刘玉贵
- 作品数：11 被引量：13H指数：2
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析被引量：7
- 2005年
- 在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试 ,得到了库仑阻塞特性 .并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应 ,观察到较大的库仑阈值电压 .对试验数据进行了分析 ,阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果 .
- 郭荣辉赵正平郝跃刘玉贵武一宾吕苗
- 关键词：量子点库仑阻塞
- 电子束直写直栅和T形栅工艺技术应用被引量：1
- 2002年
- 介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。
- 刘玉贵王维军罗四维江泽流
- 关键词：电子束曝光技术GAAS器件
- 电子束直写直栅和T型栅工艺技术应用
- 介绍用EBL(E-Beam Lithography)技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅条的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用.
- 刘玉贵王维军罗四维江泽流
- 关键词：电子束曝光技术T型栅
- 文献传递
- 电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
- 介绍用光学设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,而用高分辨率的电子束设备制作线宽不大于0.5um、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术.
- 罗四维王维军江泽流刘玉贵
- 关键词：电子束GAAS器件干法刻蚀
- 文献传递
- 亚半微米铬掩模版制作技术研究
- 介绍用Leica VB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4″铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术.
- 王维军罗四维江泽流刘玉贵
- 关键词：亚半微米电子束抗蚀剂干法刻蚀
- 文献传递
- 铟量子点实现单电子晶体管方法被引量：1
- 2006年
- 研究了一种新型的铟量子点单电子晶体管,它是利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长方法得到的.实现了在纳米电极间隙上生长铟量子点.该结构由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了多岛结构的单电子晶体管.
- 郭荣辉赵正平郝跃刘玉贵武一斌吕苗
- 关键词：单电子晶体管库仑阻塞量子点
- 蓝宝石衬底上的高性能AlGaN/GaN HEMT研制与分析
- 本研究在蓝宝石衬底上制作了栅长90nm源漏间距0.8um的AlGaN/GaN HEMT并进行了表征。器件在栅偏压为0V时的最大漏电流密度为995 mA/mm。最大峰值跨导为225 mS/mm。器件的电流增益截止频率和最大...
- 韩婷婷冯志红敦少博吕元杰顾国栋刘玉贵王元刚徐鹏宋旭波尹甲运
- 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓蓝宝石衬底性能表征
- 文献传递
- 纳电子器件被引量：2
- 2003年
- 随着电子器件的小型化 ,器件的尺寸已经到了介观尺寸 ,传统的器件日益接近其物理机理的禁区 ,一些新的介观器件随之出现。本文根据介观系统的新特点 ,介绍了几种典型的纳电子器件 ,并简单地介绍了量子干涉器件、共振隧穿器件、单电荷转移器件 。
- 郭荣辉赵正平刘玉贵武一宾吕苗杨拥军
- 关键词：纳电子器件介观系统共振隧穿器件
- 亚半微米铬掩模版制作技术研究被引量：1
- 2002年
- 介绍了用LeicaVB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术。
- 王维军罗四维江泽流刘玉贵
- 关键词：亚半微米干法刻蚀掩模版
- 基于重核衰变原理的单电子存储器寿命模型
- 2002年
- 单电子存储器是依据库仑阻塞原理操纵单个电子进行信息存储的一种量子器件。它具有低功耗、高速度、极小尺寸的优点,是现有存储器极有希望的替代品。信息的记忆性能是衡量存储器的一个重要参数,因而对单电子存储器的记忆性能研究有重要的意义。存储器的结构以及温度、电磁辐射等环境因素都对单电子存储器记忆时间产生影响,因而有必要寻求一种模型来综合各种因素对储存器存储寿命的影响。借鉴Gamow、Gurney和Condon处理某些重核α粒子自然衰变的方法对单电子存储器的记忆能力进行研究,考虑到了环境参数和结构参数对记忆性能的影响,给出了一种新的单电子存储器记忆时间模型,并对该模型进行详细的理论分析。
- 郭荣辉赵正平刘玉贵周瑞吕树海齐荣巧张月梅吕苗
- 关键词：单电子存储器量子器件
