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孙慧楠

作品数：8 被引量：8H指数：2
供职机构：西北工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金西北工业大学基础研究基金更多>>
相关领域：理学轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 4篇溶胶
  • 4篇衬底
  • 3篇氧化钛
  • 3篇溶胶凝胶
  • 3篇光强
  • 3篇光强度
  • 3篇发光
  • 3篇发光薄膜
  • 3篇发光强度
  • 2篇氧化锌
  • 2篇溶胶凝胶法
  • 2篇清洗方法
  • 2篇洗洁精
  • 2篇禁带
  • 2篇浸泡
  • 2篇酒精浸泡
  • 2篇拉制
  • 2篇和光
  • 2篇半导体
  • 2篇SUB

机构

  • 8篇西北工业大学

作者

  • 8篇赵小如
  • 8篇孙慧楠
  • 6篇史小龙
  • 3篇关蒙萌
  • 2篇牛红茹
  • 2篇王凤贵
  • 2篇段利兵
  • 2篇王亚君
  • 1篇曹萌萌
  • 1篇陈安琪
  • 1篇朱宇瑾
  • 1篇刘金铭
  • 1篇白晓军
  • 1篇段文芳

传媒

  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种用于溶胶凝胶法提拉制膜的衬底清洗方法
本发明涉及一种用于溶胶凝胶法提拉制膜的衬底清洗方法，其特征在于步骤如下：在室温下，将衬底用洗洁精溶液浸泡、用去离子水浸泡、采用V<Sub>水</Sub>：V<Sub>盐酸</Sub>=n：1的稀盐酸溶液浸泡、采用丙酮浸泡...
赵小如关蒙萌史小龙孙慧楠
文献传递
Sn掺杂对ZnO薄膜结构和光电性能的影响被引量：4
2012年
采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在玻璃衬底上制备了Sn掺杂ZnO(SZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了Sn掺杂对薄膜表面形貌和微结构的影响。XRD结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向。SEM结果表明随着掺杂浓度的增加,薄膜表面由颗粒向纳米棒转变。电学结果显示掺杂浓度为3at%时,电学性能最好,最低电阻率为6.9×10-2Ω.cm。室温光致发光谱(PL)显示所有的SZO薄膜样品在(325 nm光激发下)380 nm和398 nm两处都有发光峰,随着掺杂浓度的增大,398 nm处的发光强度先增大后减小,然后再增大;380nm处的发光强度始终增大,这些现象与薄膜的表面结构的变化有关。
史小龙赵小如孙慧楠段利兵刘金铭陈安琪
关键词：溶胶凝胶晶体结构光电性能
一种用于溶胶凝胶法提拉制膜的衬底清洗方法
本发明涉及一种用于溶胶凝胶法提拉制膜的衬底清洗方法，其特征在于步骤如下：在室温下，将衬底用洗洁精溶液浸泡、用去离子水浸泡、采用V<Sub>水</Sub>：V<Sub>盐酸</Sub>=n：1的稀盐酸溶液浸泡、采用丙酮浸泡...
赵小如关蒙萌史小龙孙慧楠
一种调节氧化物半导体基质中Eu<Sup>3+</Sup>发光强度的方法
本发明涉及一种调节氧化物半导体基质中Eu<Sup>3+</Sup>发光强度的方法，其特征在于：先制备TiO<Sub>2</Sub>溶胶和SiO<Sub>2</Sub>溶胶，将TiO<Sub>2</Sub>溶胶和SiO<S...
赵小如孙慧楠史小龙关蒙萌
文献传递
调节氧化锌和氧化钛复合半导体薄膜ZnO-TiO<Sub>2</Sub>光学带隙的方法
本发明涉及一种调节氧化锌和氧化钛复合半导体薄膜ZnO-TiO<Sub>2</Sub>光学带隙的方法，其特征在于：通过采用混合两种溶胶的方法，实现了对两种材料的复合结构光学带隙可调，为以后实现宽禁带且高透过率的半导体器件的...
赵小如王亚君孙慧楠牛红茹王凤贵
文献传递
调节氧化锡和氧化钛复合半导体薄膜TiO<Sub>2</Sub>-SnO<Sub>2</Sub>发光强度的方法
本发明涉及一种调节氧化锡和氧化钛复合半导体薄膜TiO<Sub>2</Sub>-SnO<Sub>2</Sub>发光强度的方法，通过采用两种溶胶混合的方法，实现了我们对半导体薄膜的发光强度进行可控调节，这就为我们将来在特定的...
赵小如王亚君孙慧楠牛红茹王凤贵
文献传递
退火气氛和镧掺杂浓度对ZnO薄膜结构和光学性能的影响被引量：5
2013年
采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在玻璃衬底上制备Zn1-xLaxO（x=0～0．04）（LZO）薄膜，分别在空气、氮气和氩气条件下进行退火，探讨了不同退火气氛和不同镧掺杂浓度对其结构和光学性能的影响。XRD和SEM结果表明：氩气退火条件下ZnO的晶粒尺寸比空气退火条件下和氮气退火条件下的晶粒尺寸略小，且ZnO晶粒的尺寸随着镧掺杂浓度的增加而减小。薄膜光致发光（PL）测量表明：紫光发光带中心在氩气下退火相对于空气下退火存在略微的蓝移，而在氮气下退火则相反；ZnO紫光发光带的位置随着镧掺杂浓度的增加先红移而后蓝移。禁带宽度在镧掺杂量为2％时达到最小值，说明镧可以有效地调节ZnO的禁带宽度。
段文芳赵小如段利兵白晓军史小龙朱宇瑾孙慧楠
关键词：溶胶-凝胶法ZNO薄膜镧掺杂禁带宽度
能够调节发光强度的氧化锌和氧化钛复合半导体薄膜的制备方法
本发明涉及一种能够调节发光强度的氧化锌和氧化钛复合半导体薄膜的制备方法，其特征在于：首先制备ZnO溶胶和TiO<Sub>2</Sub>溶胶，将两种溶胶进行混合，制备TiO<Sub>2</Sub>~ZnO复合溶胶；两种溶胶...
赵小如史小龙孙慧楠曹萌萌
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