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冯海玉

作品数：3 被引量：10H指数：2
供职机构：厦门大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇氧化锡
  • 2篇气敏
  • 2篇气敏材料
  • 2篇气敏传感器
  • 2篇基片
  • 2篇基片温度
  • 2篇溅射
  • 2篇二氧化锡
  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇低压化学气相...
  • 1篇淀积
  • 1篇气相淀积
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇溅射功率
  • 1篇硅薄膜

机构

  • 3篇厦门大学

作者

  • 3篇冯海玉
  • 2篇黄元庆
  • 1篇冯勇健
  • 1篇冯勇建

传媒

  • 1篇厦门大学学报...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国微米/纳...

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2003
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
二氧化锡溅射工艺研究被引量：4
2003年
SnO2 是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料 ,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上 ,着重介绍了SnO2 膜的制备流程 。
冯海玉黄元庆冯勇建
关键词：二氧化锡SNO2基片温度气敏材料气敏传感器
LPCVD氮化硅薄膜的制备工艺被引量：6
2004年
氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛.简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调整炉温使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求.
冯海玉黄元庆冯勇健
关键词：氮化硅薄膜LPCVD低压化学气相淀积
二氧化锡溅射工艺研究
SnO2是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点.在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上,着重介绍了SnO2膜的制备流程,分析了功率和温度变化对成膜质量的影响.
冯海玉黄元庆冯勇建
关键词：溅射功率基片温度气敏材料气敏传感器
文献传递
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