您的位置： 专家智库 > >

罗波

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 16篇功率器件
  • 15篇半导体
  • 14篇半导体功率器...
  • 10篇高压器件
  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 6篇寄生效应
  • 5篇芯片
  • 5篇薄层
  • 4篇单片
  • 4篇单片集成
  • 4篇等离子平板显...
  • 4篇低压CMOS
  • 4篇平板显示
  • 4篇平板显示器
  • 4篇驱动芯片
  • 4篇显示器
  • 4篇刻蚀
  • 4篇二极管
  • 3篇氧化层

机构

  • 24篇电子科技大学
  • 2篇深圳市联德合...

作者

  • 24篇罗波
  • 22篇张波
  • 20篇乔明
  • 14篇蒋苓利
  • 8篇杨帆
  • 8篇刘新新
  • 6篇胡曦
  • 5篇廖红
  • 5篇段双亮
  • 5篇傅达平
  • 4篇程鹏铭
  • 4篇方健
  • 4篇叶俊
  • 4篇李肇基
  • 4篇王卓
  • 3篇王亮亮
  • 3篇张弦
  • 3篇关旭
  • 3篇王凯
  • 3篇刘哲

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 6篇2011
  • 8篇2010
  • 8篇2009
共 24 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区...
乔明胡曦罗波叶俊蒋苓利傅达平段双亮张波
等离子平板显示器驱动芯片用高压器件
等离子平板显示器驱动芯片用高压器件，属于半导体功率器件领域。在衬底、埋氧层和SOI层上建立高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件和高压nLIGBT器件，用深槽介质隔离区分开。处于衬底和SOI层中间的埋氧层和深槽介质隔...
乔明杨帆廖红蒋苓利程鹏铭刘新新罗波张波
文献传递
用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件
本发明实施例公开了一种用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，自下而上依次包括：衬底、埋氧层、n型SOI层，所述SOI层中集成HV-NMOS、HV-PMOS、Field-PMOS、LIGBT、CMOS、NPN、PNP和HV...
乔明罗波胡曦叶俊张波李肇基
一种两次刻蚀单层多晶硅的高功率BCD工艺
一种两次刻蚀单层多晶硅的高功率BCD工艺，属于半导体器件及集成电路，具体涉及BCD器件的制造方法。包括衬底预氧、NBL、PBL；外延生长；ISO；Nsink；PCH和NCH注入；栅氧化层生长；PBASE、PBODY1和P...
方健毛焜刘哲张弦王凯尹德阳王亮亮薛方俊罗波关旭张波
文献传递
一种横向功率器件版图结构
一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区...
乔明胡曦罗波叶俊蒋苓利傅达平段双亮张波
文献传递
等离子平板显示器驱动芯片用高压器件
等离子平板显示器驱动芯片用高压器件，属于半导体功率器件领域。在衬底、埋氧层和SOI层上建立高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件和高压nLIGBT器件，用深槽介质隔离区分开。处于衬底和SOI层中间的埋氧层和深槽介质隔...
乔明杨帆廖红蒋苓利程鹏铭刘新新罗波张波
文献传递
薄层SOI高压驱动集成电路
乔明张波李肇基方健王卓杨舰蒋苓利杨帆刘新新罗波董骁廖红刘娟樊航李建国
该成果围绕SOI高压器件耐压与背栅效应、高压互连技术和高低压兼容工艺进行研究。提出SOI高压器件的体内场降低REBULF技术，提出薄层SOI高压器件的场氧离子注入IFO技术。基于上述技术，开发1μm超薄层SOI高低压兼容...
关键词：
关键词：集成电路节能减排半导体器件
800V级高压驱动集成电路
方健张波乔明李肇基李泽宏王卓杨舰毛琨刘哲张弦王凯尹德扬王亮亮罗波关旭
该成果自主开发了高压集成工艺及技术，立足于国内加工线，在8～10μm和25μm的不同外延层厚度条件下，分别实现了800V级具有欠压保护的高压驱动集成电路。其主要技术性能指标为：最高工作电压大于800V，频率达240kHz...
关键词：
关键词：集成电路LDMOS器件
一种薄层SOI复合功率器件
一种薄层SOI复合功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在单片SOI衬底上至少集成了一个高压PMOS器件、一个高压NMOS器件和一个低压CMOS晶体管。所述高压PMOS器件和高压NMOS器件表面具有在宽度方向上交错...
乔明罗波赵远远胡曦张波
一种薄层SOI复合功率器件
一种薄层SOI复合功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在单片SOI衬底上至少集成了一个高压PMOS器件、一个高压NMOS器件和一个低压CMOS晶体管。所述高压PMOS器件和高压NMOS器件表面具有在宽度方向上交错...
乔明罗波赵远远胡曦张波
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0