您的位置： 专家智库 > >

程伟

作品数：42 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇中文专利

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 13篇磷化铟
  • 12篇金属
  • 10篇圆片
  • 10篇发射极
  • 10篇衬底
  • 8篇旋涂
  • 8篇异质结
  • 7篇电路
  • 7篇晶体管
  • 7篇键合
  • 7篇半导体
  • 6篇盐酸清洗
  • 6篇刻蚀
  • 6篇化合物半导体
  • 6篇基极
  • 5篇光刻
  • 4篇单片
  • 4篇电容
  • 4篇异质结晶体管
  • 4篇甩干机

机构

  • 42篇中国电子科技...

作者

  • 42篇程伟
  • 18篇赵岩
  • 17篇王元
  • 16篇吴立枢
  • 12篇孔月婵
  • 11篇陈堂胜
  • 6篇陆海燕
  • 6篇石归雄
  • 6篇牛斌
  • 4篇高汉超
  • 4篇刘昊
  • 3篇陈辰
  • 3篇常龙
  • 2篇陈征
  • 2篇李忠辉
  • 2篇刘海琪
  • 2篇尹志军
  • 2篇朱志明
  • 2篇吴璟
  • 1篇王维波

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 8篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 9篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 42 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
W波段低噪声功率放大芯片的在片测试系统及测试方法
本发明是W波段低噪声功率放大芯片的在片测试系统及测试方法，其结构包括处理器、探针台、噪声仪、电源，其中处理器的第一信号输出/输入端与探针台的信号输入/输出端对应相接，处理器的第二信号输出/输入端与噪声仪的信号输入/输出端...
陆海燕王维波程伟郭方金孔月婵陈堂胜
文献传递
一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作方法
本发明是一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极的制作方法：蒸发剥离方法制作发射极金属条形；淀积SiN薄膜；刻蚀形成SiN侧墙；湿法腐蚀发射区材料；自对准制作基极接触金属，完成磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作；优点：Si...
牛斌王元程伟赵岩吴立枢陆海燕
文献传递
一种磷化铟背孔的制作方法
本发明是一种磷化铟背孔的制作方法，包括：（1）在磷化铟圆片正面需要开背孔的位置，制作金属阻挡层，并完成正面工艺；（2）将圆片正面与临时载片蓝宝石键合，并对圆片背面进行减薄、抛光；（3）在圆片背面光刻制作背孔图形，并且保证...
常龙程伟王元
文献传递
太赫兹频段功率放大芯片在片功率测试系统及测试方法
本发明提出的是一种太赫兹（THz）频段功率放大芯片在片功率测试系统，其结构包括处理器、探针台、信号源、扩频模块、功率计、电源、左S弯及波导探针、右S弯及波导探针、直流探卡。其测试方法，包括：1）建立信号源输出功率与扩频模...
陆海燕孙岩程伟孔月婵陈堂胜
文献传递
一种基于外延层转移实现金刚石基GaN的方法
本发明是基于外延层转移实现金刚石基GaN的方法，其步骤如下：1）清洗Si基GaN圆片和临时载片；2）临时载片正面旋涂粘附剂；3）Si基GaN圆片与临时载片正面相对键合；4）将Si基GaN圆片的Si衬底刻蚀去除；5）清洗以...
吴立枢赵岩刘昊石归雄程伟
文献传递
一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法
本发明是一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法，包括以下步骤：1）准备样品；2）在磷化铟异质结双极型晶体管圆片上涂敷光刻胶；3）临时键合；4）背面工艺；5）涂敷BCB；6）清洗硅衬底表面；7）BCB键合；8）...
吴立枢赵岩程伟
文献传递
适用于毫米波分频器的在片测试系统及测试方法
本发明是一种适用于毫米波分频器的在片测试系统，其结构包括处理器、探针台、信号源、扩频模块、频谱仪、电源、直流探卡、左探针系统、右探针系统；其测试方法，包括如下步骤：1）测试分频器芯片输出端到频谱仪连接过程中的链路损耗；2...
陆海燕程伟张敏
文献传递
一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法
本发明是一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法，其主要步骤如下：光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极金属；以发射极金属为掩膜，利用湿法腐蚀工艺腐蚀掉发射区；淀积介质薄膜以保护住基区材料；光刻基极图形，以基...
程伟王元高汉超
文献传递
一种柔性InP HBT器件及其制备方法
本发明公开了一种柔性InP HBT器件及其制备方法，器件包括柔性衬底以及形成于所述柔性衬底上键合有键合层，所述键合层上结合有停止层，所述停止层上设置有InP HBT器件。制备方法为首先在InP衬底上正向生长带有停止层的I...
吴立枢戴家赟程伟王元孔月婵
文献传递
一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法
本发明是一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法；光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极；利用发射极金属为掩膜，腐蚀掉发射区；光刻基极图形，蒸发金属并剥离形成基极；光刻基极台面图形，利用光刻胶保护住基极金属以...
程伟赵岩陈辰
文献传递
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0