2024年11月19日
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封晴
作品数:
44
被引量:12
H指数:2
供职机构:
中国电子科技集团第五十八研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
江苏省“333工程”科研项目
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
王晓玲
中国电子科技集团第五十八研究所
季惠才
中国电子科技集团第五十八研究所
于宗光
江南大学物联网工程学院
田海燕
中国电子科技集团第五十八研究所
陈珍海
中国电子科技集团第五十八研究所
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机构
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作者
44篇
封晴
15篇
季惠才
15篇
王晓玲
14篇
于宗光
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田海燕
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陈珍海
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马金龙
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张涛
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赵桂林
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2010
2篇
2008
1篇
2004
共
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一种MTM反熔丝FPGA的编程方法
本发明公开一种MTM反熔丝FPGA的编程方法,属于可编程反熔丝技术领域。对于每一个反熔丝的编程,先施加正向编程脉冲,然后再施加反向编程脉冲;其中,对选定编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前,对布线轨线进行预充电;对选定编程...
马金龙
赵桂林
吴素贞
隽扬
封晴
杨霄垒
孙杰杰
曹靓
文献传递
用于电荷耦合流水线模数转换器的PVT不敏感共模电荷控制装置
本发明涉及一种可用于控制电荷耦合流水线模数转换器内部共模电荷的电路装置。包括两个输出共模可调电荷传输电路(BBD)、一个共模检测调整电路、一个关断电压复制电路。本发明的目标是对现有电荷传输技术引起的共模电荷问题进行抑制,...
于宗光
陈珍海
钱宏文
季惠才
封晴
文献传递
一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法
本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法,包括:对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电;上一个编程脉冲完成后,施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间;将编程脉冲进行分组,两个一组...
马金龙
孙杰杰
封晴
吴素贞
于跃
王栋
徐睿
文献传递
基于三模冗余抗辐照自刷新寄存器
本发明提供了一种基于三模冗余抗辐照具有自刷新功能的寄存器,在寄存器的两级锁存结构中,第二级锁存结构中增加了一个表决器,表决器的输入端有一个连接本寄存器的输出端,另两个输入端数据来自三模冗余结构的另两个具有自刷新功能的寄存...
陈钟鹏
万书芹
施斌友
张涛
封晴
文献传递
抗辐照EEPROM存储阵列隔离结构
本实用新型公布了一种抗辐照EEPROM存储单元阵列隔离结构,包括制作在半导体衬底上的EEPROM存储单元,所述EEPROM存储单元呈阵列排列,EEPROM存储单元之间通过场氧相隔离,在所述场氧下面增加场注,使得存储阵列中...
田海燕
封晴
王晓玲
张艳飞
李博
文献传递
适用于FPGA电路的非对称结构配置SRAM
本实用新型涉及一种适用于FPGA电路的非对称结构配置SRAM,该非对称结构SRAM由六个晶体管组成,分别为M1、M2、M3、M4、M5、M6:M1、M2为两个存取晶体管;M3和M5、M4和M6构成两个CMOS反相器;两个...
胡凯
封晴
周慧
张艳飞
田海燕
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薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构
本实用新型涉及一种薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构,按照本实用新型提供的技术方案,所述薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构,包括P型衬底及位于所述P型衬底上的P型外延层,所述P型外延层上设...
李博
封晴
田海燕
王晓玲
赵力
孙佩
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薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构
本发明涉及一种薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构,按照本发明提供的技术方案,所述薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构,包括P型衬底及位于所述P型衬底上的P型外延层,所述P型外延层上设有EEP...
李博
封晴
田海燕
王晓玲
赵力
孙佩
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一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法
本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法,包括:对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电;上一个编程脉冲完成后,施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间;将编程脉冲进行分组,两个一组...
马金龙
孙杰杰
封晴
吴素贞
于跃
王栋
徐睿
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具有数字后台校准功能的电荷耦合流水线模数转换器
本发明提供了一种具有数字后台校准功能的电荷耦合流水线模数转换器,其包括电荷耦合采样保持电路、伪随机调制的基于电荷耦合信号处理技术的流水线子级电路、N‑1级基于电荷耦合信号处理技术的流水线子级电路、第N+1级N‑bit F...
于宗光
陈珍海
薛颜
付俊爱
季惠才
封晴
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