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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇多晶
  • 2篇外延层
  • 2篇外延片
  • 2篇芯片
  • 2篇抗ESD
  • 2篇抗辐射
  • 2篇EEPROM...

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇李博
  • 2篇孙佩
  • 2篇田海燕
  • 2篇封晴
  • 2篇王晓玲
  • 2篇赵力

年份

  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构
本实用新型涉及一种薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构,按照本实用新型提供的技术方案,所述薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构,包括P型衬底及位于所述P型衬底上的P型外延层,所述P型外延层上设...
李博封晴田海燕王晓玲赵力孙佩
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薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构
本发明涉及一种薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构,按照本发明提供的技术方案,所述薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构,包括P型衬底及位于所述P型衬底上的P型外延层,所述P型外延层上设有EEP...
李博封晴田海燕王晓玲赵力孙佩
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共1页<1>
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