魏晋军
- 作品数：20 被引量：47H指数：4
- 供职机构：西北师范大学知行学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省高分子材料重点实验室基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 电纺丝法制备稀土复合掺杂二氧化钛及其光催化性能研究被引量：2
- 2014年
- 利用静电纺丝法制备了多组分(CeO2+La2O3)稀土掺杂TiO2的纳米纤维,测定了其SEM型貌,通过与未掺杂的纯TiO2粉体及溶胶-凝胶法制备的稀土掺杂TiO2的XRD图谱、光催化性能及沉降性能的比较研究,发现多组分稀土掺杂能够较大幅度提高TiO2的光催化性能,同时该法制备的纳米纤维沉降速度明显高于其他方法制备的光催化剂,能够有效防止二次污染。
- 魏晋军
- 关键词：TIO2纳米纤维光催化性能沉降性能
- 基于功率全储能模式的风电场综合优化设计模型
- 2017年
- 风力发电是面向未来的清洁能源,具有广阔的发展前景,但也存在制约发展的较多问题。提出了基于功率全储能模式的综合优化设计方案,通过简化塔上机组结构增加系统可靠性,增加储能装置平抑输出功率峰值谷值差,使用电气控制技术提高风能利用率等,从而实现风电场功率的稳定输出及并网运行,对于保障风电场安全经济运行和已建成风电场的技术改造,具有重要的研究价值。
- 魏晋军马书懿
- 关键词：风电场并网优化设计
- 锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜光致发光的比较研究被引量：5
- 2008年
- 采用磁控溅射技术,以锗为溅射靶,在多孔硅上沉积锗薄膜,沉积时间分别为4,8和12min,及以锗-二氧化硅复合靶为溅射靶,在n型硅衬底上沉积了含纳米锗颗粒的氧化硅薄膜,锗与总靶的面积比分别为5%,15%,30%。各样品在氮气氛中分别经过300,600及900℃退火30min。对锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜进行了光致发光谱的对比研究,用红外吸收谱分析了锗/多孔硅的薄膜结构。实验结果显示,锗/多孔硅薄膜的发光峰位于517nm附近,沉积时间对发光峰的强度有显著影响,锗层越厚峰强越弱。锗/氧化硅薄膜的发光峰位于580nm附近,锗与总靶的面积比对发光峰的强度影响较大,锗/氧化硅薄膜中的锗含量越高峰强越弱。不同的退火温度对样品的发光峰强及峰位均没有明显影响。可以认为锗/多孔硅的发光峰是由多孔硅与孔间隙中的锗纳米晶粒两者界面的锗相关缺陷引起的,而锗/氧化硅的发光峰来自于二氧化硅的发光中心。
- 孙小菁马书懿魏晋军徐小丽
- 关键词：光致发光红外吸收
- C镶嵌SiO2薄膜电致发光谱的数值分析被引量：1
- 2008年
- 采用磁控溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜,在室温下测量了Au/镶嵌纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光谱,电致发光谱显示,随着正向偏压的增加,来自该结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动,发光强度增大。利用位形坐标模型对C镶嵌SiO2薄膜的电致发光谱进行了分析,结果表明该结构的电致发光谱存在1.8和2.0eV左右的两个发光中心,分别来自SiO2层的非桥氧空位和纳米C团簇。
- 张国恒马书懿陈彦张汉谋徐小丽魏晋军孙小菁
- 关键词：磁控溅射电致发光
- 金属掺杂多孔硅薄膜的制备及荧光光谱研究被引量：1
- 2007年
- 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了金属掺杂.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,结果表明,适量的金属掺杂增强了多孔硅的红光发射,氧化性金属掺杂还增强了多孔硅的蓝光发射,还原性金属掺杂却无此现象.红外吸收谱表明,金属掺杂多孔硅后Si—O—Si键振动增强.XRD谱表明,氧化性金属掺杂后多孔硅的无定形程度增强.对分析结果的解释为:红光增强是金属掺杂引入新的缺陷和硅、氧、金属间新的键态Si—Metal,Metal—O,Metal—Metal所致,而蓝光增强是无定形程度增强,应力增大和进一步氧化所致.
- 孙小菁马书懿魏晋军徐小丽
- 关键词：电化学光致发光X射线衍射红外吸收
- 镁离子掺杂多孔硅的蓝光发射被引量：3
- 2007年
- 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了镁离子的化学掺杂。用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,发现镁掺杂增强了多孔硅的蓝光发射,当镁离子浓度增大到0.002mol/L时,可使蓝光强度达到多孔硅红光强度的一半。红外吸收谱表明,掺镁多孔硅的表面形成较完整的Si-O-Si网络结构,分析结果认为,多孔硅的蓝光光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中,光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅SiOx层中的发光中心上,对实验结果进行了合理的解释。
- 孙小菁马书懿张汉谋徐小丽魏晋军
- 关键词：多孔硅电化学光致发光红外吸收
- 快速光热退火法制备多晶硅机理研究被引量：1
- 2011年
- 本论述研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术,先利用PECVD法设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用X射线衍射仪(XRD)测试其晶体结构;对不同退火温度下的系列样品测定了RXD谱图。研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光波的频率和光照强度是起着主导作用。
- 魏晋军
- 关键词：多晶硅薄膜晶粒尺寸
- 磁控溅射法制备的ZnO薄膜光致发光中心漂移现象研究
- 2011年
- 利用磁控射频溅射法制备了ZnO薄膜,制备过程中控制不同的氧分压值,并通过采用不同的退火温度获得了系列样品,测定了其光致发光谱。发现样品的主要发光峰位随氧分压增大出现蓝移,随退火温度的升高而发生红移。从导带底到锌缺陷形成的受主能级之间的跃迁可能是产生蓝光发射的原因。
- 魏晋军
- 关键词：ZNO薄膜退火温度氧分压
- 衬底温度对磁控溅射法制备ZnO薄膜结构及光学特性的影响被引量：10
- 2007年
- 采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪、扫描探针显微镜及紫外分光光度计研究了生长温度对ZnO薄膜的结构及光学吸收和透射特性的影响。结果表明,合适的衬底温度有利于提高ZnO薄膜的结晶质量;薄膜在紫外区显示出较强的光吸收,在可见光区的平均透过率达到90%以上,且随着衬底温度的升高,薄膜的光学带隙减小、吸收边红移。采用量子限域模型对薄膜的光学带隙作了相应的理论计算,计算结果与实验值符合得较好。
- 徐小丽马书懿陈彦孙小菁魏晋军张国恒
- 关键词：射频磁控溅射ZNO薄膜光学特性
- 静电纺丝法制备Y掺杂ZnO纳米材料及其光催化性能被引量：1
- 2017年
- 通过调节前驱液组分,使用电纺丝法和焙烧工艺,制备Y掺杂ZnO纳米颗粒,采用透射电子显微镜、X射线衍射、光致发光光谱、N_2吸附-脱附和XPS等进行表征。结果表明,Y掺杂ZnO材料具有明显的球形结构,与纯ZnO相比,纳米粒径更小,结构更疏松,具有较大的比表面积,晶体材料的禁带宽度相应变窄。光催化污染物降解实验表明,Y掺杂ZnO能够提高ZnO材料的光催化性能,Y掺杂物质的量分数为0.25%时,光催化降解性能最好,表明Y掺杂是一种有效提高ZnO材料光催化性能的改性手段。
- 魏晋军马书懿
- 关键词：催化化学ZNO形貌结构光催化
