王科范
- 作品数：33 被引量：36H指数：4
- 供职机构：河南大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 一种MIS-硅异质结太阳电池及其制备方法
- 本申请公开一种MIS‑硅异质结太阳电池及其制备方法，所述一种MIS‑硅异质结太阳电池，包括载流子传输层(M)、载流子遂穿层(I)和半导体吸收层(S)。所述载流子传输层(M)由前表面载流子传输层(FM)和背表面载流子传输层...
- 汤叶华王科范
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- Si表面Ge量子点的MBE外延生长及其结构表征
- 由于量子限制效应，自组装生长的Ge量子点具有许多奇特的光学和电学性质，利用这些性质制备的器件，可能会在未来的集成电路和纳米电子学方面具有重要的应用前景。本论文利用自主研发的Si电子束蒸发器和建立的分子束外延设备，在Si衬...
- 王科范
- 关键词：量子点反射高能电子衍射衬底温度分子束外延博士论文电子束
- 文献传递
- 退火条件对Sn量子点生长和红外光学性质的影响
- 2010年
- 首次采用固相外延生长技术在Si(001)表面直接生长Sn量子点,并应用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和同步辐射傅里叶红外光谱(FTIR)研究了退火条件对量子点样品的表面形貌、结晶性和红外光学性质的影响。AFM结果表明,随着退火温度的升高和退火时间的延长,量子点的平均尺寸变大,面密度减小。XRD结果显示,外延得到的Sn量子点为四方结构的β-Sn,与衬底的相对取向为Sn(110)//Si(001)。由于β-Sn量子点的尺寸仍较大,同步辐射FTIR谱中没有观察到量子点的特征吸收峰。
- 赵希磊梁勇张忠锁黄高鹏王科范
- 关键词：固相外延
- 细化要素指标，提高原子物理精品课程建设水平
- 本文结合实际,对原子物理学精品课程建设的五个指标细化为七个指标,并进行了精品课程建设具体实践,取得了一定的效果。
- 张忠锁王渊旭赵高峰任凤竹王科范
- 关键词：精品课程原子物理
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- 碳化硅中间带太阳电池及其制备方法
- 本发明提供了一种碳化硅中间带太阳能电池及其制备方法。该碳化硅中间带太阳能电池包括：n型碳化硅衬底；形成于该n型碳化硅衬底上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层，其作为中间带光吸收层；以及形成于该本征层上的p型帽层...
- 王科范张光彪丁丽刘孔曲胜春王占国
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- 硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法
- 本发明公开了一种硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制造方法，探测器包括p型掺杂硅单晶衬底，金字塔减反射结构分别形成于p型掺杂硅单晶衬底的上、下表面，硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜形成于p型掺杂硅单晶衬底的上表面的金字塔减反...
- 王科范彭成晓刘孔谷城曲胜春王占国
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- 湿化学法制备氧化硅超薄膜及其成份和厚度的SRPES测定被引量：1
- 2008年
- 用C2H5OH溶液氧化H钝化的Si表面(H-Si)得到一层氧化硅超薄膜。原子力显微镜(AFM,Atomic Force Microscope)的结果显示,氧化前后的表面均非常平整。同步辐射光电子能谱(SRPES,Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy)的测试结果表明,氧化膜的主要化学成份为SiO2,其平均厚度为0.24nm。衬底温度为500℃时,在此氧化膜表面制备出面密度达9.5×1010cm-2,尺寸集中为(25±5)nm的Ge量子点。初步的生长实验表明,湿化学法制备的氧化硅超薄膜作为外延衬底,可减小Ge量子点的尺寸,提高其面密度。
- 王科范徐彭寿张伟风顾玉宗郑海务
- 关键词：氧化硅薄膜湿化学法GE量子点
- 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法
- 一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点...
- 王科范杨晓光杨涛王占国
- 一种实现低温扩散的硼源
- 本发明公开了一种实现低温扩散的硼源，属于硼扩散技术领域，一种实现低温扩散的硼源，本发明采用不含金属元素的硼酸铵盐，结合低成本的环保型溶剂，制得安全无毒、不易造成半导体硅污染的硼源溶液，符合现代工艺所要求的低成本和环境友好...
- 汤叶华马兴平王科范黑江浩王孟
- 文献传递
- Sn量子点的研究进展
- 2010年
- Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等,具有重要的研究意义。介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术,综述了Sn量子点的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果,指出了Sn量子点研究面临的关键问题以及研究方向。
- 赵希磊王科范张伟风顾玉宗
- 关键词：光学性质电学性质
