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彭丽萍

作品数:90 被引量:18H指数:3
供职机构:中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
发文基金:中国博士后科学基金国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 54篇专利
  • 22篇期刊文章
  • 14篇会议论文

领域

  • 22篇理学
  • 18篇电子电信
  • 4篇机械工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 24篇激光
  • 19篇太赫兹
  • 16篇激光器
  • 16篇赫兹
  • 14篇量子级联
  • 14篇量子级联激光...
  • 13篇感器
  • 13篇传感
  • 13篇传感器
  • 10篇溅射
  • 10篇磁控
  • 9篇磁控溅射
  • 8篇单晶
  • 8篇晶体
  • 7篇量子
  • 7篇脉冲
  • 7篇ZNO
  • 6篇太赫兹量子级...
  • 6篇光束
  • 6篇衬底

机构

  • 90篇中国工程物理...
  • 5篇西南科技大学
  • 4篇西华师范大学
  • 2篇中南大学

作者

  • 90篇彭丽萍
  • 78篇吴卫东
  • 77篇王雪敏
  • 56篇蒋涛
  • 49篇阎大伟
  • 48篇沈昌乐
  • 40篇黎维华
  • 38篇王新明
  • 31篇赵妍
  • 30篇邓青华
  • 21篇肖婷婷
  • 19篇罗跃川
  • 16篇杨奇
  • 11篇张继成
  • 9篇李恪宇
  • 9篇张颖娟
  • 7篇李佳
  • 7篇闫大伟
  • 7篇李兆国
  • 6篇曾体贤

