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叶俊

作品数：9 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇高压器件
  • 4篇半导体
  • 2篇等离子显示
  • 2篇等离子显示屏
  • 2篇电荷
  • 2篇电离
  • 2篇电力
  • 2篇电力设备
  • 2篇电路
  • 2篇元胞
  • 2篇正电
  • 2篇正电荷
  • 2篇数据挖掘
  • 2篇驱动芯片
  • 2篇终端
  • 2篇终端设计
  • 2篇状态检修
  • 2篇显示屏
  • 2篇消费电子
  • 2篇芯片

机构

  • 9篇电子科技大学

作者

  • 9篇叶俊
  • 6篇乔明
  • 6篇张波
  • 4篇胡曦
  • 4篇罗波
  • 2篇蒋苓利
  • 2篇向凡
  • 2篇段双亮
  • 2篇傅达平
  • 2篇李肇基
  • 2篇温恒娟
  • 2篇章文通
  • 2篇何逸涛
  • 2篇周锌
  • 1篇王卓

年份

  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2007
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件
本发明实施例公开了一种用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，自下而上依次包括：衬底、埋氧层、n型SOI层，所述SOI层中集成HV-NMOS、HV-PMOS、Field-PMOS、LIGBT、CMOS、NPN、PNP和HV...
乔明罗波胡曦叶俊张波李肇基
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区...
乔明胡曦罗波叶俊蒋苓利傅达平段双亮张波
内网主动安全技术的研究
随着计算机技术和网络技术的快速发展和广泛普及，作为一种重要的信息资源载体和信息共享渠道，内网在企业的业务经营和个人的使用上发挥的作用越来越大。在内网为我们带来便捷的同时，如何更好的保护内网的安全已经成为与使用者切身利益相...
叶俊
关键词：企业内网漏洞扫描
文献传递
一种用于SOI高压集成电路的半导体器件
一种用于SOI高压集成电路的半导体器件，属于功率半导体器件领域。包括半导体衬底层、介质埋层、顶层硅；顶层硅中至少集成了高压LIGBT、NLDMOS和PLDMOS器件；介质埋层的厚度不超过5微米，顶层硅的厚度不超过20微米...
乔明周锌温恒娟何逸涛章文通向凡叶俊张波
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区...
乔明胡曦罗波叶俊蒋苓利傅达平段双亮张波
文献传递
电力设备状态检修数据挖掘系统的设计实现
数据挖掘(Data Mining)技术就是从大量的、不完全的、有噪声的、模糊的,随机的实际应用数据中,提取隐含在其中的、人们事先不知道的,但又是潜在有用的信息和知识的过程。数据挖掘总体可以分为数据准备、数据挖掘两个大的阶...
叶俊
关键词：电力设备状态检修数据挖掘
文献传递
一种用于SOI高压集成电路的半导体器件
一种用于SOI高压集成电路的半导体器件，属于功率半导体器件领域。包括半导体衬底层、介质埋层、顶层硅；顶层硅中至少集成了高压LIGBT、NLDMOS和PLDMOS器件；介质埋层的厚度不超过5微米，顶层硅的厚度不超过20微米...
王卓乔明周锌温恒娟何逸涛章文通向凡叶俊张波
文献传递
用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件
本发明实施例公开了一种用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，自下而上依次包括：衬底、埋氧层、n型SOI层，所述SOI层中集成HV-NMOS、HV-PMOS、Field-PMOS、LIGBT、CMOS、NPN、PNP和HV...
乔明罗波胡曦叶俊张波李肇基
文献传递
电力设备状态检修数据挖掘系统的设计与实现
数据挖掘（Data Mining）技术就是从大量的、不完全的、有噪声的、模糊的，随机的实际应用数据中，提取隐含在其中的、人们事先不知道的，但又是潜在有用的信息和知识的过程。　　数据挖掘总体可以分为数据准备、数据挖掘两个大...
叶俊
关键词：电力设备状态检修数据挖掘系统数据库设计
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