篇圆片
  • 9篇键合
  • 5篇旋涂
  • 4篇盐酸清洗
  • 4篇射频
  • 4篇甩干机
  • 4篇芯片
  • 3篇氮化镓
  • 3篇金属
  • 3篇GAN
  • 2篇电荷
  • 2篇阳极键合
  • 2篇圆片级
  • 2篇三明治
  • 2篇射频芯片
  • 2篇生长介质
  • 2篇推进剂
  • 2篇热板
  • 2篇热容
  • 2篇装药

机构

  • 17篇中国电子科技...
  • 4篇南京电子器件...
  • 1篇东南大学
  • 1篇成都天奥电子...

作者

  • 21篇石归雄
  • 12篇朱健
  • 7篇黄旼
  • 6篇程伟
  • 6篇赵岩
  • 6篇吴立枢
  • 5篇吴璟
  • 4篇贾世星
  • 4篇刘昊
  • 2篇程伟
  • 2篇吴立枢
  • 2篇郁元卫
  • 2篇赵岩
  • 2篇刘梅
  • 2篇王守旭
  • 1篇侯智昊
  • 1篇栗锐
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇黄子乾
  • 1篇成海峰

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAs pHEMT外延层转移技术研究
2014年
随着化合物半导体技术日益成熟，利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现SiCMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路／系统性能，既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。
赵岩吴立枢石归雄程伟栗锐陈堂胜陈辰
关键词：半导体技术化合物半导体集成技术晶体管芯片
硅基氮化镓外延层剥离转移的方法
本发明是一种硅基氮化镓外延层剥离转移的方法，包括如下步骤：1）盐酸清洗硅基氮化镓外延片和临时载片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）正面旋涂光刻胶，并通过光刻胶将硅基氮化镓外延片粘贴到临时载片上；3）...
赵岩吴立枢程伟石归雄
文献传递
一种基于外延层转移实现金刚石基GaN的方法
本发明是基于外延层转移实现金刚石基GaN的方法，其步骤如下：1）清洗Si基GaN圆片和临时载片；2）临时载片正面旋涂粘附剂；3）Si基GaN圆片与临时载片正面相对键合；4）将Si基GaN圆片的Si衬底刻蚀去除；5）清洗以...
吴立枢赵岩刘昊石归雄程伟
文献传递
硅-玻璃键合界面金属导线与悬空可动结构间电荷释放法
本发明是一种硅-玻璃键合界面金属导线与悬空可动结构间电荷释放法，包括在器件版图设计上增加一种键合时辅助放电，键合后去除的结构，用来辅助硅基芯片单元的悬空可动部分电荷释放；通过辅助结构，金属引线与所有硅基悬空腔体结构实现欧...
贾世星石归雄朱健吴璟
文献传递
一种适用于MEMS微推进器阵列芯片的清洁微装药工艺
本发明一种适用于MEMS微推进器阵列芯片的清洁微装药工艺，包括如下步骤：1）根据微药室阵列层的直径和分布，在带微孔阵列的隔板上加工出相应的隔板微通孔，将带微孔阵列的隔板固定在微药室阵列层表面；2）在微药室内装填推进剂含能...
朱健王守旭黄旼贾世星石归雄焦宗磊
文献传递
一种针对玻璃-硅-玻璃三明治结构防水圆片级封装方法
本发明是一种针对玻璃-硅-玻璃三明治结构防水圆片级封装方法，至少包括在版图设计中通过增、减三种辅助结构实现“三明治”密闭封装结构；低阻硅基芯片单元外围增加硅基围墙结构；每个焊盘引线结构向外延伸一段引线至围墙内侧；围墙外侧...
朱健吴璟刘梅石归雄
针对射频微系统器件的三维键合堆叠互连集成制造方法
本发明是针对射频微系统器件的三维键合堆叠互连集成制造方法，包括高阻硅作为基板或转接板；基板或转接板上通过多层介质‑金属交替完成布线用于射频信号传输与控制；异质类化合物芯片通过chip to wafer键合实现异质集成，所...
石归雄黄旼吴璟朱健郁元卫
文献传递
基于外延层转移的GaAsPIN与Si异构集成技术
2014年
南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术，成功地将3um厚的76．2mm（3英寸）GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移到Sj衬底上（如图1所示），
赵岩程伟吴立枢吴璟石归雄黄子乾
关键词：集成技术异构集成SI键合技术晶体管
一种基于外延层转移实现N面GaN的方法
本发明是一种基于外延层转移实现N面GaN的方法，包括：1）用稀释的盐酸清洗Si基GaN、半导体圆片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；2）在Si基GaN圆片和半导体圆片的正面分别旋涂粘附剂作为键合材料，转...
吴立枢赵岩程伟刘昊石归雄
文献传递
一种适用于MEMS微推进器阵列芯片的清洁微装药工艺
本发明一种适用于MEMS微推进器阵列芯片的清洁微装药工艺，包括如下步骤：1）根据微药室阵列层的直径和分布，在带微孔阵列的隔板上加工出相应的隔板微通孔，将带微孔阵列的隔板固定在微药室阵列层表面；2）在微药室内装填推进剂含能...
朱健王守旭黄旼贾世星石归雄焦宗磊
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