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梁春广

作品数:41 被引量:97H指数:5
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国防科技技术预先研究基金国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信机械工程自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>

文献类型

  • 29篇期刊文章
  • 7篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 30篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 8篇微电子
  • 8篇微机械
  • 8篇光开关
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  • 7篇通信
  • 6篇集成电路
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  • 5篇GAAS
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  • 4篇子线
  • 4篇量子
  • 4篇量子线
  • 4篇晶体管
  • 4篇光通信
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机构

  • 24篇中国电子科技...
  • 11篇河北半导体研...
  • 6篇吉林大学
  • 4篇机电部
  • 3篇东南大学
  • 2篇兰州大学
  • 2篇清华大学

作者

  • 41篇梁春广
  • 9篇杨拥军
  • 8篇李献杰
  • 6篇徐永青
  • 6篇刘式墉
  • 6篇曾庆明
  • 5篇刘伟吉
  • 5篇敖金平
  • 5篇张文俊
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  • 3篇徐晓春
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传媒

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  • 1篇第四届全国固...

年份

  • 2篇2005
  • 6篇2003
  • 6篇2002
  • 10篇2001
  • 3篇2000
  • 3篇1999
  • 3篇1996
  • 2篇1994
  • 4篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
41 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术被引量:2
2000年
用H3PO4:H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀,并将其应用于InP/InGaAsHBT制作,发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70,截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.
李献杰曾庆明徐晓春敖金平刘伟吉梁春广
关键词:INPINGAASHBT湿法刻蚀
N#-[2]分压对RF反应溅射制备非晶WSixNY薄膜影响
王立侠梁春广
关键词:溅射硅化物砷化镓金属薄膜
能带工程在激光器中的应用
1991年
随着MBE和MOCVD生长技术的发展,已能生长出高质量超薄层的外延材料,使能带工程技术成为目前国内外的热门研究课题。该技术可使光电器件和电子器件的性能得到明显的改进和提高。本文主要论述了能带工程在半导体激光器中的应用。
梁春广杨瑞麟
关键词:激光器超晶格半导体
微机械电子隧穿传感器及其在航天技术中的应用
说明了电子隧穿传感器的工作原理;阐述了微机械电子隧穿红外探测器、微机械电子隧穿加速度计、微机械电子隧穿磁强计等典型的微机械电子隧穿传感器及其在航天技术中的巨大应用潜力和优势;最后介绍了我们在微机械电子隧穿红外探测器、微机...
杨拥军赵正平梁春广
关键词:微机械红外探测器加速度计磁强计陀螺仪航天技术
文献传递
MEMS光开关发展现状
2002年
介绍MEMS光开关的特点,分析了MEMS光开关的需求背景和应用范围,详细介绍了国内外MEMS光开关及其相关技术发展状况,分析了MEMS光开关的市场情况,指出了我国发展MEMS光开关技术的紧迫性和重要意义。
杨拥军梁春广
关键词:光开关OXCOADM光分插复用器光交叉连接器
静电式微机械全光开关
本实用新型公开了一种静电式微机械全光开关,涉及光电子技术领域中的光开关器件。它由N型单晶硅衬底、定齿、动齿、定齿和动齿驱动电极、折叠悬梁、三角平衡梁、中间梁、金属层、浓硼层、光纤、硅微镜、垂直槽、V形槽等部件组成。它采用...
徐永青杨拥军赵彦军梁春广
文献传递
6~18GHz宽带功率放大器模块被引量:4
1996年
研究了GaAs功率MESFET的小信号特性、大信号特性和其宽带匹配网络。选用TWT-2型功率器件,设计研制出了单级宽带功率放大器。在6~18GHz的工作频率范围内,小信号增益等于5.0±1.0dB,1dB压缩输出功率等于25.0±0.8dBm,输入输出驻波比小于2.5。
杨文钊梁春广李振国
关键词:信号特性匹配网络宽带功率放大器
RF MEMS技术被引量:10
2002年
通信收发机、天线等无线设备的发展趋势是高性能、小体积、低成本。微电子机械系统技术在这一趋势中显现了技术潜力。本文阐述了RFMEMS技术的现状。
梁春广
关键词:微电子机械射频微电子
RIE技术制备p-n结型GaN蓝光LEDs
1999年
自从S.Nakamura等人成功地制备了GaN/GaInN/AlGaN蓝、绿光LEDs以来,GaN及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究.由于GaN材料不同于传统的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,因此其器件的加工工艺,如欧姆或肖特基接触的形成、...
章其麟张冀赵永军李云梁春广刘燕飞杨瑞林
关键词:反应离子刻蚀氮化镓蓝光
Gb/s级光前置放大器的基本电路形式
1993年
通过对由InGaAs-PIN或InGaAs-APD与GaAsFET或HEMT配合组成的光前置放大器分类比较,找出了适合Gb/s高速光纤通信前置放大器的电路形式。介绍了几种典型电路,讨论和分析了其设计、制作和测试结果。
高建军梁春广
关键词:放大器混合集成电路光放大器
共5页<12345>
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