传媒

  • 5篇强激光与粒子...
  • 4篇人工晶体学报
  • 4篇太赫兹科学与...
  • 2篇物理学报
  • 1篇燃料化学学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇材料导报
  • 1篇真空
  • 1篇广州化工
  • 1篇信息与电子工...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 5篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 9篇2021
  • 4篇2020
  • 9篇2019
  • 9篇2018
  • 12篇2017
  • 9篇2016
  • 16篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 1篇2011
90 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
晶体生长安瓿位置调节装置及系统
本发明提供了一种晶体生长安瓿位置调节装置及系统,涉及安瓿位置调节技术领域。一种晶体生长安瓿位置调节装置,包括支撑组件、热电偶和位置调节组件。位置调节组件通过支撑杆与支撑组件连接,用于在水平和竖直方向移动和定位支撑组件。支...
樊龙肖婷婷彭丽萍黎维华阎大伟吴卫东沈昌乐蒋涛湛治强
文献传递
超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法
本发明公开了一种超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法,利用激光诱导化学气相沉积方式,实现聚合物薄膜单分子层生长,并通过脱膜技术获得超薄自支撑薄膜。该方法通过脉冲进气和气体流量、压力的精确控制,实现了聚合物单体的分子流方式进入真...
彭丽萍吴卫东王雪敏樊笼蒋涛王新明湛治强沈昌乐阎大伟赵妍黎维华邓青华
文献传递
ZnO单晶生长与无籽晶安瓿设计研究
根据ZnO晶体的结晶特性,研究设计出一种无籽晶石英生长安瓿,其关键技术参数为:自发成核区采用多区间淘汰,分别设置籽晶淘汰区、籽晶平行区、放肩结晶区和安瓿主体区多个区域,将籽晶淘汰区和放肩结晶区设置为35~45°的大角度,...
樊龙曾体贤王茂州彭丽萍王雪敏吴卫东
关键词:ZNO单晶生长XRD分析
2.5THz量子级联激光器的研制被引量:3
2015年
基于束缚态到连续态跃迁有源区能带结构,实现了2.5 THz量子级联激光器的连续波工作。激光器的输出频率随电流可在2.45-2.47 THz之间可调,在连续波工作模式下的最高输出功率大于6.0mw,最高连续波工作温度为60 K,阈值电流密度为120 A/cm2,经Si透镜整形后的输出光斑为高斯分布。
王雪敏沈昌乐蒋涛湛治强黎维华彭丽萍邓青华樊龙王新明阎大伟赵妍吴卫东唐永建
关键词:太赫兹量子级联激光器连续波高斯分布
量子级联激光器的热管理研究进展被引量:3
2021年
作为目前最重要的中远红外光源,量子级联激光器(QCL)因独特的性能和频率可拓展至太赫兹(THz)的特点,成为研究的热点。对于QCL,影响其输出功率和工作温度的因素较多,其中高效散热是重要的因素。首先对中红外和太赫兹两种QCL的热管理研究进行了归纳和总结;讨论和分析了两者之间的相似和不同点,主要讨论两种激光器固体侧散热的方法,包括有源区设计、改进工艺、优化器件材料体系等方面;最后,对QCL热管理的未来研究趋势进行了分析和预测。该结果对于QCL的性能提升,特别是输出功率和工作温度的提高,具有一定的参考意义。
张泽涵蒋涛湛治强王雪敏罗佳文彭丽萍樊龙肖婷婷肖婷婷
关键词:量子级联激光器热管理太赫兹中红外
太赫兹QCL技术研究进展
2013年
综述了太赫兹QCL(THz QCL)有源区结构设计与制备、波导结构设计和频率控制3方面的基本原理及研究进展。THz QCL有源区薄膜厚度、组分和掺杂浓度的精确控制是材料制备过程的关键。通过提高注入电流和器件温度的稳定性可以有效减小THz QCL线宽和提高频率稳定性。随着器件功率和频率特性的提升,THz QCL将在通讯、成像和谱分析等技术领域获得广泛的应用。
沈昌乐王雪敏黎维华阎大伟赵妍罗跃川彭丽萍吴卫东唐永建
关键词:太赫兹波导频率稳定性
ZnO多晶原料的提纯研究被引量:1
2014年
采用石墨辅助化学气相运输法,对ZnO多晶原料进行提纯研究。通过反应机理分析和热失重(TG)实验,发现ZnO-C体系初始反应温度约为1000℃,在1200℃反应速率急剧增加,由此设计出提纯温场。在真空封结的石英安瓿中,通过反应、输运和重结晶过程,得到致密ZnO晶锭,呈淡黄色;X射线衍射谱与标准谱符合较好,无杂峰;等离子体质谱仪(ICP-MS)测试显示,晶锭中的杂质离子(尤其Ag、Cu、Pb等对器件影响较大的深能级、多能级重金属离子)明显减少。采用化学气相法提纯后的多晶体,可成为制备各种ZnO光电器件的高纯原料。
王茂州曾体贤彭柱彭丽萍王雪敏吴卫东
关键词:氧化锌热失重分析提纯
高电子迁移率晶体管材料结构的制备及分析被引量:1
2013年
针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,分析了双δ掺杂GaAs HEMT的结构组成,基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范德堡霍尔测试结果表明,HEMT的2DEG测试浓度为1.82×1012cm-3,电子迁移率大于6 520 cm2·V-1·s-1。
王雪敏阎大伟沈昌乐赵妍黎维华周民杰罗跃川彭丽萍吴卫东唐永建
关键词:高电子迁移率晶体管多层结构
对温湿度及压力进行控制的传感器测试腔体及应用方法
本发明公开了一种对温湿度及压力进行控制的传感器测试腔体及应用方法,包括:测试腔,其内设置有放置待测传感器样品的平台;设置在与测试腔上方的盖体,其在与平台相配合的位置上设置有透明窗口;设置在平台下方的第一加热机构;设置在测...
杨奇邹蕊矫舒琳罗跃川李恪宇蒋涛阎大伟王雪敏彭丽萍吴卫东
一种铌溅射泵及真空系统
本实用新型提供了一种铌溅射泵及真空系统,属于真空技术领域,真空系统包括腔体、机械泵、分子泵、离子泵和铌溅射泵,铌溅射泵包括壳体、直流磁控溅射靶枪、惰性气体入口和挡板,直流磁控溅射靶枪为铌靶,壳体内设置有空腔,空腔与待抽真...
彭丽萍吴卫东王雪敏樊龙蒋涛王新明湛治强沈昌乐阎大伟赵妍黎维华邓青华
文献传递
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